Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55025S-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
STB14NM50N
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N.º de artículo de Mouser 511-STB14NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
667 En existencias
1
S/19.03
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MOSFETs
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
STB20NM50T4
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N.º de artículo de Mouser 511-STB20NM50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
967 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
STB30N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
1,000 En existencias
1
S/27.13
10
S/18.33
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
STB4NK60ZT4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
1,535 En existencias
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10
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
2,369 En existencias
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S/10.67
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N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
STD8N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
1,872 En existencias
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S/12.42
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF12N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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S/9.11
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Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
STF21N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
959 En existencias
1
S/21.33
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF4N90K5
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1,365 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF4N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,365 En existencias
1
S/9.65
10
S/4.79
100
S/4.09
500
S/3.54
1,000
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S/3.23
2,000
S/2.78
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S/2.69
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
STFW40N60M2
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1:
S/17.44
446 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW40N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
446 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
IGBTs N-channel MOSFET
STGB10NC60KDT4
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1:
S/7.75
1,433 En existencias
1,000 Se espera el 19/03/2026
N.º de artículo de Mouser 511-STGB10NC60KDT4
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IGBTs N-channel MOSFET
1,433 En existencias
1,000 Se espera el 19/03/2026
1
S/7.75
10
S/4.94
100
S/3.34
500
S/2.92
1,000
S/2.48
2,000
Ver
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S/2.15
5,000
S/2.03
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
STGB8NC60KDT4
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1:
S/8.02
1,860 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB8NC60KDT4
STMicroelectronics
IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
1,860 En existencias
1
S/8.02
10
S/5.10
100
S/3.39
500
S/2.78
1,000
S/2.39
2,000
Ver
2,000
S/2.06
5,000
S/1.93
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
+4 imágenes
STGD4M65DF2
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1:
S/5.92
2,128 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD4M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
2,128 En existencias
1
S/5.92
10
S/3.73
100
S/2.48
500
S/1.95
2,500
S/1.49
5,000
Ver
1,000
S/1.76
5,000
S/1.43
10,000
S/1.41
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs PowerMESH" IGBT
STGP14NC60KD
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1:
S/7.63
2,050 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP14NC60KD
STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH" IGBT
2,050 En existencias
1
S/7.63
10
S/3.78
100
S/3.40
500
S/2.65
1,000
Ver
1,000
S/2.47
2,000
S/2.30
5,000
S/2.08
10,000
S/2.07
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
STH180N10F3-2
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1:
S/20.71
1,072 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH180N10F3-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
1,072 En existencias
1
S/20.71
10
S/13.78
100
S/9.89
500
S/9.50
1,000
S/8.02
2,000
Ver
2,000
S/7.75
5,000
S/7.71
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
1:
S/26.90
773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
773 En existencias
1
S/26.90
10
S/18.18
100
S/13.47
500
S/13.43
1,000
S/10.98
5,000
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Presupuesto
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
STL125N8F7AG
STMicroelectronics
1:
S/12.14
2,955 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL125N8F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
2,955 En existencias
1
S/12.14
10
S/7.90
100
S/5.49
500
S/4.63
1,000
S/4.52
3,000
S/3.75
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/11.79
1,440 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1,440 En existencias
1
S/11.79
10
S/7.67
100
S/5.29
500
S/4.44
3,000
S/3.54
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-HV-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
STL52N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/24.02
1,501 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL52N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
1,501 En existencias
1
S/24.02
10
S/18.37
100
S/14.87
500
S/13.23
1,000
S/11.37
3,000
S/10.20
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STP10N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.79
1,799 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
1,799 En existencias
1
S/7.79
10
S/3.69
100
S/3.40
500
S/2.60
1,000
Ver
1,000
S/2.44
2,000
S/2.28
5,000
S/2.08
10,000
S/2.07
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
+1 imagen
STP24N60M6
STMicroelectronics
1:
S/12.46
792 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP24N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
792 En existencias
1
S/12.46
10
S/6.23
100
S/5.64
500
S/4.55
1,000
Ver
1,000
S/4.20
2,000
S/3.89
5,000
S/3.88
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
STP34N65M5
STMicroelectronics
1:
S/19.89
1,225 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP34N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
1,225 En existencias
1
S/19.89
10
S/12.92
100
S/11.95
500
S/11.64
1,000
Ver
1,000
S/10.63
2,000
S/9.69
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP50N65DM6
STMicroelectronics
1:
S/30.52
773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP50N65DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
773 En existencias
1
S/30.52
10
S/21.53
100
S/17.94
500
S/16.00
1,000
S/13.04
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
STP7N95K3
STMicroelectronics
1:
S/15.73
934 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP7N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
934 En existencias
1
S/15.73
10
S/7.32
100
S/6.42
500
S/6.23
1,000
Ver
1,000
S/5.41
5,000
S/5.29
10,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Perú
