Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 12.61 1,553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,553En existencias	Cinta cortada S/ 12.61 S/ 6.27 S/ 5.61 S/ 4.67 Ver Envase tipo carrete S/ 4.16 S/ 4.44 S/ 4.16 S/ 4.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.58 4,762En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,762En existencias	Cinta cortada S/ 13.58 S/ 6.81 S/ 6.11 S/ 5.02 Ver Envase tipo carrete S/ 4.63 S/ 4.90 S/ 4.63 S/ 4.63	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 14.25 14,627En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-E022N06LM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14,627En existencias	Cinta cortada S/ 14.25 S/ 7.20 S/ 6.50 S/ 5.29 S/ 5.14 Envase tipo carrete S/ 4.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A	2.2 mOhms	20 V	2.3 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 22.46 2,767En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST011N06NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST011N06NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,767En existencias	Cinta cortada S/ 22.46 S/ 11.76 S/ 10.74 S/ 9.65 S/ 9.11 Envase tipo carrete S/ 9.11	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	399 A	1.1 Ohms	20 V	3.3 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPTC007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 24.41 3,408En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTC007N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-TC007N06NM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,408En existencias	Cinta cortada S/ 24.41 S/ 12.81 S/ 11.68 S/ 10.55 S/ 9.42 Envase tipo carrete S/ 9.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	60 V	454 A	750 uOhms	20 V	2.1 V	209 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.51 3,933En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,933En existencias	Cinta cortada S/ 10.51 S/ 5.18 S/ 4.75 S/ 3.89 Ver Envase tipo carrete S/ 3.27 S/ 3.59 S/ 3.40 S/ 3.27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	137 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.87 3,523En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC015N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,523En existencias	Cinta cortada S/ 11.87 S/ 5.92 S/ 5.33 S/ 4.28 Ver Envase tipo carrete S/ 3.86 S/ 4.16 S/ 4.09 S/ 3.86	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	259 A	1.5 mOhms	20 V	3.3 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 20.44 12,149En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	12,149En existencias	Cinta cortada S/ 20.44 S/ 10.63 S/ 9.65 S/ 8.52 Envase tipo carrete S/ 8.06	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPT009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 24.91 4,019En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT009N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,019En existencias	Cinta cortada S/ 24.91 S/ 13.16 S/ 12.03 S/ 11.72 S/ 11.33 Envase tipo carrete S/ 10.47	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	60 V	427 A	1.2 mOhms	20 V	2.8 V	171 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 23.20 2,759En existencias 9,000Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,759En existencias 9,000Se espera el 16/11/2026	Cinta cortada S/ 23.20 S/ 14.60 S/ 11.21 S/ 10.16 Envase tipo carrete S/ 8.84	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB IRFB7545PBF Infineon Technologies 1: S/ 8.64 47,182En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7545PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	47,182En existencias	S/ 8.64 S/ 4.20 S/ 3.73 S/ 2.97 Ver S/ 2.71 S/ 2.68 S/ 2.66	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	95 A	4.9 mOhms	20 V	3.7 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.05 10,063En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC120N06S5L022ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5L022	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,063En existencias	Cinta cortada S/ 11.05 S/ 5.49 S/ 4.87 S/ 3.97 Ver Envase tipo carrete S/ 3.27 S/ 3.75 S/ 3.64 S/ 3.27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	170 A	2.2 mOhms	20 V	1.7 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.51 5,248En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,248En existencias	Cinta cortada S/ 13.51 S/ 6.77 S/ 6.11 S/ 4.98 Ver Envase tipo carrete S/ 4.59 S/ 4.90 S/ 4.75 S/ 4.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.11 26,600En existencias 30,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC010N04LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	26,600En existencias 30,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada S/ 9.11 S/ 4.44 S/ 3.97 S/ 3.16 Envase tipo carrete S/ 2.64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1 mOhms	20 V	1.2 V	133 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.36 33,621En existencias 15,000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUZ40N06S5L050ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ40N06S5L050A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauz4xn06s5 60v optimos5 mosfets	Hoja de datos	33,621En existencias 15,000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada S/ 7.36 S/ 3.52 S/ 3.15 S/ 2.48 Ver Envase tipo carrete S/ 2.00 S/ 2.40 S/ 2.29 S/ 2.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8-33	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A	5 mOhms	16 V	2.2 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 26.43 4,494En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT008N06NM5LFATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT008N06NM5LFAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,494En existencias	Cinta cortada S/ 26.43 S/ 14.05 S/ 12.85 S/ 12.03 S/ 11.33 Envase tipo carrete S/ 11.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	454 A	800 uOhms	20 V	3.6 V	185 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 IAUC120N06S5N032ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.60 228En existencias 5,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUC120N06S5N032ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5N032	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	228En existencias 5,000En pedido	Cinta cortada S/ 8.60 S/ 4.16 S/ 3.72 S/ 2.96 Envase tipo carrete S/ 2.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	3.23 mOhms	20 V	2.8 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V IQFH86N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 18.92 290En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQFH86N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQFH86N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V	Hoja de datos	290En existencias	Cinta cortada S/ 18.92 S/ 9.77 S/ 8.87 S/ 7.67 Envase tipo carrete S/ 7.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSON-12	N-Channel	1 Channel	60 V	394 A	1.47 mOhms	20 V	2.8 V	137 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V IQFH99N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 18.18 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQFH99N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQFH99N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V	Hoja de datos	300En existencias	Cinta cortada S/ 18.18 S/ 9.34 S/ 8.49 S/ 7.28 Envase tipo carrete S/ 6.85	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSON-12	N-Channel	1 Channel	60 V	339 A	1.72 mOhms	20 V	2.8 V	115 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.19 373En existencias 240,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC022N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	373En existencias 240,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC022N04LS6ATMA1 Existencias: 373 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 70,000 Se espera el 28/01/2027 110,000 Se espera el 4/02/2027 60,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 6.19 S/ 2.90 S/ 2.58 S/ 2.02 Envase tipo carrete S/ 1.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 7,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.2 mOhms	20 V	1.3 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	79 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 5.84 7,433En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC41N06S5N102ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC41N06S5N102A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauz4xn06s5 60v optimos5 mosfets	Hoja de datos	7,433En existencias	Cinta cortada S/ 5.84 S/ 2.74 S/ 2.43 S/ 1.90 Ver Envase tipo carrete S/ 1.44 S/ 1.89 S/ 1.80 S/ 1.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	41 A	10.2 mOhms	20 V	3.4 V	12.5 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.52 2,474En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTC012N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC012N06NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,474En existencias	Cinta cortada S/ 17.52 S/ 11.56 S/ 9.93 Envase tipo carrete S/ 9.93 S/ 6.46	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	60 V	311 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.13 2,770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,770En existencias	Cinta cortada S/ 11.13 S/ 5.49 S/ 4.94 S/ 4.01 Ver Envase tipo carrete S/ 3.12 S/ 3.84 S/ 3.71 S/ 3.12	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A	2.2 mOhms	20 V	2.3 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISC010N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 16.89 2,425En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC010N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC010N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,425En existencias	Cinta cortada S/ 16.89 S/ 10.12 S/ 8.25 S/ 6.93 Ver Envase tipo carrete S/ 5.22 S/ 6.54 S/ 5.99 S/ 5.22	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	330 A	1.05 mOhms	20 V	3.3 V	115 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1 IPP029N06NXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.76 791En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP029N06NXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP029N06NXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	791En existencias	S/ 8.76 S/ 4.24 S/ 3.80 S/ 3.15 Ver S/ 2.91 S/ 2.81 S/ 2.73 S/ 2.60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	84 A	2.9 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement		OptiMOS	Tube