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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

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En existencias

Normalmente en existencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

MWT-LN300
CML Micro
10: S/130.79
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-LN300

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN300

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

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Hoja de datos

50En existencias

Envase tipo carrete

S/130.79

S/115.76

Min.: 10
Mult.: 10

Carrete: 10

GaAs

120 mA

4 V

26 GHz

10 dB, 13 dB

16 dBm

+ 150 C

Die

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

MWT-LN600
CML Micro
10: S/118.84
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-LN600

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

S/118.84

S/117.67

S/116.70

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

175 mA

4.5 V

26 GHz

8 dB, 11 dB

20 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G

AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1: S/150.02
313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G

Hoja de datos

313En existencias

Cinta cortada

S/150.02

S/121.48

S/114.24

S/106.46

Ver

Envase tipo carrete

S/93.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WBG-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: S/46.52
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

115En existencias

S/46.52

S/23.47

S/23.20

S/22.97

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

25 V

1 GHz

12 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH8F
CML Micro
10: S/380.53
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH8F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

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Hoja de datos

100En existencias

S/380.53

S/371.85

S/365.04

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

250 mA to 300 mA

8 V

18 GHz

11 dB

30 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH9F
CML Micro
10: S/296.10
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH9F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

S/296.10

S/295.48

S/294.90

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

180 mA to 220 mA

7.5 V

26 GHz

13 dB

28 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/84.66
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

580En existencias

Cinta cortada

S/84.66

S/63.53

S/56.67

Envase tipo carrete

S/55.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1: S/18.61
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK4037(TE12L,Q)

N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

Hoja de datos

450En existencias

Cinta cortada

S/18.61

S/14.91

S/12.07

S/10.70

Envase tipo carrete

S/9.11

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

3 A

12 V

470 MHz

11.5 dB

36.5 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

PW-X-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH15F
CML Micro
10: S/457.80
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH15F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

S/457.80

S/457.10

S/456.47

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

150 mA to 190 mA

7.5 V

28 GHz

12 dB

28 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1: S/447.25
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAE263708NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

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Hoja de datos

90En existencias

Cinta cortada

S/447.25

S/375.70

S/338.73

Envase tipo carrete

S/338.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

N-Channel

65 V

80 mOhms

2.62 GHz to 2.69 GHz

13.5 dB

400 W

+ 225 C

Screw Mount

HB2SOF-8-1

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: S/749.81
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/749.81

S/611.28

Envase tipo carrete

S/601.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

2.5 A

95 V

1 Ohms

1 GHz

20 dB

120 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

ARF468AG
Microchip Technology
1: S/254.96
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF468AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

Hoja de datos

26En existencias

S/254.96

S/215.72

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

MRF175GU
MACOM
1: S/1,022.13
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF175GU

N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

Hoja de datos

5En existencias

S/1,022.13

S/858.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465BG
Microchip Technology
1: S/240.63
27En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

27En existencias

S/240.63

S/202.22

S/200.54

S/198.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY

CLF24H4LS300PU
Ampleon
1: S/884.10
120En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CLF24H4LS300PU

N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

120En existencias

S/884.10

S/828.05

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

GaN SiC

50 V

2.4 GHz to 2.5 GHz

16 dB

300 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1214B-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/671.42
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

S/671.42

S/570.33

Envase tipo carrete

S/502.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

110 V

1 Ohms

1 GHz

19 dB

400 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

BLF981SU
Ampleon
1: S/423.54
55En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981SU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

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Hoja de datos

55En existencias

S/423.54

S/392.09

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467B-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

BLF981U
Ampleon
1: S/423.54
31En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

31En existencias

S/423.54

S/392.09

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467C-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981XY
Ampleon
1: S/212.80
58En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

Obtenga más información

Hoja de datos

58En existencias

Cinta cortada

S/212.80

S/193.46

Envase tipo carrete

S/174.11

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

23.8 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: S/671.42
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

S/671.42

S/545.03

Envase tipo carrete

S/511.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

65 V

1 Ohms

1.6 GHz

14 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

ART1K9FHU
Ampleon
1: S/843.39
190En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ART1K9FHU

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

190En existencias

S/843.39

S/727.82

S/727.78

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

55 V

69 mOhms

1 MHz to 500 MHz

24.6 dB

1.9 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY

ART2K0FESU
Ampleon
1: S/782.66
511En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART2K0FESU

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0FESU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

511En existencias

S/782.66

S/781.50

S/766.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

100 mOhms

1 MHz to 400 MHz

28.4 dB

2 kW

+ 225 C

SMD/SMT

SOT539BN-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

ART2K0TFEGJ
Ampleon
1: S/906.25
87En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART2K0TFEGJ

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

Hoja de datos

87En existencias

Cinta cortada

S/906.25

S/849.15

S/842.73

S/842.61

Envase tipo carrete

S/842.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

107 mOhms

29 dB

+ 225 C

SMD/SMT

ACC-1230-6G-2-7

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: S/195.40
3,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,618En existencias

S/195.40

S/159.79

S/140.91

S/134.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: S/387.77
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Obtenga más información

Hoja de datos

370En existencias

S/387.77

S/323.04

S/304.16

S/287.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

20.4 dB

330 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5