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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY

BLA9H0912L-1200PU
Ampleon
1: S/1,847.19
125En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLA9H0912L-1200PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-1200PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY

Hoja de datos

125En existencias

S/1,847.19

S/1,846.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

60 mOhms

960 MHz to 1.215 GHz

19 dB

1.2 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY

BLA9H0912LS-700GU
Ampleon
1: S/1,428.66
42En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLA9H0912LS-700GU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-700GU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY

Hoja de datos

42En existencias

S/1,428.66

S/1,313.91

S/1,313.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

50 V

60 mOhms

960 MHz to 1.215 GHz

20 dB

700 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT502E-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD

BLC2425M10LS500PZ
Ampleon
1: S/650.36
110En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS500PZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS500PZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD

Hoja de datos

110En existencias

S/650.36

S/616.73

S/616.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

45.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.5 dB

500 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1250-1-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY

BLF978PU
Ampleon
1: S/1,044.79
111En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF978PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF978PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY

Hoja de datos

111En existencias

S/1,044.79

S/845.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

54 mOhms

700 MHz

24.5 dB

1.2 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY

BLL9G1214L-600U
Ampleon
1: S/839.07
115En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLL9G1214L-600U

N.º de artículo de Mouser
94-BLL9G1214L-600U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY

Hoja de datos

115En existencias

S/839.07

S/830.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

26 mOhms

1.2 GHz to 1.4 GHz

19 dB

600 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT502A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP

BLM10D3438-35ABZ
Ampleon
1: S/89.57
1,000En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM10D3438-35ABZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM10D3438-35ABZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP

Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/89.57

S/69.52

S/64.42

S/60.57

Ver

Envase tipo carrete

S/53.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

LDMOS

65 V

3.4 GHz to 3.8 GHz

35.4 dB

45.5 dBm

+ 200 C

SMD/SMT

QFN-20

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

CLF3H0035-100U
Ampleon
1: S/1,123.41
97En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
CLF3H0035-100U

N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035-100U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

Hoja de datos

97En existencias

S/1,123.41

S/911.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

GaN Si

50 V

240 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz

15 dB

100 W

+ 300 C

Screw Mount

SOT467C-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY

CLF3H0035S-100U
Ampleon
1: S/1,123.41
60En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
CLF3H0035S-100U

N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035S-100U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY

Hoja de datos

60En existencias

S/1,123.41

S/911.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

GaN Si

50 V

240 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz

15 dB

100 W

+ 300 C

SMD/SMT

SOT467B-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: S/1,499.70
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Obtenga más información

Hoja de datos

21En existencias

Cinta cortada

S/1,499.70

S/1,294.33

S/1,243.11

Envase tipo carrete

S/1,129.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

24.4 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: S/190.97
175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

Hoja de datos

175En existencias

Cinta cortada

S/190.97

S/155.89

S/147.14

S/137.52

Ver

Envase tipo carrete

S/130.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WB-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: S/142.12
513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

513En existencias

Cinta cortada

S/142.12

S/114.79

S/107.94

S/100.47

Ver

Envase tipo carrete

S/94.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1: S/2,877.92
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

Cinta cortada

S/2,877.92

S/2,525.88

S/2,511.79

Envase tipo carrete

S/2,387.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

2 A

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: S/1,348.48
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR6

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

Cinta cortada

S/1,348.48

S/1,154.98

S/1,107.96

S/1,097.76

Ver

Envase tipo carrete

S/1,030.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 150

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,834.18
121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP61K25HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

Obtenga más información

Hoja de datos

121En existencias

Cinta cortada

S/1,834.18

S/1,590.67

S/1,529.91

Envase tipo carrete

S/1,493.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 600 MHz

24 dB

1.25 kW

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY

ART450FEU
Ampleon
1: S/602.40
4En existencias
120Se espera el 3/07/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART450FEU

N.º de artículo de Mouser
94-ART450FEU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART450FE/SOT1121/TRAY

Hoja de datos

4En existencias

120Se espera el 3/07/2026

S/602.40

S/531.21

S/531.05

S/500.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

340 mOhms

1 MHz to 650 MHz

27 dB

450 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT1121A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1510
Microchip Technology
1: S/1,334.50
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1510

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

7En existencias

S/1,334.50

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460AG
Microchip Technology
1: S/220.55
121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

121En existencias

S/220.55

S/186.61

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460BG
Microchip Technology
1: S/220.55
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

70En existencias

S/220.55

S/186.61

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

VRF150
Microchip Technology
1: S/266.56
227En existencias
196Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
VRF150

N.º de artículo de Mouser
494-VRF150

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

Hoja de datos

227En existencias

196Se espera el 15/06/2026

S/266.56

S/225.53

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

150 MHz

18 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

VRF151
Microchip Technology
1: S/272.98
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF151

N.º de artículo de Mouser
494-VRF151

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

50En existencias

S/272.98

S/230.94

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

175 MHz

22 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

VRF2933
Microchip Technology
1: S/632.88
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2933

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

Hoja de datos

35En existencias

S/632.88

S/592.79

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

42 A

180 V

30 MHz

25 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003TR-E
STMicroelectronics
1: S/34.37
389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

389En existencias

Cinta cortada

S/34.37

S/24.80

S/21.68

Envase tipo carrete

S/20.94

S/20.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55008TR-E
STMicroelectronics
1: S/59.40
689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

689En existencias

Cinta cortada

S/59.40

S/43.91

S/38.89

Envase tipo carrete

S/37.21

S/36.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: S/88.71
170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

170En existencias

S/88.71

S/64.07

S/59.59

S/58.15

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD57018-E
STMicroelectronics
1: S/118.53
186En existencias
400Se espera el 17/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
PD57018-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

186En existencias

400Se espera el 17/02/2026

S/118.53

S/101.09

S/88.44

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5