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STMicroelectronics MOSFETs de SiC

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Resultados: 69

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/48.73
57En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT055W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Obtenga más información

Hoja de datos

57En existencias

S/48.73

S/39.66

S/33.05

S/24.06

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/47.37
85En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT070H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

85En existencias

Cinta cortada

S/47.37

S/33.16

S/28.53

S/28.49

Envase tipo carrete

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/53.13
73En existencias
1,200Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT070HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

73En existencias

1,200Se espera el 16/03/2026

Cinta cortada

S/53.13

S/37.21

S/32.93

Envase tipo carrete

S/26.86

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: S/34.57
592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT1000N170

N.º de artículo de Mouser
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

592En existencias

S/34.57

S/23.67

S/17.48

S/15.34

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: S/61.89
510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT20N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

Obtenga más información

Hoja de datos

510En existencias

S/61.89

S/45.66

S/31.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: S/113.51
1,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTL90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Obtenga más información

Hoja de datos

1,597En existencias

Cinta cortada

S/113.51

S/86.84

Envase tipo carrete

S/70.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: S/66.95
593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Obtenga más información

Hoja de datos

593En existencias

S/66.95

S/41.53

S/36.28

S/36.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

SCTW100N65G2AG
STMicroelectronics
1: S/99.76
317En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCTW100N65G2AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW100N65G2AG

NRND

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Obtenga más información

Hoja de datos

317En existencias

S/99.76

S/88.52

S/87.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

69 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

162 nC

- 55 C

+ 200 C

420 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: S/68.35
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA40N12G24AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

S/68.35

S/48.58

S/37.45

S/37.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/66.80
9En existencias
2,000Se espera el 12/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT025H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

9En existencias

2,000Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

S/66.80

S/47.41

S/44.26

Envase tipo carrete

S/36.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
1: S/112.45
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA90N65G2V-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

151En existencias

S/112.45

S/85.71

S/79.13

S/68.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
1: S/114.87
28En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA70N120G2V-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA70N120G2V-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

28En existencias

S/114.87

S/82.33

S/80.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HIP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/94.32
600Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT015W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

600Se espera el 27/07/2026

S/94.32

S/77.19

S/68.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/70.73
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,200En pedido

S/70.73

S/56.64

S/48.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: S/52.59
400Se espera el 21/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027HU65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Obtenga más información

Hoja de datos

400Se espera el 21/12/2026

Cinta cortada

S/52.59

S/39.24

S/33.94

Envase tipo carrete

S/32.15

S/27.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/49.36
996Se espera el 22/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

996Se espera el 22/04/2026

Cinta cortada

S/49.36

S/34.60

S/30.09

S/30.05

Envase tipo carrete

S/24.56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: S/48.70
1,113Se espera el 10/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT055HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,113Se espera el 10/03/2026

Cinta cortada

S/48.70

S/34.33

S/29.78

Envase tipo carrete

S/24.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: S/35.73
844Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT10N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

Obtenga más información

Hoja de datos

844Se espera el 26/10/2026

S/35.73

S/20.24

S/16.08

S/16.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: S/65.32
100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT025H120G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025H120G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

100En pedido

Cinta cortada

S/65.32

S/50.52

S/43.67

Envase tipo carrete

S/43.67

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/44.30
100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

100En pedido

S/44.30

S/36.08

S/30.05

S/26.78

S/22.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

SCTWA90N65G2V
STMicroelectronics
1: S/109.89
69Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

Obtenga más información

Hoja de datos

69Se espera el 16/03/2026

S/109.89

S/71.19

S/68.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
1,000: S/63.06
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT011H75G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT011H75G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/63.06

Ver

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

SCT014HU65G3AG
STMicroelectronics
600: S/55.08
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT014HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT014HU65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/55.08

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

SCT014TO65G3
STMicroelectronics
1,800: S/42.74
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT014TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT014TO65G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

S/42.74

Min.: 1,800
Mult.: 1,800

Carrete: 1,800

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: S/38.34
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/38.34

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

STMicroelectronics MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W