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STMicroelectronics MOSFETs de SiC

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Resultados: 59

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac SCTL35N65G2V STMicroelectronics 1: S/70.84 2,265En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCTL35N65G2V N.º de artículo de Mouser 511-SCTL35N65G2V	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm hb igbt	Hoja de datos	2,265En existencias	Cinta cortada S/70.84 S/43.75 S/41.42 Envase tipo carrete S/41.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-5	1 Channel	650 V	40 A	67 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	417 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A SCT019HU120G3AG STMicroelectronics 1: S/86.10 8En existencias 600Se espera el 30/07/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT019HU120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT019HU120G3AG Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	8En existencias 600Se espera el 30/07/2027	Cinta cortada S/86.10 S/61.70 S/54.30 Envase tipo carrete S/49.86	Min.: 1 Mult.: 1 : 600														AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: S/92.64 558En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT012W90G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	558En existencias	S/92.64 S/55.04 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/103.27 443En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT015W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	443En existencias	S/103.27 S/64.58	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/78.75 226En existencias 600Se espera el 16/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT020W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	226En existencias 600Se espera el 16/07/2027	S/78.75 S/47.41	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: S/52.98 514En existencias 1,000Se espera el 9/03/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT027H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	514En existencias 1,000Se espera el 9/03/2027	Cinta cortada S/52.98 S/30.13 S/30.05 Envase tipo carrete S/28.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/55.04 187En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT027W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT027W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	187En existencias	S/55.04 S/36.86 S/34.18 S/29.08	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	60 A	29 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	51 nC	- 55 C	+ 200 C	313 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: S/53.05 917En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	917En existencias	Cinta cortada S/53.05 S/30.17 S/30.09 Envase tipo carrete S/28.45	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/54.77 683En existencias 600Se espera el 19/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	683En existencias 600Se espera el 19/02/2027	S/54.77 S/37.33 S/32.70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: S/45.27 457En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	457En existencias	S/45.27 S/24.80 S/23.12	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/52.24 429En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	429En existencias	S/52.24 S/34.88 S/32.39 S/27.91	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: S/35.62 1,404En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT055TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	1,404En existencias	Cinta cortada S/35.62 S/19.50 S/18.26 S/16.89 Envase tipo carrete S/16.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac SCTL90N65G2V STMicroelectronics 1: S/121.45 1,221En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCTL90N65G2V N.º de artículo de Mouser 511-SCTL90N65G2V	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	1,221En existencias	Cinta cortada S/121.45 S/86.84 S/82.25 Envase tipo carrete S/82.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-5	1 Channel	650 V	40 A	18 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	157 nC	- 55 C	+ 175 C	935 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: S/88.59 11En existencias 1,200Se espera el 19/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT020HU120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	11En existencias 1,200Se espera el 19/02/2027	Cinta cortada S/88.59 S/60.84 S/55.90 Envase tipo carrete S/50.60 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/82.13 45En existencias 1,200En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT025W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	45En existencias 1,200En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SCT025W120G3-4AG Existencias: 45 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 600 Se espera el 16/04/2027 600 Se espera el 4/06/2027 Plazo de entrega de fábrica: 36 Semanas	S/82.13 S/56.67 S/51.73 S/47.57	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: S/73.76 40En existencias 600Se espera el 7/05/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT025W120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	40En existencias 600Se espera el 7/05/2027	S/73.76 S/45.89 S/43.05	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: S/54.07 24En existencias 600Se espera el 14/05/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040W120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	24En existencias 600Se espera el 14/05/2027	S/54.07 S/37.99 S/29.00	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/53.72 20En existencias 1,200Se espera el 30/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT070W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	20En existencias 1,200Se espera el 30/07/2027	S/53.72 S/35.89 S/33.75 S/30.28 S/28.45	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: S/49.24 576En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	576En existencias	Cinta cortada S/49.24 S/28.73 S/28.38 S/26.94 Envase tipo carrete S/24.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an SCT20N120AG STMicroelectronics 1: S/66.60 326En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT20N120AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT20N120AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	326En existencias	S/66.60 S/47.22 S/35.15 S/31.53 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	20 A	239 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.5 V	45 nC	- 55 C	+ 200 C	175 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: S/64.50 1En existencias 1,000Se espera el 5/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT018H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	1En existencias 1,000Se espera el 5/02/2027	Cinta cortada S/64.50 S/38.77 Envase tipo carrete S/36.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: S/40.09 8En existencias 1,800Se espera el 19/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	8En existencias 1,800Se espera el 19/02/2027	Cinta cortada S/40.09 S/25.15 S/22.97 S/19.73 Envase tipo carrete S/19.73	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: S/78.51 5En existencias 600Se espera el 19/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SCTW40N120G2VAG N.º de artículo de Mouser 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	5En existencias 600Se espera el 19/02/2027	S/78.51 S/42.04	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A SCT011H75G3AG STMicroelectronics 1: S/98.64 988Se espera el 2/04/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT011H75G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT011H75G3AG Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A	Hoja de datos	988Se espera el 2/04/2027	Cinta cortada S/98.64 S/84.04 S/72.56 S/69.21 Envase tipo carrete S/61.85	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000														AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: S/106.93 1,200Se espera el 12/03/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT011HU75G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT011HU75G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,200Se espera el 12/03/2027	Cinta cortada S/106.93 S/80.34 S/73.76 Envase tipo carrete S/67.73 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101