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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STW7N95K3
STMicroelectronics
1: S/26.98
574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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Hoja de datos

574En existencias

S/26.98

S/14.64

S/11.13

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW88N65M5-4
STMicroelectronics
1: S/53.56
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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Hoja de datos

166En existencias

S/53.56

S/41.30

S/36.01

S/35.97

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

STW9NK95Z
STMicroelectronics
1: S/15.57
777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9NK95Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW9NK95Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

Hoja de datos

777En existencias

S/15.57

S/8.56

S/5.88

S/5.45

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
1: S/40.40
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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Hoja de datos

492En existencias

S/40.40

S/24.37

S/19.42

S/19.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

STY105NM50N
STMicroelectronics
1: S/97.70
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY105NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

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Hoja de datos

186En existencias

S/97.70

S/62.59

S/58.74

S/58.70

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Max247-3

N-Channel

Transistores Darlington NPN General Purpose

BD679A
STMicroelectronics
1: S/3.78
5,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BD679A

N.º de artículo de Mouser
511-BD679A

STMicroelectronics

Transistores Darlington NPN General Purpose

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5,477En existencias

S/3.78

S/1.42

S/1.15

S/0.981

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

SOT-32

NPN

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/84.66
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

580En existencias

Cinta cortada

S/84.66

S/63.53

S/56.67

Envase tipo carrete

S/55.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: S/120.51
189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

189En existencias

S/120.51

S/80.30

S/80.26

S/80.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH

STB14NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/20.47
620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH

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620En existencias

Cinta cortada

S/20.47

S/13.66

S/9.77

Envase tipo carrete

S/7.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

STB23NM50N
STMicroelectronics
1: S/18.76
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

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476En existencias

Cinta cortada

S/18.76

S/14.67

S/10.55

S/10.28

Envase tipo carrete

S/8.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.32
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

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2,947En existencias

S/10.32

S/4.83

S/4.16

S/3.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

STD5N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.89
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

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1,691En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/4.40

S/2.94

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/13.86
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF27N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF27N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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707En existencias

S/13.86

S/7.01

S/6.34

S/5.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

STF6N65K3
STMicroelectronics
1: S/12.38
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N65K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N65K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

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Hoja de datos

795En existencias

S/12.38

S/3.93

S/3.89

S/3.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.66
1,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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1,994En existencias

S/6.66

S/3.18

S/2.84

S/2.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen

STF7NM60N
STMicroelectronics
1: S/8.76
575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen

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575En existencias

S/8.76

S/5.61

S/5.22

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

STF9NM60N
STMicroelectronics
1: S/9.30
1,712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

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Hoja de datos

1,712En existencias

S/9.30

S/4.63

S/4.13

S/3.58

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT

STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
1: S/10.24
898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB10NB37LZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB10NB37LZT4

STMicroelectronics

IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT

Hoja de datos

898En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.71

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

STGB15M65DF2
STMicroelectronics
1: S/9.58
1,457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB15M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGB15M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

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Hoja de datos

1,457En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.19

S/4.24

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

STGB30H60DLLFBAG
STMicroelectronics
1: S/13.90
1,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB30H60DLLFBAG

N.º de artículo de Mouser
511-STGB30H60DLLFBAG

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Hoja de datos

1,015En existencias

Cinta cortada

S/13.90

S/9.11

S/6.34

S/5.57

Envase tipo carrete

S/4.79

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp

STGB7NC60HDT4
STMicroelectronics
1: S/11.33
1,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB7NC60HDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB7NC60HD

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp

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Hoja de datos

1,181En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.36

S/5.10

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.73

S/3.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp

STGD5NB120SZT4
STMicroelectronics
1: S/9.23
1,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD5NB120SZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD5NB120SZ

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp

Hoja de datos

1,438En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.05

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs

STGIB15CH60S-L
STMicroelectronics
1: S/54.81
121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGIB15CH60S-L

N.º de artículo de Mouser
511-STGIB15CH60S-L

STMicroelectronics

Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs

Hoja de datos

121En existencias

S/54.81

S/40.91

S/28.49

S/27.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

STGP20H60DF
STMicroelectronics
1: S/9.42
1,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP20H60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGP20H60DF

STMicroelectronics

IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

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Hoja de datos

1,086En existencias

S/9.42

S/4.63

S/4.16

S/3.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

STGWA20H65DFB2
STMicroelectronics
1: S/13.00
950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA20H65DFB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

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Hoja de datos

950En existencias

S/13.00

S/7.98

S/5.49

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3