Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
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S/9.19
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
+2 imágenes
STN83003
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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S/3.35
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
STP24N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
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S/6.07
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S/5.02
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S/4.63
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
STP2N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
STP34NM60ND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STP38N65M5
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N.º de artículo de Mouser 511-STP38N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
483 En existencias
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S/23.24
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S/11.44
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S/10.90
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S/9.38
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S/9.03
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
STP4NK80ZFP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
1,359 En existencias
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S/11.83
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S/4.63
100
S/4.20
500
S/3.78
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S/3.71
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S/3.65
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S/3.63
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Presupuesto
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
STP5N105K5
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N.º de artículo de Mouser 511-STP5N105K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
761 En existencias
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S/12.61
10
S/5.76
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S/5.37
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S/4.83
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S/4.48
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S/4.16
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4
STP5NK50ZFP
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N.º de artículo de Mouser 511-STP5NK50ZFP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4
849 En existencias
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S/10.43
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S/5.18
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S/4.67
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S/3.74
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
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STW15N80K5
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S/19.42
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N.º de artículo de Mouser 511-STW15N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
425 En existencias
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S/19.42
10
S/10.78
100
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S/7.90
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
+1 imagen
STW24N60M2
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1:
S/13.62
860 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
860 En existencias
1
S/13.62
10
S/6.50
100
S/5.53
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S/4.94
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S/4.40
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
+1 imagen
STW33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/20.47
394 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
394 En existencias
1
S/20.47
10
S/12.65
100
S/8.95
600
S/8.56
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
MJD3055T4
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1:
S/5.45
2,236 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-MJD3055
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
2,236 En existencias
1
S/5.45
10
S/3.44
100
S/2.39
500
S/1.90
2,500
S/1.59
5,000
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S/1.76
5,000
S/1.52
10,000
S/1.51
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
NPN
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
PD54003-E
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1:
S/46.52
115 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
115 En existencias
1
S/46.52
10
S/23.47
100
S/23.20
400
S/22.97
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
STB130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/9.58
1,739 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
1,739 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.15
100
S/4.20
500
S/3.48
1,000
S/2.93
2,000
Ver
2,000
S/2.69
5,000
S/2.63
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB18N60M6
STMicroelectronics
1:
S/12.14
883 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB18N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
883 En existencias
1
S/12.14
10
S/7.90
100
S/5.57
500
S/4.71
1,000
S/4.05
2,000
S/3.73
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB35N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/23.51
578 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB35N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
578 En existencias
1
S/23.51
10
S/15.92
100
S/11.83
500
S/11.37
1,000
S/9.15
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
STB36NF06LT4
STMicroelectronics
1:
S/8.25
1,393 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB36NF06LT4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1,393 En existencias
1
S/8.25
10
S/5.29
100
S/3.57
500
S/2.85
1,000
S/2.66
2,000
Ver
2,000
S/2.31
5,000
S/2.21
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
1:
S/16.50
602 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
602 En existencias
1
S/16.50
10
S/10.82
100
S/8.10
500
S/7.20
1,000
Ver
1,000
S/5.72
5,000
S/5.68
25,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF10LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/14.29
650 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF10LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
650 En existencias
1
S/14.29
10
S/7.36
100
S/6.66
500
S/5.76
1,000
Ver
1,000
S/4.87
2,000
S/4.63
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
STF15N95K5
STMicroelectronics
1:
S/18.96
671 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF15N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
671 En existencias
1
S/18.96
10
S/9.26
100
S/8.68
500
S/7.75
1,000
Ver
1,000
S/7.01
5,000
S/6.77
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
STF6N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.67
1,784 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF6N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1,784 En existencias
1
S/7.67
10
S/3.69
100
S/3.30
500
S/2.62
1,000
Ver
1,000
S/2.38
2,000
S/2.21
5,000
S/2.02
10,000
S/2.00
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
STF6N90K5
STMicroelectronics
1:
S/10.90
983 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF6N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
983 En existencias
1
S/10.90
10
S/5.41
100
S/4.32
500
S/3.89
1,000
Ver
1,000
S/3.51
2,000
S/3.35
5,000
S/3.24
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU10N80K5
STMicroelectronics
1:
S/14.67
981 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU10N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
981 En existencias
1
S/14.67
10
S/9.54
100
S/7.47
500
S/6.31
1,000
Ver
1,000
S/4.98
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STGP30M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/12.38
980 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP30M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
980 En existencias
1
S/12.38
10
S/5.41
100
S/5.06
500
S/4.52
1,000
Ver
1,000
S/4.16
2,000
S/3.89
5,000
S/3.85
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Perú
