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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD57018-E
STMicroelectronics
1: S/118.53
186En existencias
400Se espera el 17/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
PD57018-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

186En existencias

400Se espera el 17/02/2026

S/118.53

S/101.09

S/88.44

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57030-E
STMicroelectronics
1: S/190.30
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57030-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

266En existencias

S/190.30

S/142.47

S/133.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

1 GHz

14 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: S/334.52
33En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

33En existencias

S/334.52

S/269.24

S/249.90

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

130 V

175 MHz

15 dB

175 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

SD2942W
STMicroelectronics
1: S/749.73
80En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2942W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

Hoja de datos

80En existencias

S/749.73

S/606.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

175 MHz

15 dB

350 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

SD2943W
STMicroelectronics
1: S/614.12
21En existencias
50Se espera el 10/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SD2943W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2943W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

Hoja de datos

21En existencias

50Se espera el 10/03/2026

S/614.12

S/497.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

SD4933MR
STMicroelectronics
1: S/613.96
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD4933MR

N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

93En existencias

S/613.96

S/499.64

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

200 V

100 MHz

24 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M177MR-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: S/393.10
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

51En existencias

S/393.10

S/313.35

S/295.83

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M243

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

STAC2942BW
STMicroelectronics
1: S/564.06
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STAC2942BW

N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

Obtenga más información

Hoja de datos

88En existencias

S/564.06

S/476.83

S/434.40

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

250 MHz

21 dB

350 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

STAC244B

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB

MRF137
MACOM
1: S/254.65
279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF137

N.º de artículo de Mouser
937-MRF137

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB

Obtenga más información

Hoja de datos

279En existencias

S/254.65

S/203.34

S/187.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

65 V

400 MHz

13 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: S/391.39
72En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF174

N.º de artículo de Mouser
937-MRF174

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

72En existencias

S/391.39

S/327.09

S/293.38

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY

ART150FEU
Ampleon
1: S/423.35
85En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART150FEU

N.º de artículo de Mouser
94-ART150FEU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150FE/SOT467C/TRAY

Hoja de datos

85En existencias

S/423.35

S/370.25

S/370.22

S/368.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

482 mOhms

1 MHz to 650 MHz

31 dB

150 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT467C-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY

ART35FEU
Ampleon
1: S/292.91
35En existencias
240Se espera el 20/02/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART35FEU

N.º de artículo de Mouser
94-ART35FEU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART35FE/SOT467C/TRAY

Hoja de datos

35En existencias

240Se espera el 20/02/2026

S/292.91

S/237.01

S/236.98

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

1.6 Ohms

1 MHz to 650 MHz

31 dB

35 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT467C-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

B11G2327N71DYZ
Ampleon
1: S/254.34
130En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
B11G2327N71DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B11G2327N71DYZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

130En existencias

Cinta cortada

S/254.34

S/206.22

S/199.49

S/199.41

Ver

Envase tipo carrete

S/181.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 300

LDMOS

65 V

2.3 GHz to 2.7 GHz

33.5 dB

49.5 dBm

+ 200 C

SMD/SMT

QFN-36

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY

BLA9H0912LS-250GU
Ampleon
1: S/967.91
50En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLA9H0912LS-250GU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-250GU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY

Hoja de datos

50En existencias

S/967.91

S/831.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

50 V

110 mOhms

960 MHz to 1.215 GHz

22 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT502E-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP

BLC2425M9LS250Z
Ampleon
1: S/404.74
70En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M9LS250Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M9LS250Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP

Hoja de datos

70En existencias

S/404.74

S/350.68

S/350.60

S/338.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

52.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

18.5 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY

BLF13H9L750PU
Ampleon
1: S/696.68
29En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF13H9L750PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF13H9L750PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY

Hoja de datos

29En existencias

S/696.68

S/696.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

90 mOhms

1.3 GHz

19 dB

750 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647PS/SOT1121/TRAY

BLF647PS,112
Ampleon
1: S/617.74
46En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF647PS,112

N.º de artículo de Mouser
94-BLF647PS112

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647PS/SOT1121/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

46En existencias

S/617.74

S/617.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

100 mA

65 V

140 mOhms

1.5 GHz

17.5 dB

200 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1121B-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY

BLF974PU
Ampleon
1: S/644.21
79En existencias
120En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF974PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF974PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY

Hoja de datos

79En existencias

120En pedido

S/644.21

S/609.84

S/609.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

110 mOhms

700 MHz

25.7 dB

500 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984P/SOT1121/TRAY

BLF984PU
Ampleon
1: S/515.68
28En existencias
60Se espera el 22/05/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF984PU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF984PU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF984P/SOT1121/TRAY

Hoja de datos

28En existencias

60Se espera el 22/05/2026

S/515.68

S/468.54

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

180 mOhms

30 MHz to 860 MHz

22.5 dB

450 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT1121A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY

BLF989EU
Ampleon
1: S/837.24
36En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF989EU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF989EU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF989E/SOT539/TRAY

Hoja de datos

36En existencias

S/837.24

S/736.66

S/722.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

50 V

60 mOhms, 90 mOhms

400 MHz to 860 MHz

20 dB

1 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539AN-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

BLM2425M7S60PY
Ampleon
1: S/175.67
83En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM2425M7S60PY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM2425M7S60PY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

Hoja de datos

83En existencias

Cinta cortada

S/175.67

S/153.83

S/146.28

Envase tipo carrete

S/135.26

S/125.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

32 V

350 mOhms, 2.35 Ohms

2.4 GHz to 2.5 GHz

27.5 dB

60 W

+ 150 C

SMD/SMT

SOT1211-3-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP

BLM2425M9S20Z
Ampleon
1: S/111.71
Plazo de entrega 16 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM2425M9S20Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLM2425M9S20Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP

Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

S/111.71

S/81.55

S/71.43

Min.: 1
Mult.: 1

LDMOS

65 V

350 mOhms, 2.35 Ohms

2.4 GHz to 2.5 GHz

28 dB

20 W

+ 150 C

SMD/SMT

OMP-400-8F-1-8

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

BLM7G1822S-40PBGY
Ampleon
1: S/165.51
75En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-40PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

Hoja de datos

75En existencias

Cinta cortada

S/165.51

S/144.92

S/137.76

Envase tipo carrete

S/107.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

65 V

1.805 GHz to 2.17 GHz

33 dB

45.1 W

+ 150 C

SMD/SMT

SOT1212-3-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

BLM7G1822S-80PBGY
Ampleon
1: S/255.43
94En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-80PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-80PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC

Hoja de datos

94En existencias

Cinta cortada

S/255.43

S/207.16

S/200.46

S/200.31

Envase tipo carrete

S/175.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

28 V

1.805 GHz to 2.17 GHz

29 dB

49.6 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

SOT1212-3-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP

BLM9D2327-26BZ
Ampleon
1: S/112.88
180En existencias
500Se espera el 29/04/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM9D2327-26BZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D2327-26BZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP

Hoja de datos

180En existencias

500Se espera el 29/04/2026

Cinta cortada

S/112.88

S/85.28

S/78.43

S/78.39

Ver

Envase tipo carrete

S/70.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

LDMOS

65 V

2.3 GHz to 2.7 GHz

31.3 dB

44.8 dBm

+ 200 C

SMD/SMT

QFN-20

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5