IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
360°
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STGWA15H120DF2
STMicroelectronics
1:
S/17.94
511 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15H120DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
511 En existencias
1
S/17.94
10
S/11.87
100
S/8.45
600
S/6.77
1,200
S/6.38
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL10LN80K5
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1:
S/15.61
1,973 En existencias
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511-STL10LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
1,973 En existencias
1
S/15.61
10
S/10.20
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S/7.51
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S/6.66
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S/5.76
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-VHV-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
STL22N65M5
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2,585 En existencias
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511-STL22N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
2,585 En existencias
1
S/16.39
10
S/10.78
100
S/7.94
500
S/7.08
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S/6.85
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL33N60DM2
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1:
S/19.93
2,200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
2,200 En existencias
1
S/19.93
10
S/14.32
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S/10.28
500
S/9.96
1,000
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3,000
S/8.14
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S/8.99
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S/8.14
6,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL45N60DM6
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1:
S/28.30
2,682 En existencias
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511-STL45N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
2,682 En existencias
1
S/28.30
10
S/19.42
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S/14.75
500
S/14.52
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S/11.72
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S/13.00
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S/11.72
24,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
STL7LN65K5AG
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1:
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511-STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
5,808 En existencias
1
S/14.13
10
S/9.23
100
S/6.46
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S/5.68
3,000
S/4.79
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S/5.25
6,000
S/4.59
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-VHV-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
STP6NK60Z
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1:
S/11.68
1,276 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP6NK60Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
1,276 En existencias
1
S/11.68
10
S/4.20
100
S/3.85
500
S/3.71
2,000
Ver
2,000
S/3.64
5,000
S/3.57
25,000
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
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STW12NK80Z
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1:
S/19.11
379 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW12NK80Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
379 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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STW13N80K5
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1:
S/20.20
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW13N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
508 En existencias
1
S/20.20
10
S/11.87
100
S/8.68
600
S/7.47
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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STW69N65M5
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1:
S/46.17
696 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW69N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
696 En existencias
1
S/46.17
10
S/31.76
100
S/26.94
600
S/26.86
1,200
S/25.18
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
STB9NK60ZT4
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1:
S/15.96
695 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB9NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
695 En existencias
1
S/15.96
10
S/10.51
100
S/7.40
500
S/6.81
1,000
S/5.61
2,000
S/5.45
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
STD15N65M5
STMicroelectronics
1:
S/11.44
999 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD15N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
999 En existencias
1
S/11.44
10
S/7.40
100
S/5.22
500
S/4.32
1,000
S/3.93
2,500
S/3.53
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD6N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/7.94
2,132 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
2,132 En existencias
1
S/7.94
10
S/5.02
100
S/3.37
500
S/2.76
2,500
S/2.05
5,000
Ver
1,000
S/2.42
5,000
S/1.92
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
STE40NC60
STMicroelectronics
1:
S/155.47
146 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
146 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
ISOTOP-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
STF14N80K5
STMicroelectronics
1:
S/14.83
794 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF14N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
794 En existencias
1
S/14.83
10
S/9.61
100
S/6.85
500
S/5.61
1,000
Ver
1,000
S/5.14
2,000
S/4.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF4LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.91
1,852 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF4LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,852 En existencias
1
S/8.91
10
S/4.36
100
S/3.93
500
S/3.11
1,000
Ver
1,000
S/2.75
2,000
S/2.60
5,000
S/2.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
STGD8NC60KDT4
STMicroelectronics
1:
S/6.97
2,387 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD8NC60KDT4
STMicroelectronics
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
2,387 En existencias
1
S/6.97
10
S/4.44
100
S/2.97
500
S/2.35
2,500
S/1.83
5,000
Ver
1,000
S/2.15
5,000
S/1.82
25,000
S/1.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
STGIPNS3H60T-H
STMicroelectronics
1:
S/31.57
340 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPNS3H60T-H
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
340 En existencias
1
S/31.57
10
S/25.65
100
S/19.03
400
S/12.88
800
S/12.73
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
SMD/SMT
NSDIP-26
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
STGIPQ5C60T-HZ
STMicroelectronics
1:
S/34.29
219 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPQ5C60T-HZ
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
219 En existencias
1
S/34.29
10
S/21.64
100
S/17.91
360
S/17.36
2,520
Ver
2,520
S/17.32
10,080
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
SiC
Through Hole
N2DIP-26
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
STGP10H60DF
STMicroelectronics
1:
S/8.49
1,971 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGP10H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1,971 En existencias
1
S/8.49
10
S/3.55
100
S/3.28
500
S/2.88
1,000
Ver
1,000
S/2.72
2,000
S/2.50
5,000
S/2.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP12N60M2
STMicroelectronics
1:
S/9.11
968 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP12N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
968 En existencias
1
S/9.11
10
S/4.79
100
S/3.97
500
S/3.21
1,000
Ver
1,000
S/2.91
2,000
S/2.69
5,000
S/2.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
STP13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/27.21
374 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
374 En existencias
1
S/27.21
10
S/14.83
100
S/13.86
1,000
S/13.82
10,000
Ver
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP18N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/12.34
1,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP18N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
1,235 En existencias
1
S/12.34
10
S/6.54
100
S/5.88
500
S/4.83
1,000
Ver
1,000
S/4.16
2,000
S/4.01
10,000
S/3.97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP46N60M6
STMicroelectronics
1:
S/28.80
996 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP46N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
996 En existencias
1
S/28.80
10
S/20.32
100
S/16.93
500
S/15.80
1,000
S/12.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
1:
S/15.06
810 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
810 En existencias
1
S/15.06
10
S/7.67
100
S/6.93
500
S/6.50
1,000
Ver
1,000
S/5.25
2,000
S/5.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel