Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL160N4F7
STMicroelectronics
1:
S/7.51
4,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL160N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
4,235 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.79
100
S/3.25
500
S/2.58
3,000
S/2.07
6,000
Ver
1,000
S/2.35
6,000
S/2.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
STP20NK50Z
STMicroelectronics
1:
S/19.31
4,488 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
4,488 En existencias
1
S/19.31
10
S/9.30
100
S/8.95
1,000
S/8.56
5,000
Ver
5,000
S/8.45
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
STP30N65M5
STMicroelectronics
1:
S/28.77
708 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
708 En existencias
1
S/28.77
10
S/15.49
100
S/14.67
500
S/12.57
1,000
Ver
1,000
S/12.53
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STP33N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/13.74
1,426 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1,426 En existencias
1
S/13.74
10
S/9.23
100
S/8.56
500
S/7.43
1,000
Ver
1,000
S/6.89
2,000
S/6.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP45N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/27.25
1,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
1,008 En existencias
1
S/27.25
10
S/20.12
100
S/16.27
500
S/14.48
1,000
Ver
1,000
S/11.72
2,000
S/11.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
STP7NK80Z
STMicroelectronics
1:
S/14.87
1,938 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1,938 En existencias
1
S/14.87
10
S/6.70
100
S/6.27
500
S/5.61
1,000
Ver
1,000
S/5.02
2,000
S/4.94
5,000
S/4.87
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
STS5DNF60L
STMicroelectronics
1:
S/6.50
3,803 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
3,803 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.13
100
S/2.75
500
S/2.17
2,500
S/1.84
5,000
Ver
1,000
S/1.98
5,000
S/1.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
STS6NF20V
STMicroelectronics
1:
S/3.70
16,886 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STS6NF20V
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
16,886 En existencias
1
S/3.70
10
S/2.30
100
S/1.50
500
S/1.16
2,500
S/0.923
5,000
Ver
1,000
S/1.05
5,000
S/0.81
25,000
S/0.728
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STU13N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.25
2,414 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2,414 En existencias
1
S/8.25
10
S/3.73
100
S/3.36
500
S/2.82
3,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
STU7NM60N
STMicroelectronics
1:
S/11.41
1,749 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
1,749 En existencias
1
S/11.41
10
S/4.90
100
S/4.52
500
S/4.09
1,000
Ver
1,000
S/3.53
3,000
S/3.44
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STW12N170K5
STMicroelectronics
1:
S/41.30
1,113 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW12N170K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1,113 En existencias
1
S/41.30
10
S/28.80
100
S/20.63
600
S/20.36
1,200
Ver
1,200
S/19.58
3,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
1:
S/22.54
1,142 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
1,142 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
BUL38D
STMicroelectronics
1:
S/7.32
3,515 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUL38D
N.º de artículo de Mouser
511-BUL38D
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
3,515 En existencias
1
S/7.32
10
S/3.50
100
S/3.13
500
S/2.48
1,000
Ver
1,000
S/2.00
2,000
S/1.95
5,000
S/1.90
10,000
S/1.87
25,000
S/1.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
BUL741
STMicroelectronics
1:
S/5.41
12,934 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUL741
N.º de artículo de Mouser
511-BUL741
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
12,934 En existencias
1
S/5.41
10
S/1.37
1,000
S/1.29
25,000
S/1.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1:
S/62.36
2,329 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
2,329 En existencias
1
S/62.36
10
S/44.06
100
S/40.52
500
S/40.48
1,000
Ver
3,000
S/33.09
1,000
S/40.44
3,000
S/33.09
6,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
STB14NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/13.62
6,137 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
6,137 En existencias
1
S/13.62
10
S/10.55
100
S/8.87
500
S/8.72
1,000
S/8.02
5,000
Ver
5,000
S/7.71
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB28N65M2
STMicroelectronics
1:
S/16.54
2,052 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
2,052 En existencias
1
S/16.54
10
S/11.05
100
S/7.86
500
S/7.16
1,000
S/5.96
2,000
S/5.84
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/28.92
939 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
939 En existencias
1
S/28.92
10
S/19.97
100
S/15.18
500
S/15.14
1,000
S/12.38
10,000
Ver
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/11.05
2,734 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
2,734 En existencias
1
S/11.05
10
S/7.16
100
S/4.94
500
S/4.05
2,500
S/3.33
5,000
Ver
1,000
S/3.73
5,000
S/3.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
STD1NK60-1
STMicroelectronics
1:
S/6.31
4,055 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
4,055 En existencias
1
S/6.31
10
S/2.41
100
S/2.18
500
S/2.00
1,000
Ver
1,000
S/1.78
3,000
S/1.58
9,000
S/1.55
24,000
S/1.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
STD2N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.14
2,969 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
2,969 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.22
100
S/3.53
500
S/2.81
2,500
S/2.32
5,000
Ver
1,000
S/2.66
5,000
S/2.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD5N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.58
6,550 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
6,550 En existencias
1
S/6.58
10
S/4.20
100
S/2.82
500
S/2.22
2,500
S/1.72
5,000
Ver
1,000
S/2.02
5,000
S/1.67
10,000
S/1.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
STD7ANM60N
STMicroelectronics
1:
S/8.56
3,498 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7ANM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
3,498 En existencias
1
S/8.56
10
S/5.49
100
S/3.72
500
S/2.97
2,500
S/2.46
5,000
Ver
1,000
S/2.79
5,000
S/2.32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF7N105K5
STMicroelectronics
1:
S/14.75
1,471 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF7N105K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,471 En existencias
1
S/14.75
10
S/6.77
100
S/6.31
500
S/5.57
1,000
Ver
1,000
S/5.22
2,000
S/4.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU13N80K5
STMicroelectronics
1:
S/17.09
1,726 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
1,726 En existencias
1
S/17.09
10
S/8.99
100
S/7.59
500
S/6.93
1,000
Ver
1,000
S/6.38
2,000
S/5.99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel