Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF20N90K5
STMicroelectronics
1:
S/28.65
806 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF20N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
806 En existencias
1
S/28.65
10
S/15.61
100
S/14.32
500
S/12.11
1,000
S/12.07
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
STF24NM60N
STMicroelectronics
1:
S/16.66
2,091 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF24NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
2,091 En existencias
1
S/16.66
10
S/8.02
100
S/7.47
500
S/6.50
1,000
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1,000
S/6.11
5,000
S/5.88
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU23N80K5
STMicroelectronics
1:
S/19.15
1,960 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU23N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
1,960 En existencias
1
S/19.15
10
S/12.65
100
S/11.17
500
S/11.02
1,000
Ver
1,000
S/8.91
2,000
S/8.52
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
STGP10NB60S
STMicroelectronics
1:
S/11.41
6,418 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP10NB60S
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
6,418 En existencias
1
S/11.41
10
S/4.16
100
S/4.13
500
S/3.85
1,000
Ver
1,000
S/3.63
2,000
S/3.58
10,000
S/3.45
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs PowerMESH" IGBT
STGP10NC60KD
STMicroelectronics
1:
S/7.59
3,404 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP10NC60KD
STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH" IGBT
3,404 En existencias
1
S/7.59
10
S/3.13
100
S/2.84
500
S/2.54
1,000
Ver
1,000
S/2.11
2,000
S/2.09
5,000
S/2.00
10,000
S/1.98
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
STGW20NC60V
STMicroelectronics
1:
S/12.11
957 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW20NC60V
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
957 En existencias
1
S/12.11
10
S/8.10
100
S/7.01
600
S/6.89
1,200
S/6.66
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1:
S/7.43
5,207 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL110N4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
5,207 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.75
100
S/3.15
500
S/2.58
3,000
S/1.86
6,000
Ver
1,000
S/2.26
6,000
S/1.80
9,000
S/1.79
Comprar
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
STL12N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.87
3,598 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL12N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
3,598 En existencias
1
S/8.87
10
S/5.72
100
S/3.89
500
S/3.13
3,000
S/2.58
6,000
Ver
1,000
S/2.92
6,000
S/2.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET
STL76DN4LF7AG
STMicroelectronics
1:
S/6.81
16,014 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL76DN4LF7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET
16,014 En existencias
1
S/6.81
10
S/5.53
100
S/3.80
500
S/3.13
3,000
S/2.55
6,000
Ver
1,000
S/2.88
6,000
S/2.48
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
STL7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.10
5,655 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
5,655 En existencias
1
S/8.10
10
S/5.88
100
S/4.44
500
S/3.82
1,000
Ver
3,000
S/3.34
1,000
S/3.78
3,000
S/3.34
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
1:
S/19.97
1,586 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
1,586 En existencias
1
S/19.97
10
S/10.43
100
S/9.50
500
S/7.90
1,000
Ver
1,000
S/7.67
2,000
S/7.36
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
STP12NM50FP
STMicroelectronics
1:
S/15.73
1,325 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP12NM50FP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
1,325 En existencias
1
S/15.73
10
S/9.85
100
S/9.30
500
S/8.21
1,000
Ver
1,000
S/8.17
2,000
S/8.02
5,000
S/7.86
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250V STripFET II Mosfet
STP17NF25
STMicroelectronics
1:
S/7.32
3,069 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP17NF25
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250V STripFET II Mosfet
3,069 En existencias
1
S/7.32
10
S/2.93
100
S/2.70
500
S/2.42
1,000
Ver
1,000
S/2.20
2,000
S/2.07
5,000
S/1.91
10,000
S/1.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
STP20N65M5
STMicroelectronics
1:
S/15.14
969 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
969 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.14
10
S/7.94
100
S/7.20
500
S/5.88
1,000
Ver
1,000
S/5.45
2,000
S/5.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp
STP24NF10
STMicroelectronics
1:
S/8.21
5,963 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP24NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp
5,963 En existencias
1
S/8.21
10
S/2.68
100
S/2.47
500
S/2.28
10,000
Ver
10,000
S/2.20
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
STP3NK80Z
STMicroelectronics
1:
S/9.85
1,947 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP3NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
1,947 En existencias
1
S/9.85
10
S/4.83
100
S/4.36
500
S/3.47
1,000
Ver
1,000
S/2.86
5,000
S/2.81
10,000
S/2.76
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp
STS4DNF60L
STMicroelectronics
1:
S/9.30
3,770 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS4DNF60L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp
3,770 En existencias
1
S/9.30
10
S/4.44
100
S/3.47
500
S/3.18
2,500
S/3.12
5,000
Ver
5,000
S/3.06
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
+1 imagen
STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/40.79
397 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
397 En existencias
1
S/40.79
10
S/26.43
100
S/21.21
600
S/19.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
1:
S/22.54
1,142 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
1,142 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
MJD47T4
STMicroelectronics
1:
S/5.68
11,413 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
MJD47T4
N.º de artículo de Mouser 511-MJD47
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
11,413 En existencias
1
S/5.68
10
S/3.58
100
S/2.38
500
S/1.87
2,500
S/1.37
5,000
Ver
1,000
S/1.70
5,000
S/1.35
25,000
S/1.32
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
NPN
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
1:
S/107.71
714 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
714 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel
STB160N75F3
STMicroelectronics
1:
S/19.89
1,698 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB160N75F3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel
1,698 En existencias
1
S/19.89
10
S/13.20
100
S/10.43
500
S/9.34
1,000
S/8.56
2,000
Ver
2,000
S/7.20
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
STMicroelectronics
1:
S/10.08
1,893 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,893 En existencias
1
S/10.08
10
S/6.50
100
S/4.52
500
S/3.62
1,000
S/3.33
2,000
Ver
2,000
S/2.97
5,000
S/2.96
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/26.78
816 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
816 En existencias
1
S/26.78
10
S/18.80
100
S/14.05
1,000
S/10.90
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/29.08
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
1,000 En existencias
1
S/29.08
10
S/19.81
100
S/15.03
1,000
S/12.69
2,000
S/12.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Perú
