Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
STU6N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.95
2,970 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU6N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
2,970 En existencias
1
S/8.95
10
S/4.16
100
S/3.74
500
S/3.17
1,000
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1,000
S/3.09
24,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
D44H8
STMicroelectronics
1:
S/6.42
2,622 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
D44H8
N.º de artículo de Mouser 511-D44H8
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
2,622 En existencias
1
S/6.42
10
S/2.24
100
S/2.04
500
S/1.74
1,000
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S/1.62
10,000
S/1.56
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD6N65M2
STMicroelectronics
1:
S/5.45
3,192 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
3,192 En existencias
1
S/5.45
10
S/3.59
100
S/2.43
500
S/1.92
2,500
S/1.41
5,000
Ver
1,000
S/1.74
5,000
S/1.39
10,000
S/1.36
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
STD7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/10.04
1,325 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
1,325 En existencias
1
S/10.04
10
S/6.50
100
S/4.55
500
S/3.67
2,500
S/3.00
10,000
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1,000
S/3.33
10,000
S/2.99
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD8N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/6.23
1,756 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD8N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1,756 En existencias
1
S/6.23
10
S/4.44
100
S/3.02
500
S/2.41
2,500
S/1.90
5,000
Ver
1,000
S/2.17
5,000
S/1.72
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
STF10NM60N
STMicroelectronics
1:
S/13.55
772 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF10NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
772 En existencias
1
S/13.55
10
S/7.40
100
S/6.89
500
S/6.34
1,000
Ver
1,000
S/5.72
2,000
S/5.53
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
360°
+6 imágenes
STGB10H60DF
STMicroelectronics
1:
S/9.07
1,580 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB10H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
1,580 En existencias
1
S/9.07
10
S/5.84
100
S/4.01
500
S/3.19
1,000
S/2.89
2,000
Ver
2,000
S/2.60
5,000
S/2.46
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Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGWA40H120F2
STMicroelectronics
1:
S/28.88
580 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA40H120F2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
580 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
STGWT30H60DFB
STMicroelectronics
1:
S/11.64
728 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWT30H60DFB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
728 En existencias
1
S/11.64
10
S/7.01
100
S/5.25
600
S/5.06
1,200
S/4.87
Comprar
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-3P
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1:
S/13.31
899 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH6N95K5-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
899 En existencias
1
S/13.31
10
S/8.72
100
S/6.07
500
S/5.25
1,000
S/4.55
2,000
S/4.24
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
STL105N8F7AG
STMicroelectronics
1:
S/10.08
1,873 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL105N8F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
1,873 En existencias
1
S/10.08
10
S/6.50
100
S/4.48
500
S/3.57
3,000
S/2.93
6,000
Ver
1,000
S/3.38
6,000
S/2.91
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
STP11NK40Z
STMicroelectronics
1:
S/10.70
1,329 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP11NK40Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1,329 En existencias
1
S/10.70
10
S/3.75
100
S/3.36
500
S/3.29
2,000
Ver
2,000
S/3.28
5,000
S/3.16
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
1:
S/12.26
1,256 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
1,256 En existencias
1
S/12.26
10
S/6.15
100
S/5.53
500
S/4.52
1,000
Ver
1,000
S/3.93
2,000
S/3.86
5,000
S/3.81
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
STP22NM60N
STMicroelectronics
1:
S/18.80
601 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP22NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
601 En existencias
1
S/18.80
10
S/9.11
100
S/8.52
500
S/7.55
1,000
S/7.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
STP24NM60N
STMicroelectronics
1:
S/16.19
636 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP24NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
636 En existencias
1
S/16.19
10
S/7.55
100
S/7.12
500
S/6.46
1,000
Ver
1,000
S/5.80
2,000
S/5.68
5,000
S/5.64
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP28N65M2
STMicroelectronics
1:
S/13.90
503 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP28N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
503 En existencias
1
S/13.90
10
S/6.77
100
S/6.31
500
S/5.53
1,000
Ver
1,000
S/5.10
2,000
S/4.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
STP2NK90Z
STMicroelectronics
1:
S/10.32
817 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP2NK90Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
817 En existencias
1
S/10.32
10
S/5.14
100
S/4.63
500
S/4.01
1,000
Ver
1,000
S/3.38
2,000
S/3.18
5,000
S/3.05
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
+1 imagen
STP33N60M6
STMicroelectronics
1:
S/19.58
673 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP33N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
673 En existencias
1
S/19.58
10
S/13.00
100
S/9.26
500
S/7.67
1,000
S/7.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
+1 imagen
STP36N60M6
STMicroelectronics
1:
S/22.34
966 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP36N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
966 En existencias
1
S/22.34
10
S/13.31
100
S/12.73
500
S/10.86
1,000
Ver
1,000
S/9.96
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP5N80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.95
1,143 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP5N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1,143 En existencias
1
S/8.95
10
S/3.46
100
S/3.21
500
S/2.85
1,000
Ver
1,000
S/2.69
2,000
S/2.66
5,000
S/2.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
STP5NK80ZFP
STMicroelectronics
1:
S/8.91
996 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP5NK80ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
996 En existencias
1
S/8.91
10
S/5.53
100
S/5.14
500
S/4.55
1,000
Ver
1,000
S/4.32
2,000
S/4.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package
STP7N105K5
STMicroelectronics
1:
S/14.21
907 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP7N105K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package
907 En existencias
1
S/14.21
10
S/7.20
100
S/6.50
500
S/6.19
1,000
Ver
1,000
S/4.90
2,000
S/4.63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
STP80NF10
STMicroelectronics
1:
S/14.64
816 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP80NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
816 En existencias
1
S/14.64
10
S/7.43
100
S/6.73
500
S/5.53
1,000
Ver
1,000
S/5.06
2,000
S/4.83
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
1:
S/5.18
3,767 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
3,767 En existencias
1
S/5.18
10
S/3.29
100
S/2.18
500
S/1.73
2,000
S/1.34
4,000
Ver
1,000
S/1.54
4,000
S/1.25
10,000
S/1.20
24,000
S/1.19
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH
+1 imagen
STW52NK25Z
STMicroelectronics
1:
S/27.56
394 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW52NK25Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH
394 En existencias
1
S/27.56
10
S/15.84
100
S/11.41
600
S/11.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Perú
