STP34NM60ND

STMicroelectronics
511-STP34NM60ND
STP34NM60ND

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

Modelo ECAD:
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En existencias: 668

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/23.98 S/23.98
S/22.93 S/229.30
S/22.07 S/2,207.00
S/22.03 S/22,030.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
29 A
110 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
80.4 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 61.8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 53.4 ns
Serie: STP34NM60ND
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 111 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99