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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP

BLP05H9S500PY
Ampleon
1: S/275.36
118En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP05H9S500PY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP05H9S500PY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP

Hoja de datos

118En existencias

Cinta cortada

S/275.36

S/222.30

S/219.50

S/219.38

Envase tipo carrete

S/199.53

Ver

MouseReel Disponible

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N-Channel

LDMOS

50 V

120 mOhms

423 MHz to 443 MHz

25.2 dB

500 W

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-780-4F-1-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

BLP15H9S100GXY
Ampleon
1: S/98.71
125En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

Hoja de datos

125En existencias

Cinta cortada

S/98.71

S/87.74

S/81.86

S/79.29

Envase tipo carrete

S/75.32

Ver

MouseReel Disponible

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N-Channel

LDMOS

50 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

BLP15H9S100GZ
Ampleon
1: S/104.16
475En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

Hoja de datos

475En existencias

Cinta cortada

S/104.16

S/83.18

S/77.93

S/77.85

Ver

Envase tipo carrete

S/68.16

MouseReel Disponible

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N-Channel

LDMOS

50 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

100 W

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SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

BLP15H9S100XY
Ampleon
1: S/98.71
260En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

Hoja de datos

260En existencias

Cinta cortada

S/98.71

S/87.74

S/81.86

S/79.29

Envase tipo carrete

S/75.32

Ver

MouseReel Disponible

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LDMOS

50 V

30 mOhms

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19 dB

100 W

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TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

BLP15H9S100Z
Ampleon
1: S/103.42
292En existencias
500Se espera el 29/04/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

Hoja de datos

292En existencias

500Se espera el 29/04/2026

Cinta cortada

S/103.42

S/80.96

S/75.20

S/75.16

Ver

Envase tipo carrete

S/65.90

MouseReel Disponible

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N-Channel

LDMOS

50 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

100 W

+ 225 C

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TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL

BLP15H9S10GZ
Ampleon
1: S/85.91
310En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S10GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S10GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL

Hoja de datos

310En existencias

Cinta cortada

S/85.91

S/66.76

S/61.85

S/61.81

Ver

Envase tipo carrete

S/57.45

MouseReel Disponible

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N-Channel

LDMOS

50 V

3.2 Ohms

2 GHz

21 dB

10 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL

BLP15H9S10XY
Ampleon
1: S/79.91
125En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S10XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S10XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL

Hoja de datos

125En existencias

Cinta cortada

S/79.91

S/71.00

S/66.25

S/64.19

Envase tipo carrete

S/60.96

Ver

MouseReel Disponible

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N-Channel

LDMOS

50 V

3.2 Ohms

2 GHz

21 dB

10 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

BLP15H9S30GZ
Ampleon
1: S/89.92
741Se espera el 27/02/2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S30GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

741Se espera el 27/02/2026

Cinta cortada

S/89.92

S/70.18

S/65.00

S/64.97

Ver

Envase tipo carrete

S/56.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
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N-Channel

LDMOS

50 V

890 mOhms

2 GHz

21 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL

BLP15M9S100GZ
Ampleon
1: S/102.57
643En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S100GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S100GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL

Hoja de datos

643En existencias

Cinta cortada

S/102.57

S/78.39

S/72.05

S/72.01

Ver

Envase tipo carrete

S/63.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

143 mOhms

1.5 GHz

16 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100/TO270/REEL

BLP15M9S100Z
Ampleon
1: S/103.15
325En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S100Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S100Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100/TO270/REEL

Hoja de datos

325En existencias

Cinta cortada

S/103.15

S/80.96

S/75.20

S/71.35

Ver

Envase tipo carrete

S/65.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

143 mOhms

1.5 GHz

17.5 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL

BLP15M9S30Z
Ampleon
1: S/94.55
425En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S30Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL

Hoja de datos

425En existencias

Cinta cortada

S/94.55

S/74.19

S/68.82

S/68.74

Ver

Envase tipo carrete

S/59.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

370 mOhms

2 GHz

19.3 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP

BLP2425M10S250PY
Ampleon
1: S/249.63
113En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP2425M10S250PY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP2425M10S250PY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP

Hoja de datos

113En existencias

Cinta cortada

S/249.63

S/195.44

S/195.36

Envase tipo carrete

S/181.82

S/178.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

95 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

15 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-780-4F-1-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP

BLP9G0722-20GZ
Ampleon
1: S/76.95
1,021En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9G0722-20GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9G0722-20GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP

Hoja de datos

1,021En existencias

Cinta cortada

S/76.95

S/60.49

S/56.29

S/56.25

Ver

Envase tipo carrete

S/48.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

500 mOhms

100 MHz to 2.7 GHz

19 dB

20 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1483-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP

BLP9H10S-350AY
Ampleon
1: S/214.59
74En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9H10S-350AY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-350AY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP

Hoja de datos

74En existencias

Cinta cortada

S/214.59

S/169.28

S/164.54

S/155.47

Envase tipo carrete

S/155.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

48 V

250 mOhms, 370 mOhms

600 MHz to 960 MHz

18.6 dB

350 W

- 40 C

+ 125 C

SMD/SMT

OMP-780-4F-1-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP

BLP9H10S-500AWTY
Ampleon
1: S/206.03
57En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9H10S-500AWTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-500AWTY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP

Hoja de datos

57En existencias

Cinta cortada

S/206.03

S/156.98

S/156.91

Envase tipo carrete

S/142.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

48 V

174 mOhms, 250 mOhms

600 MHz to 960 MHz

19 dB

500 W

- 40 C

+ 125 C

SMD/SMT

OMP-780-6F-1-7

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY

BLS9G2735L-50U
Ampleon
1: S/447.25
85En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLS9G2735L-50U

N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2735L-50U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY

Hoja de datos

85En existencias

S/447.25

S/418.48

S/405.09

S/395.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

300 mOhms

2.7 GHz to 3.5 GHz

12 dB

50 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT1135A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY

BLS9G3135L-400U
Ampleon
1: S/1,407.22
43En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLS9G3135L-400U

N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135L-400U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY

Hoja de datos

43En existencias

S/1,407.22

S/1,181.26

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

26 mOhms

3.1 GHz to 3.5 GHz

11 dB

400 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT502A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: S/172.32
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Obtenga más información

Hoja de datos

253En existencias

S/172.32

S/140.17

S/125.81

S/121.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

MWT-5F
CML Micro
1: S/271.74
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
MWT-5F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-5F

NRND

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

Hoja de datos

20En existencias

S/271.74

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

26 GHz

19 dB

21 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

MWT-9F
CML Micro
1: S/269.94
10En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
MWT-9F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-9F

NRND

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

Hoja de datos

10En existencias

S/269.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

18 GHz

11 dB

26.5 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: S/101.44
549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

549En existencias

Cinta cortada

S/101.44

S/81.24

S/76.22

S/70.65

Ver

Envase tipo carrete

S/63.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF461BG
Microchip Technology
1: S/230.51
54En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF461BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF461BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

54En existencias

S/230.51

S/195.09

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6.5 A

1 kV

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174

VRF141
Microchip Technology
1: S/272.63
27En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF141

N.º de artículo de Mouser
494-VRF141

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

27En existencias

S/272.63

S/230.67

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

80 V

175 MHz

22 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

MHT1803B
NXP Semiconductors
1: S/172.90
368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803B

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

368En existencias

S/172.90

S/140.67

S/131.96

S/125.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

300 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

NVJD5121NT1G-M06
onsemi
1: S/1.60
29,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVJD5121NT1G-M06

N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06

onsemi

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

Hoja de datos

29,430En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/0.981

S/0.619

S/0.463

Envase tipo carrete

S/0.315

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5