SCTWA90N65G2V-4
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511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Fabricante:
Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos:
En existencias: 111
-
Existencias:
-
111 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 111 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/113.35 | S/113.35 | |
| S/85.71 | S/857.10 | |
| S/82.05 | S/8,205.00 | |
| 600 | Presupuesto |
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