Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1:
S/6.38
3,100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS10P4LLF6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
3,100 En existencias
1
S/6.38
10
S/4.05
100
S/2.71
500
S/2.13
2,500
S/1.69
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S/1.95
5,000
S/1.56
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S/1.55
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW20N90K5
STMicroelectronics
1:
S/29.39
365 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW20N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
365 En existencias
1
S/29.39
10
S/17.09
100
S/12.46
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S/12.42
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA75N65DM6
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1:
S/54.88
407 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STWA75N65DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
407 En existencias
1
S/54.88
10
S/40.75
100
S/35.42
600
S/31.68
1,200
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S/29.97
10,200
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MOSFETs
Si
Through Hole
N-Channel
Transistores Darlington NPN General Purpose
BD679A
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BD679A
N.º de artículo de Mouser 511-BD679A
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Transistores Darlington NPN General Purpose
5,477 En existencias
1
S/3.78
10
S/1.42
100
S/1.15
500
S/0.981
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S/0.915
2,000
S/0.876
4,000
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S/0.786
24,000
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Darlington Transistors
Through Hole
SOT-32
NPN
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E
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1:
S/84.66
580 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55015TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
580 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/84.66
10
S/63.53
100
S/56.67
600
S/55.00
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD55025-E
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1:
S/120.51
189 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55025-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
189 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/120.51
10
S/80.30
100
S/80.26
400
S/80.22
10,000
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10,000
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
STB14NK60ZT4
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1:
S/20.47
630 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB14NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
630 En existencias
1
S/20.47
10
S/13.66
100
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1,000
S/7.63
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
STB23NM50N
STMicroelectronics
1:
S/18.76
476 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB23NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
476 En existencias
1
S/18.76
10
S/14.67
100
S/10.55
500
S/10.28
1,000
S/8.33
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A
STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
1:
S/10.32
2,947 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A
2,947 En existencias
1
S/10.32
10
S/4.83
100
S/4.16
500
S/3.67
1,000
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S/3.23
3,000
S/3.03
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
STD5N62K3
STMicroelectronics
1:
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1,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD5N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
1,691 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.40
100
S/2.94
500
S/2.32
2,500
S/1.84
5,000
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S/2.13
5,000
S/1.83
25,000
S/1.82
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/13.86
707 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
707 En existencias
1
S/13.86
10
S/7.01
100
S/6.34
500
S/5.18
1,000
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1,000
S/4.75
2,000
S/4.48
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
STF6N65K3
STMicroelectronics
1:
S/12.38
795 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF6N65K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
795 En existencias
1
S/12.38
10
S/3.93
1,000
S/3.89
10,000
S/3.75
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STF7N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.66
1,994 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1,994 En existencias
1
S/6.66
10
S/3.18
100
S/2.84
500
S/2.24
1,000
Ver
1,000
S/2.04
2,000
S/1.88
5,000
S/1.70
10,000
S/1.65
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
STF7NM60N
STMicroelectronics
1:
S/8.76
575 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
575 En existencias
1
S/8.76
10
S/5.61
100
S/5.22
500
S/4.90
1,000
Ver
1,000
S/4.87
2,000
S/4.67
10,000
S/4.55
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
STF9NM60N
STMicroelectronics
1:
S/9.30
1,714 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF9NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
1,714 En existencias
1
S/9.30
10
S/4.63
100
S/4.13
500
S/3.58
1,000
Ver
1,000
S/3.06
2,000
S/2.76
5,000
S/2.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
360°
+6 imágenes
STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
1:
S/10.24
898 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
898 En existencias
1
S/10.24
10
S/6.62
100
S/4.71
500
S/3.93
1,000
S/3.38
2,000
Ver
2,000
S/3.02
5,000
S/3.00
Comprar
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Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
STGB15M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/9.58
1,457 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB15M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
1,457 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
S/4.24
500
S/3.38
1,000
S/2.86
2,000
Ver
2,000
S/2.77
5,000
S/2.72
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Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
IGBTs EAS 180 mJ-400 V
STGB18N40LZT4
STMicroelectronics
1:
S/9.65
1,452 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB18N40LZT4
STMicroelectronics
IGBTs EAS 180 mJ-400 V
1,452 En existencias
1
S/9.65
10
S/6.23
100
S/4.24
500
S/3.40
1,000
S/3.04
2,000
Ver
2,000
S/2.79
5,000
S/2.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGB30H60DLLFBAG
STMicroelectronics
1:
S/13.90
1,015 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB30H60DLLFBAG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1,015 En existencias
1
S/13.90
10
S/9.11
100
S/6.34
500
S/5.57
1,000
S/4.79
2,000
S/4.52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
STGB7NC60HDT4
STMicroelectronics
1:
S/11.33
1,181 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB7NC60HD
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
1,181 En existencias
1
S/11.33
10
S/7.36
100
S/5.10
500
S/4.24
1,000
S/3.73
2,000
S/3.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
360°
+6 imágenes
STGIB15CH60S-L
STMicroelectronics
1:
S/54.81
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIB15CH60S-L
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
121 En existencias
1
S/54.81
10
S/40.91
100
S/28.49
468
S/27.44
1,092
Ver
1,092
S/27.40
10,140
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
STGP20H60DF
STMicroelectronics
1:
S/9.42
1,086 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP20H60DF
STMicroelectronics
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1,086 En existencias
1
S/9.42
10
S/4.63
100
S/4.16
500
S/3.32
1,000
Ver
1,000
S/3.09
2,000
S/2.83
5,000
S/2.66
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
STGWA20H65DFB2
STMicroelectronics
1:
S/13.00
990 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA20H65DFB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
990 En existencias
1
S/13.00
10
S/7.98
100
S/5.49
600
S/4.90
1,200
Ver
1,200
S/4.40
3,000
S/3.93
5,400
S/3.87
10,200
S/3.85
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
STMicroelectronics
1:
S/9.19
1,787 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL10N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1,787 En existencias
1
S/9.19
10
S/5.92
100
S/4.05
500
S/3.25
1,000
S/2.97
3,000
S/2.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
+2 imágenes
STN83003
STMicroelectronics
1:
S/3.35
6,550 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STN83003
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
6,550 En existencias
1
S/3.35
10
S/2.01
100
S/1.35
500
S/1.03
1,000
S/0.689
2,000
Ver
2,000
S/0.673
5,000
S/0.654
25,000
S/0.631
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
NPN
Perú
