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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

BLC2425M10LS250Y
Ampleon
1: S/392.36
64En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS250Y

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS250Y

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

Hoja de datos

64En existencias

Cinta cortada

S/392.36

S/358.23

S/345.46

Envase tipo carrete

S/345.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

40.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.4 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC270101M-V1-R1K
MACOM
1: S/67.42
306En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTFC270101M-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

306En existencias

Cinta cortada

S/67.42

S/53.99

S/48.93

S/48.89

Envase tipo carrete

S/39.12

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

10 mA

65 V

2 Ohms

900 MHz to 2.7 GHz

19.5 dB

5 W

+ 225 C

SMD/SMT

SON-10

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: S/120.51
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

215En existencias

S/120.51

S/81.82

S/81.74

S/81.70

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

VRF2944
Microchip Technology
1: S/640.51
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2944

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2944

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

Hoja de datos

70En existencias

S/640.51

S/635.65

S/618.01

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

50 A

180 V

30 MHz

25 dB

400 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

MRF157
MACOM
1: S/4,073.66
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF157

N.º de artículo de Mouser
937-MRF157

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

S/4,073.66

S/3,610.10

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

125 V

80 MHz

21 dB

600 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF461AG
Microchip Technology
1: S/230.51
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF461AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF461AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

70En existencias

S/230.51

S/202.88

S/201.13

S/158.31

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6.5 A

1 kV

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: S/36.82
472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

472En existencias

S/36.82

S/25.61

S/24.17

S/24.13

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz

SD4931
STMicroelectronics
1: S/342.38
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD4931

N.º de artículo de Mouser
511-SD4931

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz

Obtenga más información

Hoja de datos

43En existencias

S/342.38

S/236.94

S/229.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

200 V

250 MHz

14.8 dB

150 W

+ 150 C

SMD/SMT

M174

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

FH2164
MACOM
1: S/665.85
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FH2164

N.º de artículo de Mouser
937-FH2164

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

Hoja de datos

17En existencias

S/665.85

S/544.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

30 MHz to 90 MHz

13 dB

8 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

MRF160
MACOM
1: S/249.39
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF160

N.º de artículo de Mouser
937-MRF160

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

70En existencias

S/249.39

S/193.57

S/183.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 A

65 V

500 MHz

18 dB

4 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

249-06

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55025S-E
STMicroelectronics
1: S/103.46
148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

148En existencias

S/103.46

S/75.86

S/74.77

S/74.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1: S/89.96
784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MMRF1014NT1

N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

Hoja de datos

784En existencias

Cinta cortada

S/89.96

S/71.70

S/67.15

S/62.16

Ver

Envase tipo carrete

S/56.95

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

50 mA

68 V

1 MHz to 2 GHz

19 dB

4 W

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB

MRF141G
MACOM
1: S/1,361.71
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF141G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF141G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

S/1,361.71

S/1,177.60

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

32 A

65 V

175 MHz

12 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB

MRF166C
MACOM
1: S/291.12
72En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF166C

N.º de artículo de Mouser
937-MRF166C

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB

Obtenga más información

Hoja de datos

72En existencias

S/291.12

S/224.32

S/215.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

500 MHz

13.5 dB

20 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

319-07

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: S/1,392.07
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28100V

N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Hoja de datos

18En existencias

S/1,392.07

S/1,166.97

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
1: S/1,297.64
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80GNR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80GNR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

Cinta cortada

S/1,297.64

S/1,118.43

S/1,073.71

Envase tipo carrete

S/1,046.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

24.4 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230G-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

VRF150MP
Microchip Technology
1: S/543.94
15En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF150MP

N.º de artículo de Mouser
494-VRF150MP

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174

Hoja de datos

15En existencias

S/543.94

S/460.21

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

180 V

150 MHz

18 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

DU2820S
MACOM
1: S/312.68
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2820S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

22En existencias

S/312.68

S/260.10

S/232.54

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

24 A

65 V

175 MHz

13 dB

20 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL

BLP15M9S70XY
Ampleon
1: S/95.29
79En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S70XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL

Hoja de datos

79En existencias

Cinta cortada

S/95.29

S/84.70

S/79.02

S/76.57

Envase tipo carrete

S/71.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

185 mOhms

2 GHz

17.8 dB

70 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS

TAV1-331+
Mini-Circuits
1: S/64.19
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-331+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS

Obtenga más información

Hoja de datos

61En existencias

Cinta cortada

S/64.19

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12 dB

21.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

MCLP-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET

MWT-773
CML Micro
1: S/224.40
6En existencias
100Se espera el 17/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
MWT-773

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-773

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET

Obtenga más información

Hoja de datos

6En existencias

100Se espera el 17/03/2026

Cinta cortada

S/224.40

S/210.58

S/202.72

S/201.51

Envase tipo carrete

S/201.51

S/200.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

GaAs

26 mA

173 Ohms

26 GHz

11 dB

20 dBm

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-11W
STMicroelectronics
1: S/328.64
5En existencias
250En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-11W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

5En existencias

250En pedido

S/328.64

S/273.37

S/250.75

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

175 MHz

14 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL

BLP15M9S70GXY
Ampleon
1: S/95.29
Plazo de entrega 16 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S70GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL

Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

Cinta cortada

S/95.29

S/84.70

S/79.02

S/76.57

Envase tipo carrete

S/74.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

370 mOhms

2 GHz

19.3 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH8F71
CML Micro
1: S/532.77
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH8F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Cinta cortada

S/532.77

Envase tipo carrete

S/532.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10

N-Channel

GaAs

18 GHz

12 dB

30 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465AG
Microchip Technology
1: S/240.60
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

281En existencias

S/240.60

S/213.23

S/211.95

S/182.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5