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SCT027HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027HU65G3AG
Price: 52.59 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCT027HU65G3AG

Fabricante N.º:

SCT027HU65G3AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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	S/52.59	S/52.59
	S/39.24	S/392.40
	S/33.94	S/3,394.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
	S/32.15	S/19,290.00
	S/27.29	S/32,748.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Marca:	STMicroelectronics
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.