Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
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STW13NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/47.22
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511-STW13NK100Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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STW18N60DM2
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511-STW18N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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S/14.44
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Si
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TO-247-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
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STW48NM60N
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S/35.42
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511-STW48NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
1,062 En existencias
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S/35.42
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
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STW57N65M5
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511-STW57N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
504 En existencias
1
S/39.24
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S/21.14
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S/20.20
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
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STW70N60M2
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1:
S/34.84
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511-STW70N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
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STWA20N95K5
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1:
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511-STWA20N95K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
698 En existencias
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S/29.15
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S/17.87
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S/13.16
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S/13.08
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
TIP47
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1:
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7,612 En existencias
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TIP47
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511-TIP47
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
7,612 En existencias
1
S/4.94
10
S/1.44
100
S/1.31
500
S/1.17
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S/1.16
10,000
S/1.14
25,000
S/1.12
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistores Darlington 1.5 Amp Quad Switch
ULN2065B
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1:
S/16.27
1,395 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-ULN2065B
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Transistores Darlington 1.5 Amp Quad Switch
1,395 En existencias
1
S/16.27
10
S/11.87
100
S/10.86
500
S/10.55
1,000
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S/10.43
5,000
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Darlington Transistors
Through Hole
PDIP-16
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP General Purpose
BD912
STMicroelectronics
1:
S/8.45
5,941 En existencias
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BD912
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511-BD912
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP General Purpose
5,941 En existencias
1
S/8.45
10
S/3.16
100
S/3.04
500
S/2.52
1,000
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1,000
S/2.37
10,000
S/2.28
25,000
Presupuesto
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
MD2001FX
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1:
S/13.55
5,277 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-MD2001FX
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
5,277 En existencias
1
S/13.55
10
S/5.64
100
S/4.55
600
S/4.52
1,200
S/4.36
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
STB14N80K5
STMicroelectronics
1:
S/16.27
1,643 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB14N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1,643 En existencias
1
S/16.27
10
S/10.70
100
S/7.55
500
S/6.85
1,000
S/5.72
2,000
S/5.57
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
1:
S/13.00
1,277 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
1,277 En existencias
1
S/13.00
10
S/8.49
100
S/5.92
500
S/5.06
1,000
S/4.24
2,000
Ver
2,000
S/4.09
10,000
S/4.05
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
STB80NF10T4
STMicroelectronics
1:
S/13.97
1,533 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
1,533 En existencias
1
S/13.97
10
S/9.15
100
S/6.38
500
S/5.61
1,000
S/4.79
2,000
S/4.52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp
STD15NF10T4
STMicroelectronics
1:
S/5.22
9,423 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD15NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp
9,423 En existencias
1
S/5.22
10
S/3.78
100
S/2.77
500
S/2.20
2,500
S/1.68
10,000
Ver
1,000
S/2.01
10,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
STD2NK90ZT4
STMicroelectronics
1:
S/8.95
5,527 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
5,527 En existencias
1
S/8.95
10
S/6.42
100
S/4.40
500
S/3.60
2,500
S/3.01
10,000
Ver
1,000
S/3.32
10,000
S/2.94
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
STD4NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/12.30
7,897 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
7,897 En existencias
1
S/12.30
10
S/8.02
100
S/5.57
500
S/4.71
2,500
S/3.83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
STD5NM60T4
STMicroelectronics
1:
S/11.72
1,955 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
1,955 En existencias
1
S/11.72
10
S/7.63
100
S/5.25
500
S/4.40
1,000
Ver
2,500
S/3.58
1,000
S/4.09
2,500
S/3.58
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
STD65N55F3
STMicroelectronics
1:
S/11.48
2,303 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD65N55F3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
2,303 En existencias
1
S/11.48
10
S/7.43
100
S/5.14
500
S/4.28
2,500
S/3.49
5,000
Ver
1,000
S/3.93
5,000
S/3.48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
STD8N80K5
STMicroelectronics
1:
S/11.87
4,753 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD8N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
4,753 En existencias
1
S/11.87
10
S/7.71
100
S/5.33
500
S/4.48
1,000
S/4.13
2,500
S/3.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
STD9NM50N
STMicroelectronics
1:
S/7.32
7,196 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
7,196 En existencias
1
S/7.32
10
S/4.67
100
S/3.14
500
S/2.48
2,500
S/1.99
5,000
Ver
1,000
S/2.30
5,000
S/1.95
10,000
S/1.86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
STF20N65M5
STMicroelectronics
1:
S/13.74
5,856 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
5,856 En existencias
1
S/13.74
10
S/6.19
100
S/5.80
500
S/5.14
1,000
Ver
1,000
S/4.75
2,000
S/4.48
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
STGD3HF60HDT4
STMicroelectronics
1:
S/4.98
18,609 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD3HF60HDT4
STMicroelectronics
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
18,609 En existencias
1
S/4.98
10
S/3.12
100
S/2.07
500
S/1.63
2,500
S/1.19
5,000
Ver
1,000
S/1.46
5,000
S/1.16
25,000
S/1.12
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK
IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
STGD5NB120SZT4
STMicroelectronics
1:
S/9.23
3,938 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD5NB120SZ
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
3,938 En existencias
1
S/9.23
10
S/5.92
100
S/4.05
500
S/3.22
2,500
S/2.72
5,000
Ver
1,000
S/2.99
5,000
S/2.67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
STGF10NB60SD
STMicroelectronics
1:
S/8.95
2,734 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGF10NB60SD
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
2,734 En existencias
1
S/8.95
10
S/4.36
100
S/3.89
500
S/3.12
1,000
Ver
1,000
S/2.57
5,000
S/2.47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
STGWA100H65DFB2
STMicroelectronics
1:
S/20.86
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA100H65DFB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
1,000 En existencias
1
S/20.86
10
S/12.85
100
S/11.02
600
S/10.98
1,200
Ver
1,200
S/10.90
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Through Hole
TO-247-3