.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

U-MOSVIII-H Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 108

Filtros aplicados:

Nombre comercial = U-MOSVIII-H

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: S/2.69
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6K341NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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S/2.69

S/1.67

S/1.10

S/0.841

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S/0.627

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET

TK160F10N1L,LQ
Toshiba
1: S/10.51
18,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK160F10N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK160F10N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET

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S/10.51

S/8.49

S/6.19

S/6.07

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S/5.14

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-220SMW-3

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

122 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
1: S/13.04
14,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1500CNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1500CNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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S/13.04

S/8.49

S/5.92

S/5.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

SSM6N815R,LF
Toshiba
1: S/2.80
17,992En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6N815R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N815RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V

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S/2.80

S/1.72

S/1.11

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.631

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

100 V

2 A

84 mOhms, 84 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

TK55S10N1,LQ
Toshiba
1: S/14.21
1,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK55S10N1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

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S/14.21

S/9.30

S/6.54

S/5.72

S/5.25

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S/4.63

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC

TPH1400ANH,L1Q
Toshiba
1: S/7.90
5,953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1400ANH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1400ANHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC

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S/7.90

S/5.06

S/3.41

S/2.71

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S/2.09

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Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

U-MOSVIII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET

TPH2R306NH,L1Q
Toshiba
1: S/9.73
6,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R306NH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R306NHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET

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S/9.73

S/6.31

S/4.32

S/3.44

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S/2.78

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

TPH1R403NL,L1Q
Toshiba
1: S/6.23
7,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R403NL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R403NLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

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S/6.23

S/4.16

S/2.81

S/2.67

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S/2.26

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP

TPWR8503NL,L1Q
Toshiba
1: S/13.47
4,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR8503NL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR8503NLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP

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S/13.47

S/8.80

S/6.15

S/5.33

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S/4.32

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

TPN3300ANH,LQ
Toshiba
1: S/6.42
22,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN3300ANH,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPN3300ANHLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

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Cinta cortada

S/6.42

S/4.09

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.67

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

21 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

TPN2R703NL,L1Q
Toshiba
1: S/6.81
19,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN2R703NL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN2R703NLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

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Cinta cortada

S/6.81

S/4.36

S/2.90

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.76

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

45 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPW2900ENH,L1Q
Toshiba
1: S/11.56
1,454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW2900ENH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW2900ENHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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S/11.56

S/8.52

S/6.19

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.67

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

200 V

36 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK

TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/13.62
3,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK

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3,703En existencias

Cinta cortada

S/13.62

S/8.87

S/6.23

S/5.41

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.40

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 40A

TK40S06N1L,LQ
Toshiba
1: S/3.89
12,579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK40S06N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK40S06N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 40A

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12,579En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.93

S/2.03

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.38

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

88.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPH1500CNH,L1Q
Toshiba
1: S/9.46
11,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1500CNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1500CNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Cinta cortada

S/9.46

S/6.70

S/4.67

S/3.80

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S/3.10

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

38 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC

TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba
1: S/9.73
8,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH8R80ANH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH8R80ANHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC

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8,893En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.31

S/4.32

S/3.44

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S/2.78

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

TPHR9003NL,L1Q
Toshiba
1: S/9.96
3,827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR9003NL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9003NLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

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3,827En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/7.28

S/5.14

S/4.28

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Envase tipo carrete

S/3.48

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

TPN5900CNH,L1Q
Toshiba
1: S/4.98
4,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN5900CNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN5900CNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

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Cinta cortada

S/4.98

S/3.36

S/2.30

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.88

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SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET

TPH5R906NH,L1Q
Toshiba
1: S/6.38
3,933En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH5R906NH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH5R906NHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET

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3,933En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.48

S/3.31

S/3.15

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Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

TPN4R303NL,L1Q
Toshiba
1: S/4.44
13,766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN4R303NL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN4R303NLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

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13,766En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/3.20

S/2.24

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.50

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

14.8 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

TPN7R506NH,L1Q
Toshiba
1: S/6.03
28,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN7R506NH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN7R506NHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

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Hoja de datos

28,266En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.81

S/2.54

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53 A

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- 20 V, 20 V

4 V

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+ 150 C

42 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V

TPW4R50ANH,L1Q
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100 V

92 A

4.5 mOhms

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- 55 C

+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=57W F=1MHZ

TK25S06N1L,LQ
Toshiba
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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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U-MOSVIII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET

TPH4R606NH,L1Q
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET

TPH7R506NH,L1Q
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55 A

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U-MOSVIII-H Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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3.5 A
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19 A
21 A
22 A
25 A
26 A
27 A
29 A
30 A
31 A
32 A

1 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.8 mOhms
4 mOhms
4.3 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
5.2 mOhms

3.1 nC
3.2 nC
7 nC
7.1 nC
7.5 nC
9.3 nC
9.8 nC
10 nC
10.6 nC
11 nC
11.2 nC
12 nC
14.8 nC
15 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
21 nC
22 nC

1 W
1.2 W
1.25 W
1.4 W
1.6 W
1.9 W
18 W
19 W
21 W
22 W
24 W
25 W
27 W
30 W
32 W
34 W
35 W
36 W
39 W
40 W