TPH8R80ANH,L1Q
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757-TPH8R80ANHL1Q
TPH8R80ANH,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
Hoja de datos:
En existencias: 8,893
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| S/9.73 | S/9.73 | |
| S/6.31 | S/63.10 | |
| S/4.32 | S/432.00 | |
| S/3.44 | S/1,720.00 | |
| S/3.23 | S/3,230.00 | |
| S/2.99 | S/7,475.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| S/2.78 | S/13,900.00 | |
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
Application Notes
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Simple Guide to Improving Ripple Rejection Ratio of LDO Regulators
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
