Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL160N4F7
STMicroelectronics
1:
S/7.51
4,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL160N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
4,235 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.79
100
S/3.25
500
S/2.58
3,000
S/2.07
6,000
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1,000
S/2.35
6,000
S/2.06
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
STL260N4F7
STMicroelectronics
1:
S/14.29
5,403 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL260N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
5,403 En existencias
1
S/14.29
10
S/9.38
100
S/6.54
500
S/5.76
3,000
S/4.87
6,000
Ver
1,000
S/5.29
6,000
S/4.67
24,000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
STP20NK50Z
STMicroelectronics
1:
S/19.31
4,488 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
4,488 En existencias
1
S/19.31
10
S/9.30
100
S/8.95
1,000
S/8.56
5,000
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5,000
S/8.45
10,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
STP30N65M5
STMicroelectronics
1:
S/28.77
708 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP30N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
708 En existencias
1
S/28.77
10
S/15.49
100
S/14.67
500
S/12.57
1,000
Ver
1,000
S/12.53
10,000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STP33N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/13.74
1,426 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP33N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1,426 En existencias
1
S/13.74
10
S/9.23
100
S/8.56
500
S/7.43
1,000
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1,000
S/6.89
2,000
S/6.85
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP45N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/27.25
1,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP45N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
1,008 En existencias
1
S/27.25
10
S/20.12
100
S/16.27
500
S/14.48
1,000
Ver
1,000
S/11.72
2,000
S/11.17
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
STP7NK80Z
STMicroelectronics
1:
S/14.87
1,938 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP7NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1,938 En existencias
1
S/14.87
10
S/6.70
100
S/6.27
500
S/5.61
1,000
Ver
1,000
S/5.02
2,000
S/4.94
5,000
S/4.87
10,000
Presupuesto
Comprar
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
STS5DNF60L
STMicroelectronics
1:
S/6.50
3,803 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS5DNF60L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
3,803 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.13
100
S/2.75
500
S/2.17
2,500
S/1.84
5,000
Ver
1,000
S/1.98
5,000
S/1.59
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
STS6NF20V
STMicroelectronics
1:
S/3.70
16,886 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS6NF20V
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
16,886 En existencias
1
S/3.70
10
S/2.30
100
S/1.50
500
S/1.16
2,500
S/0.923
5,000
Ver
1,000
S/1.05
5,000
S/0.81
25,000
S/0.728
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STU13N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.25
2,414 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2,414 En existencias
1
S/8.25
10
S/3.73
100
S/3.36
500
S/2.82
3,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
STU7NM60N
STMicroelectronics
1:
S/11.41
1,749 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
1,749 En existencias
1
S/11.41
10
S/4.90
100
S/4.52
500
S/4.09
1,000
Ver
1,000
S/3.53
3,000
S/3.44
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STW12N170K5
STMicroelectronics
1:
S/41.30
1,113 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW12N170K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1,113 En existencias
1
S/41.30
10
S/28.80
100
S/20.63
600
S/20.36
1,200
Ver
1,200
S/19.58
3,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
+1 imagen
STW13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/33.59
1,107 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
1,107 En existencias
1
S/33.59
10
S/20.82
100
S/19.11
600
S/15.41
1,200
S/14.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
STW75N65DM6-4
STMicroelectronics
1:
S/52.98
556 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW75N65DM6-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
556 En existencias
1
S/52.98
10
S/39.16
120
S/34.53
510
S/33.94
1,020
Ver
1,020
S/31.80
5,010
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
+1 imagen
STW77N65M5
STMicroelectronics
1:
S/63.25
511 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW77N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
511 En existencias
1
S/63.25
10
S/39.04
100
S/33.71
600
S/33.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores Darlington DARLINGTON TRAN
BD677
STMicroelectronics
1:
S/0.662
16,542 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BD677
N.º de artículo de Mouser 511-BD677
STMicroelectronics
Transistores Darlington DARLINGTON TRAN
16,542 En existencias
1
S/0.662
10
S/0.646
2,000
S/0.623
4,000
S/0.592
10,000
Ver
10,000
S/0.584
24,000
S/0.561
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
Through Hole
SOT-32
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN High Volt Power
BUX87
STMicroelectronics
1:
S/6.81
3,911 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUX87
N.º de artículo de Mouser 511-BUX87
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN High Volt Power
3,911 En existencias
1
S/6.81
10
S/3.11
100
S/2.49
500
S/2.12
1,000
Ver
1,000
S/1.96
2,000
S/1.80
4,000
S/1.74
10,000
S/1.69
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
SOT-32-3
NPN
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55003S-E
STMicroelectronics
1:
S/36.82
472 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55003S-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
472 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
SD4931
STMicroelectronics
1:
S/342.38
43 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
SD4931
N.º de artículo de Mouser 511-SD4931
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
43 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
M174
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
STB12NK80ZT4
STMicroelectronics
1:
S/22.62
1,035 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB12NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
1,035 En existencias
1
S/22.62
10
S/15.22
100
S/10.98
500
S/10.78
1,000
S/8.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STB38N65M5
STMicroelectronics
1:
S/27.09
787 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
787 En existencias
1
S/27.09
10
S/18.29
100
S/13.58
1,000
S/11.05
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp
STB55NF06T4
STMicroelectronics
1:
S/12.30
3,796 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB55NF06
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp
3,796 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.98
100
S/5.57
500
S/4.71
1,000
S/3.93
5,000
Ver
5,000
S/3.82
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
STB75NF20
STMicroelectronics
1:
S/26.27
1,457 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB75NF20
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
1,457 En existencias
1
S/26.27
10
S/17.79
100
S/13.12
500
S/13.08
1,000
S/10.70
2,000
S/10.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD13N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/8.99
3,154 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD13N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
3,154 En existencias
1
S/8.99
10
S/5.80
100
S/3.93
500
S/3.15
2,500
S/2.61
5,000
Ver
1,000
S/2.90
5,000
S/2.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD13N65M2
STMicroelectronics
1:
S/8.33
3,209 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD13N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
3,209 En existencias
1
S/8.33
10
S/5.33
100
S/3.70
500
S/3.06
2,500
S/2.42
5,000
Ver
1,000
S/2.62
5,000
S/2.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Perú
