TPN4R303NL,L1Q
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757-TPN4R303NLL1Q
TPN4R303NL,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
Hoja de datos:
En existencias: 13,766
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| S/4.44 | S/4.44 | |
| S/3.20 | S/32.00 | |
| S/2.24 | S/224.00 | |
| S/1.94 | S/970.00 | |
| S/1.77 | S/1,770.00 | |
| S/1.72 | S/4,300.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| S/1.50 | S/7,500.00 | |
| S/1.44 | S/36,000.00 | |
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of CMOS Logic ICs
- C2MOS LOGIC IC Product Guide HC Series
- CMOS Logic ICs Selection Guide
- CMOS Logic ICs Usage Considerations
- Glossary of CMOS Logic IC Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
