MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS
SiC
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
STGIPNS4C60T-H
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IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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IGBTs
Si
SMD/SMT
NSDIP-26
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
STGSH50M120D
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IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
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S/55.16
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IGBTs
Si
SMD/SMT
ACEPACK-9
Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
STIB1560DM2-Z
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Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
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MOSFET Modules
Si
Press Fit
SDIP2B-26
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
STL165N4F8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
STL300N4F8
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S/10.08
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
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S/10.08
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S/2.91
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MOSFETs
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
STL21N65M5
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S/15.03
2,732 En existencias
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511-STL21N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
2,732 En existencias
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S/15.03
10
S/11.99
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S/10.08
500
S/9.89
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S/9.58
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S/9.61
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S/9.58
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Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-HV-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
STU3N62K3
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1:
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2,988 En existencias
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511-STU3N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
2,988 En existencias
1
S/7.63
10
S/3.57
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S/3.25
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S/2.74
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S/2.34
3,000
S/2.08
6,000
S/2.06
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A
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STW19NM50N
STMicroelectronics
1:
S/25.81
428 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW19NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A
428 En existencias
1
S/25.81
10
S/12.61
100
S/11.52
600
S/11.48
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
STD5NM60-1
STMicroelectronics
1:
S/13.27
2,017 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
2,017 En existencias
1
S/13.27
10
S/6.31
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S/5.96
500
S/5.10
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S/4.44
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S/4.20
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
STU3N80K5
STMicroelectronics
1:
S/5.92
2,731 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU3N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
2,731 En existencias
1
S/5.92
10
S/2.91
100
S/2.76
500
S/2.48
1,000
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S/2.11
3,000
S/1.89
9,000
S/1.86
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1:
S/671.42
20 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
20 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
B4E-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
STF6N62K3
STMicroelectronics
1:
S/4.71
1,671 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
1,671 En existencias
1
S/4.71
10
S/3.63
100
S/3.46
500
S/3.41
2,000
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S/3.16
5,000
S/3.15
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU28N65M2
STMicroelectronics
1:
S/8.33
1,787 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU28N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
1,787 En existencias
1
S/8.33
10
S/6.73
100
S/6.38
500
S/5.92
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S/5.33
2,000
S/5.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
STL13NM60N
STMicroelectronics
1:
S/13.20
2,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL13NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
2,235 En existencias
1
S/13.20
10
S/8.60
100
S/6.58
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S/5.49
1,000
S/4.75
3,000
S/4.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
M1F45M12W2-1LA
STMicroelectronics
1:
S/191.67
519 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-M1F45M12W2-1LA
STMicroelectronics
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
519 En existencias
1
S/191.67
11
S/143.36
110
S/136.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
SiC
SMD/SMT
N-Channel