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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,307

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/27.52
310En existencias
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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310En existencias

1,200En pedido

S/27.52

S/18.41

S/14.79

S/13.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

84 A

28 mOhms

30 V

4.2 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/48.19
2,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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Cinta cortada

S/48.19

S/32.19

S/27.87

S/27.36

S/23.20

Envase tipo carrete

S/22.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

22.5 A

61 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/79.41
173En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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173En existencias

Cinta cortada

S/79.41

S/50.64

S/47.92

Envase tipo carrete

S/47.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

N-Channel

650 V

64 A

35 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: S/72.56
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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459En existencias

S/72.56

S/41.92

S/41.88

S/38.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

95 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: S/40.75
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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576En existencias

S/40.75

S/24.21

S/22.85

S/20.36

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/17.94
2,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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2,368En existencias

Cinta cortada

S/17.94

S/11.83

S/8.37

S/7.16

Envase tipo carrete

S/5.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.96
38,107En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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Cinta cortada

S/5.96

S/3.64

S/2.49

S/1.95

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/25.69
4,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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S/25.69

S/17.87

S/16.93

S/14.79

S/12.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/5.92
41,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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41,498En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/2.79

S/2.48

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.52

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

60 V

33 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/13.27
2,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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2,383En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/8.60

S/5.96

S/4.98

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

PD57018S-E
STMicroelectronics
1: S/126.78
498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57018S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018S-E

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos

498En existencias

S/126.78

S/93.03

S/86.96

S/85.44

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerSO-10RF-2

N-Channel

1 Channel

65 V

2.5 A

760 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

- 65 C

+ 165 C

31.7 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STB11NM80T4
STMicroelectronics
1: S/33.86
1,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM80T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

Hoja de datos

1,402En existencias

Cinta cortada

S/33.86

S/18.41

S/16.93

S/16.70

Envase tipo carrete

S/15.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB30N80K5
STMicroelectronics
1: S/33.13
1,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoja de datos

1,094En existencias

Cinta cortada

S/33.13

S/17.98

S/16.54

S/16.23

Envase tipo carrete

S/15.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

24 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STB38N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.00
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Hoja de datos

757En existencias

Cinta cortada

S/29.00

S/15.53

S/14.25

S/13.58

Envase tipo carrete

S/12.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp

STB55NF06T4
STMicroelectronics
1: S/12.30
3,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB55NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB55NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp

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Hoja de datos

3,707En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/6.58

S/5.57

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH

STB9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/23.82
1,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STB9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH

Hoja de datos

1,288En existencias

Cinta cortada

S/23.82

S/12.53

S/11.44

S/10.78

Envase tipo carrete

S/9.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N60DM2
STMicroelectronics
1: S/9.61
3,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

3,089En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/6.19

S/4.24

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

310 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.03
3,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

3,078En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/4.40

S/3.58

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

STD170N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.44
2,232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD170N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD170N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

Hoja de datos

2,232En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.40

S/5.06

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

STD35NF06T4
STMicroelectronics
1: S/7.71
5,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD35NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD35NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

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Hoja de datos

5,493En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/3.69

S/3.30

S/2.61

S/2.33

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AC Pwr switch

STD40NF10
STMicroelectronics
1: S/8.68
2,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD40NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STD40NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AC Pwr switch

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Hoja de datos

2,518En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/4.20

S/3.76

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

STD5N95K3
STMicroelectronics
1: S/15.65
6,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

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6,491En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/7.94

S/7.20

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N240K6
STMicroelectronics
1: S/23.16
2,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N240K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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2,544En existencias

Cinta cortada

S/23.16

S/12.14

S/11.09

S/10.08

S/9.50

Envase tipo carrete

S/9.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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1,667En existencias

S/13.55

S/7.32

S/5.64

S/5.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.5 A

430 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/15.03
1,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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1,022En existencias

S/15.03

S/8.56

S/6.85

S/5.76

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC
7 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W
23 W