TPW2900ENH,L1Q
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757-TPW2900ENHL1Q
TPW2900ENH,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos:
En existencias: 1,454
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Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| S/11.56 | S/11.56 | |
| S/8.52 | S/85.20 | |
| S/6.19 | S/619.00 | |
| S/5.76 | S/2,880.00 | |
| S/5.33 | S/5,330.00 | |
| S/5.06 | S/12,650.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| S/4.67 | S/23,350.00 | |
| S/4.63 | S/46,300.00 | |
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of CMOS Logic ICs
- C2MOS LOGIC IC Product Guide STD Series
- CMOS Logic ICs Selection Guide
- CMOS Logic ICs Usage Considerations
- Glossary of CMOS Logic IC Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
