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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 676

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
1,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,538En existencias

S/60.57

S/42.86

S/39.66

S/39.63

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH11F
CML Micro
10: S/518.13
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH11F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH11F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

S/518.13

S/492.25

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

440 mA to 800 mA

8 V

12 GHz

9 dB

32 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/33.28
3,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,649En existencias

Cinta cortada

S/33.28

S/23.94

S/21.64

S/21.60

S/20.47

Envase tipo carrete

S/18.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/44.18
5,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

5,874En existencias

S/44.18

S/30.75

S/28.34

S/28.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

MRF158
MACOM
1: S/389.41
524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF158

N.º de artículo de Mouser
937-MRF158

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

524En existencias

S/389.41

S/325.53

S/315.92

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

500 mA

65 V

500 MHz

18 dB

2 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

305A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/68.16
1,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,332En existencias

S/68.16

S/48.54

S/45.04

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1501
Microchip Technology
1: S/1,109.83
56En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1501

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1501

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

56En existencias

S/1,109.83

S/1,103.91

S/1,067.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg

MRF151A
MACOM
1: S/1,366.54
260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF151A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF151A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg

Hoja de datos

260En existencias

S/1,366.54

S/1,142.72

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

175 MHz

13 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

244-4

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

MRF177
MACOM
1: S/1,220.30
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF177

N.º de artículo de Mouser
937-MRF177

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

Obtenga más información

Hoja de datos

340En existencias

S/1,220.30

S/1,030.46

S/976.20

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

400 MHz

12 dB

100 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

MRF150MP
MACOM
1: S/2,319.77
408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF150MP

N.º de artículo de Mouser
937-MRF150MP

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

Hoja de datos

408En existencias

S/2,319.77

S/2,118.42

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

150 MHz

17 dB

150 W

+ 200 C

SMD/SMT

221-11-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

MRF148A
MACOM
1: S/686.05
945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF148A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF148A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

Obtenga más información

Hoja de datos

945En existencias

S/686.05

S/573.91

S/560.13

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

125 V

175 MHz

18 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH7F71
CML Micro
1: S/326.35
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH7F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH7F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

3En existencias

Cinta cortada

S/326.35

Envase tipo carrete

S/326.35

S/294.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 10

N-Channel

GaAs

28 GHz

15 dB

24.5 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET

MWT-773
CML Micro
1: S/224.40
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-773

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-773

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

Cinta cortada

S/224.40

S/210.58

S/203.66

Envase tipo carrete

S/203.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

GaAs

26 mA

173 Ohms

26 GHz

11 dB

20 dBm

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

BLP0427M9S20GXY
Ampleon
1: S/115.76
97En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP0427M9S20GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

Hoja de datos

97En existencias

Cinta cortada

S/115.76

S/92.68

S/85.95

Envase tipo carrete

S/76.33

S/73.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

500 mOhms

400 MHz to 2.7 GHz

19 dB

20 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

TAV1-331NM+
Mini-Circuits
1: S/11.29
393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-331NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

393En existencias

Cinta cortada

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12.3 dB

21.5 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

TAV1-541NM+
Mini-Circuits
1: S/10.51
407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-541NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-541NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

407En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/10.28

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

45 MHz to 6 GHz

8.9 dB

20.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.4 mm x 1.2 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

BLC2425M10LS250Y
Ampleon
1: S/473.52
29En existencias
100Se espera el 7/08/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS250Y

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS250Y

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

Hoja de datos

29En existencias

100Se espera el 7/08/2026

Cinta cortada

S/473.52

S/396.53

S/376.37

Envase tipo carrete

S/364.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

40.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.4 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

VRF151
Microchip Technology
1: S/272.98
69En existencias
75Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
VRF151

N.º de artículo de Mouser
494-VRF151

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

69En existencias

75Se espera el 26/10/2026

S/272.98

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

175 MHz

22 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: S/98.95
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

228En existencias

S/98.95

S/79.21

S/68.51

S/64.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

MRF166W
MACOM
1: S/803.30
16En existencias
100Se espera el 10/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
MRF166W

N.º de artículo de Mouser
937-MRF166W

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

16En existencias

100Se espera el 10/03/2027

S/803.30

S/696.13

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55008TR-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

449En existencias

Cinta cortada

S/60.57

S/44.72

S/41.81

Envase tipo carrete

S/39.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/86.34
573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

573En existencias

Cinta cortada

S/86.34

S/64.81

S/61.62

Envase tipo carrete

S/56.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

DU2820S
MACOM
1: S/465.04
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2820S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

19En existencias

S/465.04

S/388.78

S/377.26

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

24 A

65 V

175 MHz

13 dB

20 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

MRF157
MACOM
1: S/4,589.80
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF157

N.º de artículo de Mouser
937-MRF157

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

S/4,589.80

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

125 V

80 MHz

21 dB

600 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER

TAV1-551+
Mini-Circuits
1: S/7.24
738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-551+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-551+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER

Obtenga más información

Hoja de datos

738En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/7.20

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

15 mA

3 V

45 MHz to 6 GHz

20.9 dB

20 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

MCLP-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
64 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
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54.7 mOhms, 111 mOhms
57.4 mOhms, 111 mOhms
57.5 mOhms
58.4 mOhms, 111 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
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65 mOhms, 111 Ohms
65 mOhms, 111 mOhms
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65.3 mOhms, 111 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 400 MHz
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1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
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1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
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1.8 MHz to 500 MHz
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10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB

200 mW
2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
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15 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm
20.3 dBm
20.7 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
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305A-01
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333-4
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744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
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B2-3
B4E-5