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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

MRF150MP
MACOM
1: S/1,228.36
177En existencias
250Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF150MP

N.º de artículo de Mouser
937-MRF150MP

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

Hoja de datos

177En existencias

250Se espera el 21/07/2026

S/1,228.36

S/1,046.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

150 MHz

17 dB

150 W

+ 200 C

SMD/SMT

221-11-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/50.49
1,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,549En existencias

S/50.49

S/35.73

S/34.18

S/34.14

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: S/221.48
872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

872En existencias

S/221.48

S/182.91

S/179.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/66.41
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,497En existencias

S/66.41

S/41.77

S/38.89

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB

MRF136
MACOM
1: S/187.35
855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF136

N.º de artículo de Mouser
937-MRF136

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

855En existencias

S/187.35

S/141.61

S/134.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

400 MHz

16 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1501
Microchip Technology
1: S/1,109.83
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1501

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1501

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

60En existencias

S/1,109.83

S/1,103.91

S/1,038.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: S/20.12
20,767En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

NRND

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

Hoja de datos

20,767En existencias

Cinta cortada

S/20.12

S/15.26

S/14.05

S/12.73

Envase tipo carrete

S/9.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15 dB

8 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

DFN-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/43.32
6,633En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

6,633En existencias

S/43.32

S/30.17

S/27.75

S/27.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

MRF158
MACOM
1: S/200.54
559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF158

N.º de artículo de Mouser
937-MRF158

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

559En existencias

S/200.54

S/150.33

S/145.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

500 mA

65 V

500 MHz

18 dB

2 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

305A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

TAV1-541NM+
Mini-Circuits
1: S/66.80
537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-541NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-541NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

537En existencias

Cinta cortada

S/66.80

S/9.73

S/9.50

S/9.30

Envase tipo carrete

S/7.94

S/7.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

45 MHz to 6 GHz

8.9 dB

20.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.4 mm x 1.2 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

TAV1-331NM+
Mini-Circuits
1: S/80.30
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-331NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

459En existencias

Cinta cortada

S/80.30

S/10.43

Envase tipo carrete

S/9.77

S/9.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12.3 dB

21.5 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1: S/707.19
244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFV09P350-04NR3

N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

Hoja de datos

244En existencias

Cinta cortada

S/707.19

S/595.71

S/567.76

S/550.98

Ver

Envase tipo carrete

S/452.04

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

N-Channel

105 V

720 MHz to 960 MHz

19.2 dB

100 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-780-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: S/92.25
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

Hoja de datos

487En existencias

Cinta cortada

S/92.25

S/73.57

S/68.90

S/54.46

Ver

Envase tipo carrete

S/53.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: S/14.44
1,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

1,038En existencias

Cinta cortada

S/14.44

S/10.86

S/9.96

S/8.99

Ver

Envase tipo carrete

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

4.7 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

16.2 dB

6.5 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

HVSON-16

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER

TAV1-551+
Mini-Circuits
1: S/53.48
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-551+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-551+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER

Obtenga más información

Hoja de datos

828En existencias

Cinta cortada

S/53.48

S/53.44

S/6.70

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.38

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

15 mA

3 V

45 MHz to 6 GHz

20.9 dB

20 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

MCLP-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1: S/1,518.85
41En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50NR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Obtenga más información

Hoja de datos

41En existencias

Cinta cortada

S/1,518.85

S/1,310.33

S/1,258.60

Envase tipo carrete

S/1,226.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

36 A

133 V

1.8 MHz to 500 MHz

23 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

MRF166W
MACOM
1: S/665.85
15En existencias
20Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF166W

N.º de artículo de Mouser
937-MRF166W

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

15En existencias

20Se espera el 24/04/2026

S/665.85

S/544.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH7F71
CML Micro
1: S/326.35
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH7F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH7F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Cinta cortada

S/326.35

Envase tipo carrete

S/326.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10

N-Channel

GaAs

28 GHz

15 dB

24.5 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL

BLP9LA25SGXY
Ampleon
1: S/71.51
135En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9LA25SGXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SGXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/TO270/REEL

Hoja de datos

135En existencias

Cinta cortada

S/71.51

S/63.02

S/61.31

S/57.88

Envase tipo carrete

S/49.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

40 V

128 mOhms

941 MHz

18.8 dB

25 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: S/221.06
242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

242En existencias

S/221.06

S/181.82

S/160.57

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

900 mA

65 V

400 MHz

11 dB

5 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035-E
STMicroelectronics
1: S/128.65
623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD85035-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

623En existencias

S/128.65

S/107.71

S/94.24

S/94.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

40 V

870 MHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 165 C

SMD/SMT

PowerSO-12

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

BLP0427M9S20GXY
Ampleon
1: S/96.65
80En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP0427M9S20GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

Hoja de datos

80En existencias

Cinta cortada

S/96.65

S/85.91

S/80.15

S/77.66

Envase tipo carrete

S/71.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

500 mOhms

400 MHz to 2.7 GHz

19 dB

20 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

BLP15M9S30GXY
Ampleon
1: S/89.68
88En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

88En existencias

Cinta cortada

S/89.68

S/79.72

S/74.35

S/72.05

Envase tipo carrete

S/66.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

32 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

DU2860U
MACOM
1: S/644.25
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2860U

N.º de artículo de Mouser
937-DU2860U

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

18En existencias

S/644.25

S/546.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

175 MHz

13 dB

60 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

MRF140
MACOM
1: S/595.75
27En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF140

N.º de artículo de Mouser
937-MRF140

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

Hoja de datos

27En existencias

S/595.75

S/504.23

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Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

150 MHz

15 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5