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STMicroelectronics MOSFETs de SiC

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Resultados: 11

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Marca = STMicroelectronics Selección de ficha Imagen

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
1: S/107.71
714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW70N120G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW70N120G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

714En existencias

S/107.71

S/81.47

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

21 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: S/75.63
47En existencias
600Se espera el 20/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCTW90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Obtenga más información

Hoja de datos

47En existencias

600Se espera el 20/04/2026

S/75.63

S/71.04

S/67.89

S/67.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: S/34.57
592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT1000N170

N.º de artículo de Mouser
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

592En existencias

S/34.57

S/23.67

S/17.48

S/15.34

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: S/61.89
510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT20N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

Obtenga más información

Hoja de datos

510En existencias

S/61.89

S/45.66

S/31.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: S/66.95
593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTW40N120G2VAG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Obtenga más información

Hoja de datos

593En existencias

S/66.95

S/41.53

S/36.28

S/36.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

SCTW100N65G2AG
STMicroelectronics
1: S/99.76
317En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCTW100N65G2AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW100N65G2AG

NRND

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Obtenga más información

Hoja de datos

317En existencias

S/99.76

S/88.52

S/87.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

69 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

162 nC

- 55 C

+ 200 C

420 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
1: S/112.45
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA90N65G2V-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

151En existencias

S/112.45

S/85.71

S/79.13

S/68.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: S/35.73
844Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT10N120AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

Obtenga más información

Hoja de datos

844Se espera el 23/11/2026

S/35.73

S/20.24

S/16.08

S/16.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

SCTWA90N65G2V
STMicroelectronics
1: S/109.89
69Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

Obtenga más información

Hoja de datos

69Se espera el 16/03/2026

S/109.89

S/71.19

S/68.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

SCT018W65G3AG
STMicroelectronics
600: S/40.99
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018W65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/40.99

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

76 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3
STMicroelectronics
600: S/50.33
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Hoja de datos

No en existencias

S/50.33

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

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