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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU18N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.22
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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978En existencias

S/12.22

S/6.11

S/5.53

S/4.48

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Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

STGW50H65DFB2-4
STMicroelectronics
1: S/20.40
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW50H65DFB2-4

N.º de artículo de Mouser
511-STGW50H65DFB2-4

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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S/20.40

S/11.60

S/8.14

S/7.67

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IGBT Transistors

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.55
431En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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431En existencias

S/23.55

S/13.39

S/11.99

S/10.24

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: S/7.63
2,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2,122En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.29

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.15

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

STD1HN60K3
STMicroelectronics
1: S/8.21
1,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1HN60K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD1HN60K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

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S/8.21

S/5.29

S/3.58

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.30

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Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU26N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.82
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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S/13.82

S/8.95

S/6.85

S/5.76

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

STP8N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.56
984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

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984En existencias

S/11.56

S/5.06

S/4.71

S/4.20

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STB24NM60N
STMicroelectronics
1: S/27.36
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24NM60N

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511-STB24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

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S/27.36

S/18.80

S/14.05

Envase tipo carrete

S/11.25

Presupuesto

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF19NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.19
556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF19NM50N

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511-STF19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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556En existencias

S/19.19

S/10.39

S/9.73

S/8.41

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

STH260N6F6-2
STMicroelectronics
1: S/14.83
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH260N6F6-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH260N6F6-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

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S/14.83

S/11.83

S/9.15

S/8.10

Envase tipo carrete

S/6.34

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

STI13NM60N
STMicroelectronics
1: S/10.47
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

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913En existencias

S/10.47

S/6.70

S/4.55

S/3.81

Ver

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: S/24.17
244En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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S/24.17

S/18.53

S/14.99

S/13.31

S/11.41

Envase tipo carrete

S/11.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: S/29.70
227En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

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227En existencias

Cinta cortada

S/29.70

S/20.98

S/17.48

S/15.57

S/13.86

Envase tipo carrete

S/13.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

STK615N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/18.80
496En existencias
2,000Se espera el 29/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STK615N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STK615N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

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496En existencias

2,000Se espera el 29/06/2026

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S/18.80

S/12.49

S/9.93

S/8.84

S/8.33

Envase tipo carrete

S/7.05

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: S/8.17
910En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL160N6LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N6LF7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

910En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.22

S/3.53

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: S/23.08
1,023En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

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1,023En existencias

S/23.08

S/17.44

S/14.09

S/12.53

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

STF14NM50N
STMicroelectronics
1: S/17.91
1,620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

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1,620En existencias

S/17.91

S/8.76

S/8.17

S/7.24

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

STP7NK40Z
STMicroelectronics
1: S/9.58
2,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

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2,343En existencias

S/9.58

S/3.71

S/2.96

S/2.82

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/671.42
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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110En existencias

Cinta cortada

S/671.42

S/570.33

Envase tipo carrete

S/528.48

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

B4E-5

N-Channel

Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY

ULQ2001A
STMicroelectronics
1: S/5.06
2,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ULQ2001A

N.º de artículo de Mouser
511-ULQ2001A

STMicroelectronics

Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY

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2,608En existencias

S/5.06

S/1.33

S/1.12

S/1.10

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

PDIP-16

NPN

Transistores Darlington Eight NPN Array

ULQ2801A
STMicroelectronics
1: S/13.66
754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ULQ2801A

N.º de artículo de Mouser
511-ULQ2801A

STMicroelectronics

Transistores Darlington Eight NPN Array

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Hoja de datos

754En existencias

S/13.66

S/9.54

S/8.17

S/8.06

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

PDIP-18

NPN

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

A2TBH45M65W3-FC
STMicroelectronics
1: S/362.43
36En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
A2TBH45M65W3-FC

N.º de artículo de Mouser
511-A2TBH45M65W3-FC

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

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36En existencias

S/362.43

S/302.88

S/271.74

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Press Fit

ACEPACK

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

A2U8M12W3-FC
STMicroelectronics
1: S/828.64
18En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
A2U8M12W3-FC

N.º de artículo de Mouser
511-A2U8M12W3-FC

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

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18En existencias

S/828.64

S/706.26

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

Press Fit

56.7 mm x 48 mm

N-Channel

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

M1P45M12W2-1LA
STMicroelectronics
1: S/246.63
123En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
M1P45M12W2-1LA

N.º de artículo de Mouser
511-M1P45M12W2-1LA

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

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123En existencias

S/246.63

S/203.77

S/181.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

Press Fit

ACEPACK DMT-32

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: S/97.35
274En existencias
600Se espera el 16/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT011HU75G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT011HU75G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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Hoja de datos

274En existencias

600Se espera el 16/03/2026

Cinta cortada

S/97.35

S/71.54

S/71.51

Envase tipo carrete

S/58.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3