Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP8N90K5
STMicroelectronics
1:
S/14.64
798 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP8N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
798 En existencias
1
S/14.64
10
S/7.63
100
S/6.89
500
S/5.64
1,000
Ver
1,000
S/5.22
2,000
S/4.98
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
STU7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/10.24
1,841 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
1,841 En existencias
1
S/10.24
10
S/4.75
100
S/4.28
500
S/3.62
1,000
Ver
1,000
S/3.12
3,000
S/2.98
6,000
S/2.95
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
+1 imagen
STW13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/33.59
1,107 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
1,107 En existencias
1
S/33.59
10
S/20.82
100
S/19.11
600
S/15.41
1,200
S/14.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
STW33N60M6
STMicroelectronics
1:
S/21.95
427 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW33N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
427 En existencias
1
S/21.95
10
S/15.84
100
S/11.44
600
S/9.34
1,200
S/9.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
+1 imagen
STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/47.06
454 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
454 En existencias
1
S/47.06
10
S/38.30
100
S/31.92
600
S/23.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
STW75N65DM6-4
STMicroelectronics
1:
S/52.98
556 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW75N65DM6-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
556 En existencias
1
S/52.98
10
S/39.16
120
S/34.53
510
S/33.94
1,020
Ver
1,020
S/31.80
5,010
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/28.26
352 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STWA30N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
352 En existencias
1
S/28.26
10
S/16.97
100
S/12.38
600
S/12.34
3,000
Ver
3,000
S/12.30
25,200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA65N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/28.03
589 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STWA65N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
589 En existencias
1
S/28.03
10
S/20.71
100
S/16.74
600
S/14.52
1,200
Ver
1,200
S/12.73
10,200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA70N65DM6
STMicroelectronics
1:
S/57.57
596 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STWA70N65DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
596 En existencias
1
S/57.57
10
S/42.97
100
S/37.17
600
S/28.77
3,000
Ver
3,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
STO450N6F7
STMicroelectronics
1:
S/23.74
1,620 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STO450N6F7
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
1,620 En existencias
1
S/23.74
10
S/16.50
100
S/11.95
500
S/11.91
1,000
Ver
1,800
S/9.73
1,000
S/10.70
1,800
S/9.73
9,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
STP15N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/9.15
1,962 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STP15N60M2-EP
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
1,962 En existencias
1
S/9.15
10
S/5.29
100
S/4.05
500
S/3.43
1,000
Ver
1,000
S/2.86
2,000
S/2.65
5,000
S/2.51
10,000
S/2.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
STP11NM60ND
STMicroelectronics
1:
S/13.66
498 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STP11NM60ND
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
498 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1:
S/12.49
2,487 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STLD125N4F6AG
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
2,487 En existencias
1
S/12.49
10
S/8.17
100
S/5.80
500
S/4.94
1,000
Ver
2,500
S/3.93
1,000
S/4.48
2,500
S/3.93
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD15N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/9.03
2,461 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STD15N60M2-EP
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
2,461 En existencias
1
S/9.03
10
S/5.76
100
S/4.01
500
S/3.38
2,500
S/2.48
5,000
Ver
1,000
S/2.83
5,000
S/2.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
STD4NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/7.40
2,304 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STD4NK50Z
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
2,304 En existencias
1
S/7.40
10
S/4.71
100
S/3.17
500
S/2.51
2,500
S/1.95
5,000
Ver
1,000
S/2.32
5,000
S/1.94
25,000
S/1.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1:
S/749.81
18 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-RF5L15120CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
18 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
LBB-5
Dual N-Channel
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
M2P45M12W2-1LA
STMicroelectronics
1:
S/246.63
124 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-M2P45M12W2-1LA
Nuevo producto
STMicroelectronics
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
124 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
Press Fit
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
M2TP80M12W2-2LA
STMicroelectronics
1:
S/191.71
127 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-M2TP80M12W2-2LA
Nuevo producto
STMicroelectronics
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
127 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
Press Fit
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT070R70HTO
STMicroelectronics
1:
S/30.36
320 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-SGT070R70HTO
Nuevo producto
STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
320 En existencias
1
S/30.36
10
S/21.76
100
S/19.00
500
S/18.45
1,000
Ver
1,800
S/17.63
1,000
S/18.10
1,800
S/17.63
3,600
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
GaN FETs
GaN
SMD/SMT
TO-LL-11
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STH65N050DM9-7AG
STMicroelectronics
1:
S/35.34
796 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STH65N050DM9-7AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
796 En existencias
1
S/35.34
10
S/25.69
100
S/21.41
500
S/19.07
1,000
S/17.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STHU65N050DM9AG
STMicroelectronics
1:
S/36.98
460 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STHU65N050DM9AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
460 En existencias
1
S/36.98
10
S/27.48
100
S/22.89
600
S/20.40
1,200
S/18.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
360°
+5 imágenes
STD3N65M6
STMicroelectronics
1:
S/6.50
2,441 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3N65M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
2,441 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.13
100
S/2.74
500
S/2.25
2,500
S/1.73
5,000
Ver
1,000
S/2.04
5,000
S/1.67
25,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
STGF5H60DF
STMicroelectronics
1:
S/6.27
2,258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGF5H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
2,258 En existencias
1
S/6.27
10
S/3.23
100
S/2.67
500
S/2.12
1,000
Ver
1,000
S/1.85
2,000
S/1.76
5,000
S/1.59
10,000
S/1.52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220FP-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/11.13
818 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
818 En existencias
1
S/11.13
10
S/5.18
100
S/4.71
500
S/4.01
1,000
Ver
1,000
S/3.43
3,000
S/3.34
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1:
S/75.63
47 En existencias
600 Se espera el 20/04/2026
N.º de artículo de Mouser 511-SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
47 En existencias
600 Se espera el 20/04/2026
1
S/75.63
10
S/71.04
100
S/67.89
600
S/67.18
5,400
Ver
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
Perú
