Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
SSM6K341NU,LF
Toshiba
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S/2.69
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K341NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
590,951 En existencias
1
S/2.69
10
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Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
1 Channel
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6 A
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- 20 V, 20 V
1.5 V
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- 55 C
+ 150 C
1.25 W
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U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
TK160F10N1L,LQ
Toshiba
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18,984 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
18,984 En existencias
1
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Si
SMD/SMT
TO-220SMW-3
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1 Channel
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160 A
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Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-TPW1500CNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
14,835 En existencias
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S/4.13
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Si
SMD/SMT
DSOP-8
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1 Channel
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50 A
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U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
SSM6N815R,LF
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
17,992 En existencias
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S/2.80
10
S/1.72
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Ver
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6,000
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S/0.471
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SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
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2 A
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U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,560 En existencias
1
S/14.21
10
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S/6.54
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S/5.25
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Si
SMD/SMT
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N-Channel
1 Channel
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Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
TPH1400ANH,L1Q
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TPH1400ANHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
5,953 En existencias
1
S/7.90
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S/2.09
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S/2.09
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Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
TPH2R306NH,L1Q
Toshiba
1:
S/9.73
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N.º de artículo de Mouser 757-TPH2R306NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
6,778 En existencias
1
S/9.73
10
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S/2.78
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Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
TPH1R403NL,L1Q
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R403NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
7,127 En existencias
1
S/6.23
10
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S/2.18
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Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
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60 A
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64 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
+1 imagen
TPWR8503NL,L1Q
Toshiba
1:
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4,929 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPWR8503NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
4,929 En existencias
1
S/13.47
10
S/8.80
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S/4.32
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Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
150 A
1 mOhms
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1.3 V
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+ 150 C
142 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
TPN3300ANH,LQ
Toshiba
1:
S/6.42
22,109 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN3300ANHLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
22,109 En existencias
1
S/6.42
10
S/4.09
100
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S/2.14
3,000
S/1.67
6,000
Ver
1,000
S/1.95
6,000
S/1.56
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
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- 20 V, 20 V
4 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
TPN2R703NL,L1Q
Toshiba
1:
S/6.81
19,881 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN2R703NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
19,881 En existencias
1
S/6.81
10
S/4.36
100
S/2.90
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S/2.28
5,000
S/1.76
25,000
Ver
1,000
S/2.08
2,500
S/1.97
25,000
S/1.67
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
45 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
21 nC
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+ 150 C
42 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW2900ENH,L1Q
Toshiba
1:
S/11.56
1,454 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW2900ENHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
1,454 En existencias
1
S/11.56
10
S/8.52
100
S/6.19
500
S/5.76
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S/4.67
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Ver
1,000
S/5.33
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S/5.06
10,000
S/4.63
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
200 V
36 A
29 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
142 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/13.62
3,703 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
3,703 En existencias
1
S/13.62
10
S/8.87
100
S/6.23
500
S/5.41
1,000
S/5.02
2,000
S/4.40
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 40A
TK40S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/3.89
12,579 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK40S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 40A
12,579 En existencias
1
S/3.89
10
S/2.93
100
S/2.03
500
S/1.70
2,000
S/1.38
4,000
Ver
1,000
S/1.57
4,000
S/1.33
24,000
S/1.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
88.2 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPH1500CNH,L1Q
Toshiba
1:
S/9.46
11,662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH1500CNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
11,662 En existencias
1
S/9.46
10
S/6.70
100
S/4.67
500
S/3.80
1,000
Ver
5,000
S/3.10
1,000
S/3.75
2,500
S/3.72
5,000
S/3.10
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
150 V
38 A
15.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba
1:
S/9.73
8,893 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH8R80ANHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
8,893 En existencias
1
S/9.73
10
S/6.31
100
S/4.32
500
S/3.44
1,000
Ver
5,000
S/2.78
1,000
S/3.23
2,500
S/2.99
5,000
S/2.78
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
59 A
7.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
61 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
TPHR9003NL,L1Q
Toshiba
1:
S/9.96
3,827 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPHR9003NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
3,827 En existencias
1
S/9.96
10
S/7.28
100
S/5.14
500
S/4.28
1,000
Ver
5,000
S/3.48
1,000
S/4.24
2,500
S/4.20
5,000
S/3.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
60 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
74 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV
TPN5900CNH,L1Q
Toshiba
1:
S/4.98
4,017 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN5900CNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV
4,017 En existencias
1
S/4.98
10
S/3.36
100
S/2.30
2,500
S/2.18
5,000
S/1.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
18 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
TPH5R906NH,L1Q
Toshiba
1:
S/6.38
3,933 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH5R906NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
3,933 En existencias
1
S/6.38
10
S/4.48
100
S/3.31
1,000
S/3.15
2,500
Ver
5,000
S/2.71
2,500
S/2.91
5,000
S/2.71
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
60 V
71 A
4.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
38 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba
1:
S/4.44
13,766 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN4R303NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
13,766 En existencias
1
S/4.44
10
S/3.20
100
S/2.24
500
S/1.94
5,000
S/1.50
25,000
Ver
1,000
S/1.77
2,500
S/1.72
25,000
S/1.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
63 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
14.8 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
TPN7R506NH,L1Q
Toshiba
1:
S/6.03
28,366 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN7R506NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
28,366 En existencias
1
S/6.03
10
S/3.81
100
S/2.54
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S/1.99
1,000
Ver
5,000
S/1.46
1,000
S/1.76
2,500
S/1.70
5,000
S/1.46
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
53 A
16 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
TPW4R50ANH,L1Q
Toshiba
1:
S/12.22
6,018 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW4R50ANHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
6,018 En existencias
1
S/12.22
10
S/8.84
100
S/6.19
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S/5.41
1,000
Ver
5,000
S/4.36
1,000
S/4.98
2,500
S/4.75
5,000
S/4.36
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Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
92 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
58 nC
- 55 C
+ 150 C
142 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=57W F=1MHZ
TK25S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/6.03
23,972 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK25S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=57W F=1MHZ
23,972 En existencias
1
S/6.03
10
S/3.82
100
S/2.55
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S/1.62
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Ver
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S/1.49
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S/1.44
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
25 A
18.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
57 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
TPH4R606NH,L1Q
Toshiba
1:
S/10.67
4,928 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH4R606NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
4,928 En existencias
1
S/10.67
10
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S/3.29
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
60 V
85 A
3.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
TPH7R506NH,L1Q
Toshiba
1:
S/5.68
15,817 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH7R506NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
15,817 En existencias
1
S/5.68
10
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S/3.11
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S/2.07
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Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
60 V
55 A
6.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú