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STMicroelectronics Transistores

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Tipos de Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.51
1,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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1,056En existencias

S/13.51

S/6.07

S/5.68

S/5.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/2.49
2,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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2,896En existencias

S/2.49

S/2.43

S/2.27

S/2.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

STP34NM60ND
STMicroelectronics
1: S/23.98
663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP34NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP34NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD

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663En existencias

S/23.98

S/22.93

S/22.07

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.24
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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483En existencias

S/23.24

S/11.44

S/10.90

S/9.38

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STP4NK80ZFP
STMicroelectronics
1: S/11.83
1,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK80ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK80ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

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1,359En existencias

S/11.83

S/4.63

S/4.20

S/3.78

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP5N105K5
STMicroelectronics
1: S/12.61
761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N105K5

STMicroelectronics

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761En existencias

S/12.61

S/5.76

S/5.37

S/4.83

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

STP5NK50ZFP
STMicroelectronics
1: S/10.43
849En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK50ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK50ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

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849En existencias

S/10.43

S/5.18

S/4.67

S/3.74

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

STW15N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.42
425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

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425En existencias

S/19.42

S/10.78

S/8.37

S/7.90

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STW24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.62
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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Hoja de datos

860En existencias

S/13.62

S/6.50

S/5.53

S/4.94

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STW33N60M2
STMicroelectronics
1: S/20.47
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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Hoja de datos

394En existencias

S/20.47

S/12.65

S/8.95

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)

STWA88N65M5
STMicroelectronics
1: S/51.03
316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA88N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)

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Hoja de datos

316En existencias

S/51.03

S/31.53

S/31.49

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

ST13007D
STMicroelectronics
1: S/8.25
1,338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ST13007D

N.º de artículo de Mouser
511-ST13007D

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

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Hoja de datos

1,338En existencias

S/8.25

S/2.91

S/2.63

S/2.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

TO-220-3

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.46
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1,075En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

STB30NF10T4
STMicroelectronics
1: S/7.86
1,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB30NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,412En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.39

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: S/8.64
1,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

1,632En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.53

S/3.81

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

STD20NF10T4
STMicroelectronics
1: S/6.15
2,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD20NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

Hoja de datos

2,136En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.86

S/2.56

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: S/6.81
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

2,222En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

STD80N3LL
STMicroelectronics
1: S/3.66
2,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

Hoja de datos

2,977En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.58

S/1.88

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.27
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Hoja de datos

981En existencias

S/13.27

S/6.70

S/6.03

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct

STGIF10CH60TS-L
STMicroelectronics
1: S/51.23
97En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGIF10CH60TS-L

N.º de artículo de Mouser
511-STGIF10CH60TS-L

STMicroelectronics

Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct

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Hoja de datos

97En existencias

S/51.23

S/34.53

S/26.90

S/25.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

SDIP2F-26

IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

STGP19NC60KD
STMicroelectronics
1: S/12.49
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP19NC60KD

N.º de artículo de Mouser
511-STGP19NC60KD

STMicroelectronics

IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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Hoja de datos

997En existencias

S/12.49

S/6.27

S/5.64

S/4.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
1: S/32.15
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW80H65DFB-4

N.º de artículo de Mouser
511-STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Hoja de datos

258En existencias

S/32.15

S/23.39

S/19.50

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
1: S/14.09
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWA50HP65FB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA50HP65FB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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Hoja de datos

662En existencias

S/14.09

S/7.71

S/5.25

S/4.87

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
1: S/35.85
380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGYA120M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGYA120M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

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Hoja de datos

380En existencias

S/35.85

S/21.02

S/18.02

S/17.98

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Max247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

STI20N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.99
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STI20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

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Hoja de datos

958En existencias

S/14.99

S/7.24

S/5.96

S/5.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3