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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,353

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: S/22.42
210En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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210En existencias

Cinta cortada

S/22.42

S/17.94

Envase tipo carrete

S/17.94

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/30.13
210En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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210En existencias

Cinta cortada

S/30.13

S/21.25

Envase tipo carrete

S/21.25

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: S/32.00
300En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N035M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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300En existencias

S/32.00

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
1: S/8.25
4,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL325N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

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4,718En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/6.11

S/4.94

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.52

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/41.61
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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931En existencias

S/41.61

S/23.47

S/21.68

S/19.77

S/19.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/16.78
2,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/16.78

S/11.05

S/7.82

S/7.16

Envase tipo carrete

S/6.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

STL120N10F8
STMicroelectronics
1: S/10.08
5,758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL120N10F8

N.º de artículo de Mouser
511-STL120N10F8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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5,758En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.50

S/4.48

S/3.58

Envase tipo carrete

S/2.94

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

125 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

STL320N4LF8
STMicroelectronics
1: S/11.56
4,593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL320N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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4,593En existencias

Cinta cortada

S/11.56

S/7.47

S/5.49

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/3.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

360 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

STL60N10F7
STMicroelectronics
1: S/7.28
27,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL60N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

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27,500En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.67

S/3.12

S/2.47

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI

STN3P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.33
44,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STN3P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI

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44,550En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/2.72

S/1.93

S/1.61

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Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

2.6 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.99
4,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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4,094En existencias

S/27.99

S/17.91

S/16.70

S/14.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: S/6.19
48,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

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48,695En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.89

S/2.62

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

4 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/9.46
18,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD47N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

18,993En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.32

Ver

Envase tipo carrete

S/2.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

22 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

STL130N6F7
STMicroelectronics
1: S/10.90
20,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

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Hoja de datos

20,833En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.87

S/3.97

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

130 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.57
43,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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Hoja de datos

43,912En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.50

S/2.32

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

STY145N65M5
STMicroelectronics
1: S/133.59
2,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY145N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY145N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

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Hoja de datos

2,798En existencias

S/133.59

S/88.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

138 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

414 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N045M9
STMicroelectronics
1: S/31.41
542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

542En existencias

S/31.41

S/17.48

S/16.08

S/13.90

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/5.53
42,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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Hoja de datos

42,415En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.49

S/2.32

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

60 V

33 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

STH410N4F7-6AG
STMicroelectronics
1: S/21.80
701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH410N4F7-6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH410N4F7-6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

Obtenga más información

Hoja de datos

701En existencias

Cinta cortada

S/21.80

S/14.56

S/11.72

S/10.43

Envase tipo carrete

S/8.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-6

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

365 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.14
1,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Hoja de datos

1,256En existencias

Cinta cortada

S/18.14

S/11.99

S/9.38

S/8.33

S/7.12

Envase tipo carrete

S/6.42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II

STB18NF25
STMicroelectronics
1: S/9.58
4,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STB18NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II

Hoja de datos

4,220En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.19

S/4.24

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.84

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29.3 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp

STB200NF03T4
STMicroelectronics
1: S/13.27
1,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB200NF03T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB200NF03

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp

Hoja de datos

1,547En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/8.68

S/6.03

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.37

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A

STD26NF10
STMicroelectronics
1: S/8.52
2,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD26NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STD26NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A

Hoja de datos

2,109En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.49

S/3.71

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.45

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MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/7.08
7,145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

7,145En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.03

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.88

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.3 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp

STD45NF75T4
STMicroelectronics
1: S/8.25
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD45NF75T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD45NF75

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp

Hoja de datos

2,800En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.25

S/3.64

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

40 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W