Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
STP60NF10
STMicroelectronics
1:
S/10.47
2,117 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP60NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
2,117 En existencias
1
S/10.47
10
S/4.16
100
S/3.64
500
S/3.18
1,000
Ver
1,000
S/2.98
10,000
S/2.92
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp
STP80NF12
STMicroelectronics
1:
S/10.86
1,627 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP80NF12
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp
1,627 En existencias
1
S/10.86
10
S/4.16
100
S/3.88
500
S/3.46
1,000
Ver
1,000
S/3.36
2,000
S/3.35
5,000
S/3.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
STP9NK60Z
STMicroelectronics
1:
S/13.55
1,750 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP9NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
1,750 En existencias
1
S/13.55
10
S/6.85
100
S/6.03
500
S/5.06
1,000
Ver
1,000
S/4.55
2,000
S/4.36
10,000
S/4.32
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
+1 imagen
STW40N60M2
STMicroelectronics
1:
S/19.70
1,100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW40N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A
1,100 En existencias
1
S/19.70
10
S/10.78
100
S/8.87
600
S/8.33
1,200
S/8.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
+1 imagen
STW45N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/28.49
482 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW45N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
482 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
+1 imagen
STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/28.53
662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
662 En existencias
1
S/28.53
10
S/16.47
100
S/11.91
600
S/11.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
STY60NK30Z
STMicroelectronics
1:
S/52.43
483 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STY60NK30Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
483 En existencias
1
S/52.43
10
S/31.84
100
S/26.43
600
S/26.39
3,000
Ver
3,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
STP11NM60FDFP
STMicroelectronics
1:
S/14.05
537 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STP11NM60FDFP
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
537 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores Darlington Seven NPN Array
ULN2002D1013TR
STMicroelectronics
1:
S/2.37
5,311 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ULN2002D1013TR
STMicroelectronics
Transistores Darlington Seven NPN Array
5,311 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.37
10
S/1.44
100
S/1.19
500
S/1.12
2,500
S/0.876
5,000
Ver
1,000
S/1.10
5,000
S/0.743
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
SMD/SMT
SOIC-16
NPN
Transistores Darlington Eight NPN Array
ULQ2802A
STMicroelectronics
1:
S/9.11
682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ULQ2802A
STMicroelectronics
Transistores Darlington Eight NPN Array
682 En existencias
1
S/9.11
10
S/6.19
100
S/5.25
500
S/5.06
1,000
Ver
1,000
S/4.28
2,000
S/4.13
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
Through Hole
PDIP-18
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
1:
S/15.61
2,251 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STLD200N4F6AG
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
2,251 En existencias
1
S/15.61
10
S/10.28
100
S/7.47
500
S/6.62
1,000
S/6.46
2,500
S/5.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
+1 imagen
STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
1:
S/8.41
654 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
654 En existencias
1
S/8.41
10
S/5.41
100
S/3.73
500
S/3.16
3,000
S/2.30
6,000
Ver
1,000
S/2.64
6,000
S/2.19
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU6N65M2
STMicroelectronics
1:
S/6.07
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU6N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
45 En existencias
1
S/6.07
10
S/2.98
100
S/2.46
500
S/2.04
1,000
Ver
1,000
S/1.74
3,000
S/1.54
9,000
S/1.46
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
SD2931-11W
STMicroelectronics
1:
S/328.64
5 En existencias
250 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-SD2931-11W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
5 En existencias
250 En pedido
Ver fechas
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
100 Se espera el 27/04/2026
150 Se espera el 4/05/2026
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
1
S/328.64
10
S/273.37
100
S/250.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/13.12
227 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
227 En existencias
1
S/13.12
10
S/8.52
100
S/6.54
500
S/5.45
1,000
S/4.44
2,000
S/4.40
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
STD155N3LH6
STMicroelectronics
1:
S/9.19
363 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD155N3LH6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
363 En existencias
1
S/9.19
10
S/5.92
100
S/4.01
500
S/3.14
2,500
S/2.61
5,000
Ver
1,000
S/3.06
5,000
S/2.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
360°
+6 imágenes
STGB40V60F
STMicroelectronics
1:
S/14.21
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB40V60F
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
74 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.26
100
S/7.24
500
S/6.07
1,000
S/5.22
2,000
S/4.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/11.02
251 En existencias
1,000 Se espera el 27/07/2026
N.º de artículo de Mouser 511-STP16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
251 En existencias
1,000 Se espera el 27/07/2026
1
S/11.02
10
S/7.08
100
S/5.06
500
S/4.24
1,000
Ver
1,000
S/3.59
2,000
S/3.57
5,000
S/3.51
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1:
S/6.73
2,805 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
2,805 En existencias
1
S/6.73
10
S/4.28
100
S/2.86
500
S/2.34
3,000
S/1.78
6,000
Ver
1,000
S/2.05
6,000
S/1.65
9,000
S/1.63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
STF18N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/11.99
371 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF18N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
371 En existencias
1
S/11.99
10
S/7.75
100
S/5.68
500
S/4.75
1,000
Ver
1,000
S/4.09
2,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
STFW8N120K5
STMicroelectronics
1:
S/28.34
139 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW8N120K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
139 En existencias
1
S/28.34
10
S/20.94
100
S/16.93
600
S/15.03
1,200
S/12.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
STL4N10F7
STMicroelectronics
1:
S/3.81
923 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL4N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
923 En existencias
1
S/3.81
10
S/2.38
100
S/1.55
500
S/1.19
3,000
S/0.911
6,000
Ver
1,000
S/1.05
6,000
S/0.872
9,000
S/0.852
24,000
S/0.845
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
D44H8
STMicroelectronics
1:
S/6.42
2,625 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
D44H8
N.º de artículo de Mouser 511-D44H8
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
2,625 En existencias
1
S/6.42
10
S/2.24
100
S/2.04
500
S/1.74
1,000
Ver
1,000
S/1.62
10,000
S/1.56
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD6N65M2
STMicroelectronics
1:
S/5.45
3,192 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
3,192 En existencias
1
S/5.45
10
S/3.59
100
S/2.43
500
S/1.92
2,500
S/1.41
5,000
Ver
1,000
S/1.74
5,000
S/1.39
10,000
S/1.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
STD7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/10.04
1,325 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
1,325 En existencias
1
S/10.04
10
S/6.50
100
S/4.55
500
S/3.67
2,500
S/3.00
10,000
Ver
1,000
S/3.33
10,000
S/2.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Perú
