SCTW100N65G2AG
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511-SCTW100N65G2AG
SCTW100N65G2AG
Fabricante:
Descripción:
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
En existencias: 317
-
Existencias:
-
317 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 317 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/134.25 | S/134.25 | |
| S/100.12 | S/1,001.20 |
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
