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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,353

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/13.00
1,283En existencias

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STB6NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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Cinta cortada

S/13.00

S/8.49

S/5.92

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.36

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Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

STB80NF10T4
STMicroelectronics
1: S/13.97
1,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

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Cinta cortada

S/13.97

S/9.15

S/6.38

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.79

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

STD15NF10T4
STMicroelectronics
1: S/5.22
9,433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD15NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

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9,433En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/3.78

S/2.77

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.68

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

STD2NK90ZT4
STMicroelectronics
1: S/9.07
5,527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

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Cinta cortada

S/9.07

S/6.42

S/4.40

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.01

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Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

2.1 A

6.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.32
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

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S/10.32

S/4.83

S/4.16

S/3.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

900 V

2.1 A

6.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

STD4NK100Z
STMicroelectronics
1: S/12.30
7,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

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Cinta cortada

S/12.30

S/8.02

S/5.57

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.2 A

6.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60T4
STMicroelectronics
1: S/11.72
1,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

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Cinta cortada

S/11.72

S/7.63

S/5.25

S/4.40

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET

STD65N55F3
STMicroelectronics
1: S/11.48
2,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD65N55F3

N.º de artículo de Mouser
511-STD65N55F3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET

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Cinta cortada

S/11.48

S/7.43

S/5.14

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.49

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33.5 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

STD8N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.87
4,758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

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4,758En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/7.71

S/5.33

S/4.48

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

STD9NM50N
STMicroelectronics
1: S/7.32
7,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

Hoja de datos

7,196En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.14

S/2.49

Envase tipo carrete

S/1.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.5 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

STF20N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.74
5,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

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Hoja de datos

5,856En existencias

S/13.74

S/6.27

S/5.84

S/5.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/19.66
2,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,895En existencias

Cinta cortada

S/19.66

S/13.08

S/9.34

S/8.87

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

STL105N4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/8.06
5,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

Hoja de datos

5,672En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.48

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

STL130N8F7
STMicroelectronics
1: S/6.46
7,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL130N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

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Hoja de datos

7,064En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/5.72

S/5.29

S/5.10

Ver

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.76
3,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Hoja de datos

3,326En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.63

S/5.29

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.86

S/3.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

355 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/15.96
7,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Hoja de datos

7,722En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/10.47

S/7.47

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP11NM80
STMicroelectronics
1: S/17.83
1,973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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Hoja de datos

1,973En existencias

S/17.83

S/12.57

S/11.91

S/11.02

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STP14NK50Z
STMicroelectronics
1: S/20.05
681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

681En existencias

S/20.05

S/8.41

S/7.94

S/7.71

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A

STP14NK60ZFP
STMicroelectronics
1: S/19.23
761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK60ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK60ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A

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Hoja de datos

761En existencias

S/19.23

S/8.95

S/7.79

S/7.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.5 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STP15N95K5
STMicroelectronics
1: S/19.00
934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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Hoja de datos

934En existencias

S/19.00

S/12.46

S/9.73

S/8.72

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

12 A

410 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP20N90K5
STMicroelectronics
1: S/20.44
1,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

1,647En existencias

S/20.44

S/14.29

S/13.66

S/13.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STP21N90K5
STMicroelectronics
1: S/28.10
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STP21N90K5

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511-STP21N90K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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S/14.17

S/11.99

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

STP270N8F7
STMicroelectronics
1: S/20.51
839En existencias

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STP270N8F7

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511-STP270N8F7

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

STP34NM60ND
STMicroelectronics
1: S/23.98
668En existencias

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STP34NM60ND

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511-STP34NM60ND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

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S/22.93

S/22.07

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

80.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

STP55NF06
STMicroelectronics
1: S/7.16
5,882En existencias

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STP55NF06

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511-STP55NF06

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S/3.46

S/2.87

S/2.48

S/2.27

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.5 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W