GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1:
S/10.12
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N.º de artículo de Mouser 511-SGT350R70GTK
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STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
711 En existencias
1
S/10.12
10
S/6.54
100
S/4.67
500
S/3.93
2,500
S/3.18
5,000
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S/3.71
5,000
S/3.15
10,000
S/3.07
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
DPAK-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1:
S/30.13
210 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
210 En existencias
1
S/30.13
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S/21.25
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S/21.25
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
STWA60N035M9
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1:
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300 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N035M9
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
300 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
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1:
S/22.42
210 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-ST8L65N065DM9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
210 En existencias
1
S/22.42
10
S/17.94
3,000
S/17.94
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
S/78.12
252 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
252 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
1
S/78.12
10
S/64.27
100
S/55.58
600
S/55.58
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Detalles
SiC MOSFETS
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1:
S/44.06
969 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
969 En existencias
1
S/44.06
10
S/30.56
100
S/25.81
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S/21.06
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
1:
S/23.36
1,142 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA50M120DF3
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IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
1,142 En existencias
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
1:
S/8.25
4,718 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
4,718 En existencias
1
S/8.25
10
S/6.11
100
S/4.94
500
S/4.67
3,000
S/4.52
6,000
S/4.01
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Detalles
MOSFETs
Si
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
STP65N045M9
STMicroelectronics
1:
S/31.41
542 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP65N045M9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
542 En existencias
1
S/31.41
10
S/17.48
100
S/16.08
500
S/13.90
1,000
S/13.86
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
STMicroelectronics
1:
S/43.32
6,633 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
6,633 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/43.32
10
S/30.17
100
S/27.75
400
S/27.71
1,200
Ver
1,200
S/26.94
10,000
Presupuesto
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
+2 imágenes
STN3P6F6
STMicroelectronics
1:
S/5.33
44,550 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STN3P6F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
44,550 En existencias
1
S/5.33
10
S/2.72
100
S/1.93
500
S/1.61
1,000
Ver
4,000
S/1.23
1,000
S/1.46
2,000
S/1.41
4,000
S/1.23
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
STP45N65M5
STMicroelectronics
1:
S/27.99
4,094 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP45N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
4,094 En existencias
1
S/27.99
10
S/17.91
100
S/16.70
500
S/14.56
1,000
Ver
1,000
S/14.52
10,000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STP60N043DM9
STMicroelectronics
1:
S/41.61
931 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP60N043DM9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
931 En existencias
1
S/41.61
10
S/23.47
100
S/21.68
500
S/19.77
1,000
S/19.73
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
S/66.41
1,497 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,497 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/66.41
10
S/41.77
100
S/38.89
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.53
42,415 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
42,415 En existencias
1
S/5.53
10
S/3.49
100
S/2.32
500
S/1.81
3,000
S/1.44
6,000
Ver
1,000
S/1.65
6,000
S/1.37
9,000
S/1.32
24,000
S/1.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
STL60N10F7
STMicroelectronics
1:
S/7.28
27,500 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL60N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
27,500 En existencias
1
S/7.28
10
S/4.67
100
S/3.12
500
S/2.47
1,000
S/2.28
3,000
S/2.08
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
S/50.49
1,549 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1,549 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/50.49
10
S/35.73
100
S/34.18
400
S/34.14
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060-E
STMicroelectronics
1:
S/221.48
872 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD57060-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
872 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
+2 imágenes
STN3NF06L
STMicroelectronics
1:
S/6.19
48,695 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STN3NF06L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
48,695 En existencias
1
S/6.19
10
S/3.89
100
S/2.62
500
S/2.06
4,000
S/1.57
8,000
Ver
1,000
S/1.88
2,000
S/1.73
8,000
S/1.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
S/16.78
2,575 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,575 En existencias
1
S/16.78
10
S/11.05
100
S/7.82
500
S/7.16
2,500
S/6.03
5,000
Ver
1,000
S/7.12
5,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
STL120N10F8
STMicroelectronics
1:
S/10.08
5,758 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL120N10F8
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
5,758 En existencias
1
S/10.08
10
S/6.50
100
S/4.48
500
S/3.58
3,000
S/2.94
6,000
Ver
1,000
S/3.47
6,000
S/2.92
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
STL320N4LF8
STMicroelectronics
1:
S/11.56
4,593 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL320N4LF8
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
4,593 En existencias
1
S/11.56
10
S/7.47
100
S/5.49
500
S/4.59
1,000
Ver
3,000
S/3.76
1,000
S/3.97
3,000
S/3.76
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
STD888T4
STMicroelectronics
1:
S/3.15
71,802 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD888T4
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
71,802 En existencias
1
S/3.15
10
S/2.14
100
S/1.46
500
S/1.12
2,500
S/0.891
5,000
Ver
1,000
S/1.01
5,000
S/0.782
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/10.90
20,833 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
20,833 En existencias
1
S/10.90
10
S/7.05
100
S/4.87
500
S/3.97
1,000
S/3.65
3,000
S/3.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
S/5.57
43,912 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
43,912 En existencias
1
S/5.57
10
S/3.50
100
S/2.32
500
S/1.82
3,000
S/1.61
9,000
Ver
1,000
S/1.66
9,000
S/1.53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Perú
