Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
TPCA8120,L1Q
Toshiba
1:
S/6.07
5,354 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPCA8120L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
5,354 En existencias
1
S/6.07
10
S/3.87
100
S/2.58
500
S/2.11
1,000
Ver
1,000
S/1.85
2,500
S/1.70
5,000
S/1.55
10,000
S/1.53
Comprar
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
30 V
45 A
4 mOhms
- 25 V, 20 V
2 V
190 nC
+ 150 C
45 W
Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/16.15
46,556 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,556 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
P-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.8 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
460 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
SSM6N15AFU,LF
Toshiba
1:
S/1.21
369,132 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N15AFULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
369,132 En existencias
1
S/1.21
10
S/0.74
100
S/0.463
500
S/0.343
3,000
S/0.241
6,000
Ver
1,000
S/0.292
6,000
S/0.218
9,000
S/0.183
24,000
S/0.179
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
30 V
100 mA
3.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
- 55 C
+ 150 C
300 mW
Enhancement
U-MOSIII
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.79
282,583 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
282,583 En existencias
1
S/1.79
10
S/1.11
100
S/0.705
500
S/0.529
4,000
S/0.30
8,000
Ver
1,000
S/0.428
2,000
S/0.413
8,000
S/0.292
24,000
S/0.276
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
80 mA, 720 mA
240 mOhms, 300 mOhms
- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V
350 mV, 1 V
2 nC, 1.76 nC
- 55 C
+ 150 C
150 mW
Enhancement
U-MOSIII / U-MOSV
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
1:
S/18.14
26,382 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
26,382 En existencias
1
S/18.14
10
S/12.03
100
S/8.52
500
S/7.94
1,000
S/6.46
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
N-Channel
1 Channel
100 V
160 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
122 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
TPH2R408QM,L1Q
Toshiba
1:
S/9.42
89,001 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH2R408QM,L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
89,001 En existencias
1
S/9.42
10
S/6.07
100
S/4.16
500
S/3.31
1,000
Ver
5,000
S/2.75
1,000
S/3.16
2,500
S/2.93
5,000
S/2.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.43 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
87 nC
+ 175 C
210 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.89
56,524 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,524 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.13
100
S/2.80
500
S/2.28
1,000
Ver
5,000
S/1.82
1,000
S/2.12
2,500
S/2.08
5,000
S/1.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
20 A
23.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
SSM6K341NU,LF
Toshiba
1:
S/2.69
590,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K341NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
590,951 En existencias
1
S/2.69
10
S/1.67
100
S/1.10
500
S/0.841
3,000
S/0.627
6,000
Ver
1,000
S/0.736
6,000
S/0.572
9,000
S/0.498
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
1 Channel
60 V
6 A
28 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
9.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
TK160F10N1L,LQ
Toshiba
1:
S/10.51
18,984 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
18,984 En existencias
1
S/10.51
10
S/8.49
100
S/6.19
500
S/6.07
1,000
S/5.14
5,000
S/4.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-220SMW-3
N-Channel
1 Channel
100 V
160 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
122 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
TK31V60X,LQ
Toshiba
1:
S/25.42
4,913 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK31V60XLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
4,913 En existencias
1
S/25.42
10
S/17.17
100
S/14.21
500
S/14.17
1,000
Ver
2,500
S/11.60
1,000
S/12.85
2,500
S/11.60
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
30.8 A
78 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
240 W
Enhancement
DTMOSIV-H
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.18
45,634 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45,634 En existencias
1
S/5.18
10
S/3.29
100
S/2.18
500
S/1.70
2,000
S/1.39
4,000
Ver
1,000
S/1.54
4,000
S/1.23
10,000
S/1.22
24,000
S/1.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
8 A
104 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
19 nC
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPH1R306P1,L1Q
Toshiba
1:
S/10.67
25,255 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R306P1L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
25,255 En existencias
1
S/10.67
10
S/7.82
100
S/5.61
500
S/4.79
1,000
Ver
5,000
S/3.89
1,000
S/4.44
2,500
S/4.20
5,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
U-MOSIX-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
SSM6L40TU,LF
Toshiba
1:
S/2.37
143,935 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L40TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
143,935 En existencias
1
S/2.37
10
S/1.46
100
S/0.934
500
S/0.705
3,000
S/0.436
6,000
Ver
1,000
S/0.623
6,000
S/0.416
9,000
S/0.389
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
UF-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
1.6 A, 1.4 A
122 mOhms, 226 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 2 V
5.1 nC, 2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSIII
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
1:
S/13.04
14,835 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW1500CNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
14,835 En existencias
1
S/13.04
10
S/8.49
100
S/5.92
500
S/5.10
1,000
Ver
5,000
S/4.13
1,000
S/4.67
2,500
S/4.44
5,000
S/4.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
15.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
142 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
S/10.47
26,128 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
26,128 En existencias
1
S/10.47
10
S/6.77
100
S/4.67
500
S/3.75
1,000
Ver
2,000
S/3.10
1,000
S/3.57
2,000
S/3.10
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
103 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
TPH3R70APL,L1Q
Toshiba
1:
S/9.19
43,046 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH3R70APLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
43,046 En existencias
1
S/9.19
10
S/5.92
100
S/4.05
500
S/3.22
1,000
Ver
5,000
S/2.57
1,000
S/3.06
2,500
S/2.93
5,000
S/2.57
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
150 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
U-MOSIX-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1:
S/14.52
23,774 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPWR6003PLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
23,774 En existencias
1
S/14.52
10
S/10.24
100
S/7.28
500
S/6.58
1,000
Ver
5,000
S/5.33
1,000
S/6.23
2,500
S/6.03
5,000
S/5.33
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
150 A
840 uOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
U-MOSIX-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
SSM3J134TU,LF
Toshiba
1:
S/2.10
15,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J134TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
15,000 En existencias
1
S/2.10
10
S/1.28
100
S/0.817
500
S/0.615
3,000
S/0.452
6,000
Ver
1,000
S/0.549
6,000
S/0.416
9,000
S/0.366
24,000
S/0.339
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
UFM-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.2 A
93 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
SSM6J212FE,LF
Toshiba
1:
S/2.02
16,109 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J212FELF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
16,109 En existencias
1
S/2.02
10
S/1.56
100
S/1.04
500
S/0.817
4,000
S/0.522
8,000
Ver
1,000
S/0.677
2,000
S/0.634
8,000
S/0.502
24,000
S/0.487
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
ES6-6
P-Channel
1 Channel
20 V
4 A
94 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
14.1 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.23
4,265 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,265 En existencias
1
S/6.23
10
S/3.93
100
S/2.64
500
S/2.08
2,000
S/1.69
4,000
Ver
1,000
S/1.90
4,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
26 nC
+ 175 C
88.2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.66
2,614 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,614 En existencias
1
S/6.66
10
S/4.71
100
S/3.25
500
S/2.60
2,000
S/2.14
4,000
Ver
1,000
S/2.39
4,000
S/1.99
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
6.3 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
125 nC
+ 175 C
90 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W
+1 imagen
TPC8132,LQ(S
Toshiba
1:
S/6.07
6,733 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPC8132LQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W
6,733 En existencias
1
S/6.07
10
S/3.88
100
S/2.58
500
S/2.04
2,500
S/1.63
5,000
Ver
1,000
S/1.85
5,000
S/1.55
10,000
S/1.47
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
7 A
33 mOhms
- 25 V, 20 V
2 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
+1 imagen
TPC8133,LQ(S
Toshiba
1:
S/8.25
2,409 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPC8133LQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
2,409 En existencias
1
S/8.25
10
S/5.29
100
S/3.57
500
S/2.85
2,500
S/2.28
5,000
Ver
1,000
S/2.66
5,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
9 A
18 mOhms
1.9 W
U-MOSVI
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F
+1 imagen
SSM6P816R,LF
Toshiba
1:
S/2.96
7,608 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6P816RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F
7,608 En existencias
1
S/2.96
10
S/1.83
100
S/1.18
500
S/0.899
3,000
S/0.67
6,000
Ver
1,000
S/0.81
6,000
S/0.615
9,000
S/0.596
24,000
S/0.529
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
SSM6L09FUTE85LF
Toshiba
1:
S/1.83
691,910 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L09FUTE85LF
Fin de vida útil
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
691,910 En existencias
1
S/1.83
10
S/1.14
100
S/0.724
500
S/0.545
3,000
S/0.362
6,000
Ver
1,000
S/0.479
6,000
S/0.358
9,000
S/0.308
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
400 mA, 200 mA
4 Ohms
- 20 V, 20 V
1.8 V
- 55 C
+ 150 C
300 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú