Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
S/66.41
1,497 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,497 En existencias
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1
S/66.41
10
S/42.66
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S/38.89
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.53
42,415 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
42,415 En existencias
1
S/5.53
10
S/3.49
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S/2.32
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S/1.81
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S/1.44
6,000
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S/1.65
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S/1.37
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S/1.32
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S/1.30
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistores Darlington Seven NPN Array
ULQ2003A
STMicroelectronics
1:
S/2.92
15,906 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ULQ2003A
STMicroelectronics
Transistores Darlington Seven NPN Array
15,906 En existencias
1
S/2.92
10
S/1.51
100
S/1.32
500
S/1.28
1,000
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S/1.23
25,000
S/1.19
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Darlington Transistors
Through Hole
PDIP-16
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
STH410N4F7-6AG
STMicroelectronics
1:
S/21.80
701 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH410N4F7-6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
701 En existencias
1
S/21.80
10
S/14.56
100
S/11.72
500
S/10.43
1,000
S/8.06
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-6
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
PD85035-E
STMicroelectronics
1:
S/128.65
619 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD85035-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
619 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-12
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL28N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/18.14
1,256 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL28N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
1,256 En existencias
1
S/18.14
10
S/11.99
100
S/9.38
500
S/8.33
1,000
S/7.12
3,000
S/6.42
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
BUL7216
STMicroelectronics
1:
S/8.10
5,527 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUL7216
N.º de artículo de Mouser 511-BUL7216
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
5,527 En existencias
1
S/8.10
10
S/4.13
100
S/3.58
500
S/2.93
1,000
Ver
1,000
S/2.40
2,000
S/2.20
10,000
S/2.11
25,000
Presupuesto
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
MJD44H11T4
STMicroelectronics
1:
S/4.20
11,878 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-MJD44H11
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
11,878 En existencias
1
S/4.20
10
S/2.49
100
S/1.72
500
S/1.33
2,500
S/0.899
25,000
Ver
1,000
S/1.20
25,000
S/0.864
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
STB18NF25
STMicroelectronics
1:
S/9.58
4,220 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB18NF25
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
4,220 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
S/4.24
500
S/3.37
1,000
S/2.78
2,000
Ver
2,000
S/2.76
5,000
S/2.72
10,000
S/2.68
25,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
STB200NF03T4
STMicroelectronics
1:
S/13.27
1,547 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB200NF03
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
1,547 En existencias
1
S/13.27
10
S/8.68
100
S/6.03
500
S/5.45
1,000
S/4.90
2,000
Ver
2,000
S/4.24
25,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
STD26NF10
STMicroelectronics
1:
S/8.52
2,109 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD26NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
2,109 En existencias
1
S/8.52
10
S/5.49
100
S/3.71
500
S/2.95
2,500
S/2.45
5,000
Ver
1,000
S/2.78
5,000
S/2.31
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/7.08
7,145 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
7,145 En existencias
1
S/7.08
10
S/4.52
100
S/3.03
500
S/2.39
2,500
S/1.83
10,000
Ver
1,000
S/2.21
10,000
S/1.76
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp
STD45NF75T4
STMicroelectronics
1:
S/8.52
2,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD45NF75
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp
2,800 En existencias
1
S/8.52
10
S/5.45
100
S/3.75
500
S/3.32
2,500
S/2.73
5,000
Ver
1,000
S/3.26
5,000
S/2.37
Comprar
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD4N90K5
STMicroelectronics
1:
S/8.14
3,569 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD4N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
3,569 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.68
100
S/4.13
500
S/3.29
1,000
S/3.18
2,500
S/2.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
+4 imágenes
STD901T
STMicroelectronics
1:
S/9.58
10,416 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
STD901T
N.º de artículo de Mouser 511-STD901T
STMicroelectronics
Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
10,416 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
S/4.24
500
S/3.37
2,500
S/3.14
10,000
Ver
1,000
S/3.33
10,000
S/2.78
25,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STF11NM80
STMicroelectronics
1:
S/26.78
920 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
920 En existencias
1
S/26.78
10
S/13.70
100
S/13.00
500
S/11.21
1,000
Ver
1,000
S/11.09
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
STF15NM65N
STMicroelectronics
1:
S/21.29
938 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF15NM65N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
938 En existencias
1
S/21.29
10
S/11.25
100
S/11.21
500
S/10.04
1,000
S/8.10
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF23N80K5
STMicroelectronics
1:
S/23.63
811 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF23N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
811 En existencias
1
S/23.63
10
S/12.57
100
S/11.48
500
S/9.61
1,000
S/9.26
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF3LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.06
3,187 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF3LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
3,187 En existencias
1
S/8.06
10
S/3.97
100
S/3.51
500
S/2.81
1,000
Ver
1,000
S/2.53
2,000
S/2.44
5,000
S/2.18
10,000
S/2.17
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF40N65M2
STMicroelectronics
1:
S/15.10
1,102 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF40N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1,102 En existencias
1
S/15.10
10
S/11.13
100
S/10.55
500
S/10.47
1,000
Ver
1,000
S/9.07
2,000
S/8.68
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
STGD7NC60HT4
STMicroelectronics
1:
S/12.85
3,046 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD7NC60H
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
3,046 En existencias
1
S/12.85
10
S/8.33
100
S/5.99
500
S/5.10
1,000
S/4.40
2,500
S/4.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
STGIPN3H60A
STMicroelectronics
1:
S/31.49
467 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIPN3H60A
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
467 En existencias
1
S/31.49
10
S/19.31
100
S/17.24
476
S/15.57
952
Ver
952
S/15.41
2,856
S/15.34
5,236
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
NDIP-26
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
360°
+4 imágenes
STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
1:
S/21.56
598 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
598 En existencias
1
S/21.56
10
S/15.61
100
S/14.40
600
S/13.82
3,000
Ver
3,000
S/13.74
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1:
S/18.29
940 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH240N10F7-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
940 En existencias
1
S/18.29
10
S/12.11
100
S/8.60
500
S/7.98
1,000
S/6.42
2,000
S/6.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
STL140N4LLF5
STMicroelectronics
1:
S/12.30
2,858 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL140N4LLF5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
2,858 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.98
100
S/5.68
500
S/4.83
1,000
S/4.48
3,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Perú
