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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.66
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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836En existencias

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S/19.66

S/13.04

S/10.35

S/9.19

Envase tipo carrete

S/7.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.66
4,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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4,482En existencias

Cinta cortada

S/19.66

S/13.08

S/9.34

S/8.87

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STB45N65M5
STMicroelectronics
1: S/33.01
1,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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1,755En existencias

Cinta cortada

S/33.01

S/22.73

S/17.87

Envase tipo carrete

S/14.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A

STB75NF75T4
STMicroelectronics
1: S/14.44
1,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB75NF75T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB75NF75T4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A

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1,278En existencias

Cinta cortada

S/14.44

S/9.61

S/6.73

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.06

S/4.83

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB8N90K5
STMicroelectronics
1: S/15.92
1,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/15.92

S/10.47

S/7.40

S/6.66

Envase tipo carrete

S/5.76

S/5.41

MouseReel Disponible

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

STD13NM60ND
STMicroelectronics
1: S/20.09
4,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13NM60ND

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511-STD13NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

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S/20.09

S/8.72

S/7.90

Envase tipo carrete

S/7.51

S/7.43

Presupuesto

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

STD1NK60T4
STMicroelectronics
1: S/4.90
8,222En existencias

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STD1NK60T4

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511-STD1NK60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

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S/4.90

S/3.44

S/2.57

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.51

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MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.03
8,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N62K3

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511-STD3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

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S/6.03

S/3.83

S/2.55

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.55

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F

STD5N52U
STMicroelectronics
1: S/6.62
3,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N52U

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511-STD5N52U

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F

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S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.73

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

STD5NM50AG
STMicroelectronics
1: S/9.50
5,733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM50AG

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511-STD5NM50AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

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S/9.50

S/6.31

S/4.32

S/3.45

Envase tipo carrete

S/2.88

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/10.47
2,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/10.47

S/6.73

S/4.67

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.13

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.14
4,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

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Cinta cortada

S/8.14

S/5.18

S/3.61

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.24

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A

STD95N4F3
STMicroelectronics
1: S/8.76
3,123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD95N4F3

N.º de artículo de Mouser
511-STD95N4F3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A

Hoja de datos

3,123En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/3.82

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.60

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

STE48NM50
STMicroelectronics
1: S/111.05
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE48NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STE48NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

Hoja de datos

163En existencias

S/111.05

S/80.93

S/71.78

S/68.98

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STF20N95K5
STMicroelectronics
1: S/22.34
1,658En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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1,658En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

S/22.34

S/13.51

S/12.38

S/11.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STF21N90K5
STMicroelectronics
1: S/29.93
1,728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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1,728En existencias

S/29.93

S/15.69

S/14.87

S/12.85

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: S/29.39
2,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

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2,032En existencias

S/29.39

S/16.39

S/15.06

S/13.55

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

STF3NK100Z
STMicroelectronics
1: S/18.14
1,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

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1,813En existencias

S/18.14

S/9.77

S/8.87

S/7.36

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

STF40N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.71
1,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

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Hoja de datos

1,534En existencias

S/23.71

S/16.23

S/13.12

S/11.68

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

STGD10HF60KD
STMicroelectronics
1: S/9.07
5,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD10HF60KD

N.º de artículo de Mouser
511-STGD10HF60KD

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

Hoja de datos

5,277En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.63

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp

STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
1: S/5.45
7,090En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD3NB60SDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD3NB60SD

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp

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Hoja de datos

7,090En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.43

S/2.27

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.45

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT

STGP19NC60HD
STMicroelectronics
1: S/8.17
2,316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP19NC60HD

N.º de artículo de Mouser
511-STGP19NC60HD

STMicroelectronics

IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT

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2,316En existencias

S/8.17

S/5.10

S/4.79

S/4.63

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

STGP3HF60HD
STMicroelectronics
1: S/4.98
5,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP3HF60HD

N.º de artículo de Mouser
511-STGP3HF60HD

STMicroelectronics

IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Hoja de datos

5,717En existencias

S/4.98

S/2.35

S/2.07

S/1.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

STGP8M120DF3
STMicroelectronics
1: S/20.59
1,678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP8M120DF3

N.º de artículo de Mouser
511-STGP8M120DF3

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

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1,678En existencias

S/20.59

S/13.70

S/11.09

S/9.85

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT

STGW19NC60HD
STMicroelectronics
1: S/15.45
3,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW19NC60HD

N.º de artículo de Mouser
511-STGW19NC60HD

STMicroelectronics

IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT

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3,236En existencias

S/15.45

S/7.40

S/5.84

S/5.41

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3