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STMicroelectronics MOSFETs de SiC

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Resultados: 53

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A SCT019HU120G3AG STMicroelectronics 1: S/81.82 2En existencias 600Se espera el 20/08/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT019HU120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT019HU120G3AG Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	2En existencias 600Se espera el 20/08/2027	Cinta cortada S/81.82 S/61.11 S/52.86 Envase tipo carrete S/50.06	Min.: 1 Mult.: 1 : 600														AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: S/86.69 1,157En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT020HU120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,157En existencias	Cinta cortada S/86.69 S/64.73 S/56.01 Envase tipo carrete S/54.46 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: S/94.63 558En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT012W90G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	558En existencias	S/94.63 S/75.75 S/65.51 S/62.05 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/107.90 393En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT015W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	393En existencias	S/107.90 S/86.37 S/74.70 S/70.73 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/77.93 181En existencias 600Se espera el 9/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT020W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	181En existencias 600Se espera el 9/07/2027	S/77.93 S/46.17	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/55.08 183En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT027W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT027W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	183En existencias	S/55.08 S/36.86 S/30.13 S/28.73	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	60 A	29 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	51 nC	- 55 C	+ 200 C	313 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: S/51.69 766En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	766En existencias	Cinta cortada S/51.69 S/38.50 S/32.11 S/28.61 Envase tipo carrete S/26.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/54.46 481En existencias 600Se espera el 29/01/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	481En existencias 600Se espera el 29/01/2027	S/54.46 S/41.49 S/34.57 S/30.83 S/28.77	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: S/43.95 457En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	457En existencias	S/43.95 S/24.02 S/21.99	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/51.69 429En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	429En existencias	S/51.69 S/38.50 S/32.11 S/28.61 S/26.70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: S/39.12 1,394En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT055TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	1,394En existencias	Cinta cortada S/39.12 S/26.70 S/22.03 S/19.62 S/18.37 Envase tipo carrete S/18.37	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: S/73.76 13En existencias 600Se espera el 19/11/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT025W120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	13En existencias 600Se espera el 19/11/2027	S/73.76 S/45.89 S/43.05	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: S/51.23 468En existencias 1,000Se espera el 23/04/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	468En existencias 1,000Se espera el 23/04/2027	Cinta cortada S/51.23 S/38.19 S/31.80 S/28.34 Envase tipo carrete S/26.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: S/64.07 2En existencias 1,000Se espera el 9/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT018H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	2En existencias 1,000Se espera el 9/07/2027	Cinta cortada S/64.07 S/38.42 Envase tipo carrete S/35.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/77.93 7En existencias 1,200Se espera el 25/11/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT025W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	7En existencias 1,200Se espera el 25/11/2027	S/77.93 S/50.60 S/44.76 S/41.18	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: S/43.67 8En existencias 1,800Se espera el 5/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	8En existencias 1,800Se espera el 5/02/2027	Cinta cortada S/43.67 S/30.87 S/25.69 S/22.93 S/21.41 Envase tipo carrete S/21.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: S/54.46 2En existencias 600Se espera el 1/10/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040W120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	2En existencias 600Se espera el 1/10/2027	S/54.46 S/41.49 S/34.57 S/30.83 S/28.77	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/53.76 15En existencias 1,200Se espera el 30/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT070W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	15En existencias 1,200Se espera el 30/07/2027	S/53.76 S/35.89 S/32.27 S/30.09 S/29.27	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A SCT011H75G3AG STMicroelectronics 1: S/109.61 988En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT011H75G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT011H75G3AG Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A	Hoja de datos	988En pedido	Cinta cortada S/109.61 S/87.74 S/75.86 S/71.86 Envase tipo carrete S/67.11	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000														AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: S/120.01 1,200Se espera el 20/08/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT011HU75G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT011HU75G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,200Se espera el 20/08/2027	Cinta cortada S/120.01 S/96.07 S/83.07 Envase tipo carrete S/78.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: S/104.98 Plazo de entrega 25 Semanas	N.º de artículo del Fabricante SCT016H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT016H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega 25 Semanas	Cinta cortada S/104.98 S/84.04 S/72.67 S/68.82 Envase tipo carrete S/64.30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: S/73.14 1,997Se espera el 4/06/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT025H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,997Se espera el 4/06/2027	Cinta cortada S/73.14 S/53.25 S/48.31 S/45.81 Envase tipo carrete S/41.96 Ver Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: S/89.76 998Se espera el 4/06/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT012H90G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	998Se espera el 4/06/2027	Cinta cortada S/89.76 S/58.27 S/58.15 S/54.96 Envase tipo carrete S/51.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/72.71 600Se espera el 21/05/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT018W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	Hoja de datos	600Se espera el 21/05/2027	S/72.71 S/55.39 S/46.17 S/38.42	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: S/52.98 997Se espera el 27/08/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT027H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	997Se espera el 27/08/2027	Cinta cortada S/52.98 S/30.13 S/30.05 Envase tipo carrete S/28.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101