Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC6G065D
STMicroelectronics
1:
S/9.23
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511-STPSC6G065D
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Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1,000 En existencias
1
S/9.23
10
S/4.52
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S/4.05
500
S/3.24
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S/2.94
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S/2.76
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC4G065D
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S/8.17
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511-STPSC4G065D
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Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
1,984 En existencias
1
S/8.17
10
S/5.22
100
S/3.63
500
S/3.08
1,000
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S/2.57
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S/2.37
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S/2.28
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S/2.25
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
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1:
S/22.42
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511-ST8L65N065DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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S/22.42
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S/17.94
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S/17.94
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
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1:
S/30.13
210 En existencias
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511-ST8L65N050DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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S/30.13
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S/21.25
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
STWA60N035M9
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S/32.00
300 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT350R70GTK
STMicroelectronics
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S/10.12
711 En existencias
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511-SGT350R70GTK
Nuevo producto
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GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
711 En existencias
1
S/10.12
10
S/6.54
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S/4.67
500
S/3.93
2,500
S/3.18
5,000
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S/3.71
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S/3.15
10,000
S/3.07
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
DPAK-3
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
SCT019HU120G3AG
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1:
S/78.12
252 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
252 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
1
S/78.12
10
S/64.27
100
S/55.58
600
S/55.58
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SiC MOSFETS
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
SM15T39CAY
STMicroelectronics
1:
S/4.40
46,484 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SM15T39CAY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
46,484 En existencias
1
S/4.40
10
S/3.38
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S/2.39
500
S/1.93
1,000
S/1.90
2,500
S/1.55
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SMC (DO-214AB)
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
STD888T4
STMicroelectronics
1:
S/3.15
71,802 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD888T4
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
71,802 En existencias
1
S/3.15
10
S/2.14
100
S/1.46
500
S/1.12
2,500
S/0.891
5,000
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S/1.01
5,000
S/0.782
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/10.90
20,833 En existencias
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511-STL130N6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
20,833 En existencias
1
S/10.90
10
S/7.05
100
S/4.87
500
S/3.97
1,000
S/3.65
3,000
S/3.23
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
S/5.57
43,912 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
43,912 En existencias
1
S/5.57
10
S/3.50
100
S/2.32
500
S/1.82
3,000
S/1.61
9,000
Ver
1,000
S/1.66
9,000
S/1.53
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
STY145N65M5
STMicroelectronics
1:
S/133.59
2,798 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STY145N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
2,798 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STP60N043DM9
STMicroelectronics
1:
S/41.61
931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
931 En existencias
1
S/41.61
10
S/23.47
100
S/21.68
500
S/19.77
1,000
S/19.73
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Mult.: 1
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
STP65N045M9
STMicroelectronics
1:
S/31.41
542 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
542 En existencias
1
S/31.41
10
S/17.48
100
S/16.08
500
S/13.90
1,000
S/13.86
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
1:
S/23.36
1,142 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
1,142 En existencias
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
1:
S/8.25
4,718 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
4,718 En existencias
1
S/8.25
10
S/6.11
100
S/4.94
500
S/4.67
3,000
S/4.52
6,000
S/4.01
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Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor in D2PAK HV package
+1 imagen
TN4050HP-12G2YTR
STMicroelectronics
1:
S/18.96
719 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN4050HP-12G2YTR
STMicroelectronics
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor in D2PAK HV package
719 En existencias
1
S/18.96
10
S/12.57
100
S/8.95
500
S/8.45
1,000
S/6.89
2,000
S/6.85
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
SMD/SMT
D2PAK-3
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
TN4050HP-12WY
STMicroelectronics
1:
S/18.61
723 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN4050HP-12WY
STMicroelectronics
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
723 En existencias
1
S/18.61
10
S/12.34
120
S/10.20
510
S/8.64
1,020
S/8.29
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SCRs
Through Hole
TO-247-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
ESDALC6V1-5P6
STMicroelectronics
1:
S/0.584
131,515 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-ESDALC6V1-5P6
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
131,515 En existencias
1
S/0.584
10
S/0.494
3,000
S/0.401
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SOT-666-6
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
S/50.49
1,549 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1,549 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/50.49
10
S/35.73
100
S/34.18
400
S/34.14
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060-E
STMicroelectronics
1:
S/221.48
872 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
872 En existencias
Embalaje alternativo
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Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
+2 imágenes
STN3NF06L
STMicroelectronics
1:
S/6.19
48,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
48,710 En existencias
1
S/6.19
10
S/3.89
100
S/2.62
500
S/2.06
4,000
S/1.57
8,000
Ver
1,000
S/1.88
2,000
S/1.73
8,000
S/1.49
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
S/16.78
2,575 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,575 En existencias
1
S/16.78
10
S/11.05
100
S/7.82
500
S/7.16
2,500
S/6.03
5,000
Ver
1,000
S/7.12
5,000
S/5.80
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
STL320N4LF8
STMicroelectronics
1:
S/11.56
4,593 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
4,593 En existencias
1
S/11.56
10
S/7.47
100
S/5.49
500
S/4.59
1,000
Ver
3,000
S/3.76
1,000
S/3.97
3,000
S/3.76
24,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
S/66.41
1,497 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,497 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/66.41
10
S/41.77
100
S/38.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4