Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.48
4,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,862 En existencias
1
S/14.48
10
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Ver
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2,500
S/5.18
6,000
S/4.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Si
SMD/SMT
WHTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
21 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.15
67,587 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
67,587 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.15
10
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Ver
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S/2.59
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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1 Channel
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139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
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2,153 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,153 En existencias
1
S/14.48
10
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S/4.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Si
SMD/SMT
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1 Channel
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3.3 V
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,073 En existencias
1
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10
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Ver
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
137 A
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- 20 V, 20 V
3.3 V
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107 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser 726-IAUC41N06S5N102A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
4,057 En existencias
1
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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41 A
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3.4 V
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+ 175 C
42 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISG0614N06NM5HATMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.18
3,011 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,011 En existencias
1
S/18.18
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.54
2,708 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HSC
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,708 En existencias
1
S/19.54
10
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6,000
S/7.63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TFN-10
N-Channel
2 Channel
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233 A
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3.3 V
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167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1:
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53,692 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
53,692 En existencias
1
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10
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
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Si
Through Hole
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125 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.73
4,462 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-E022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,462 En existencias
1
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S/4.13
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
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2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
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- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1:
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3,240 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5L022
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
3,240 En existencias
1
S/8.99
10
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Ver
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
170 A
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- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5N032ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.63
5,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5N032
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
5,000 En existencias
1
S/7.63
10
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S/2.60
1,000
Ver
5,000
S/1.98
1,000
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S/2.32
5,000
S/1.98
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
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120 A
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+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.27
1,744 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,744 En existencias
1
S/22.27
10
S/16.82
100
S/13.62
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S/12.11
1,000
S/10.35
2,000
S/10.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
60 V
427 A
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- 20 V, 20 V
2.8 V
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- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
360°
+3 imágenes
IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.46
3,601 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPTC012N06NM5ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,601 En existencias
1
S/19.46
10
S/15.57
100
S/12.61
500
S/11.21
1,000
S/9.58
1,800
S/9.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
1 Channel
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311 A
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- 20 V, 20 V
2.1 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQD009N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.65
4,717 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQD009N06NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,717 En existencias
1
S/15.65
10
S/11.83
25
S/10.90
100
S/9.85
250
Ver
5,000
S/8.02
250
S/9.46
500
S/9.30
1,000
S/9.11
2,500
S/8.91
5,000
S/8.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
445 A
900 uOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.38
5,175 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQDH88N06LM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
5,175 En existencias
1
S/15.38
10
S/11.64
25
S/10.70
100
S/9.65
250
Ver
5,000
S/8.37
250
S/9.30
500
S/9.11
1,000
S/8.95
2,500
S/8.72
5,000
S/8.37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
447 A
860 uOhms
- 10 V, 10 V
1.1 V
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- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.73
4,491 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,491 En existencias
1
S/12.73
10
S/8.25
100
S/6.07
500
S/5.06
1,000
Ver
5,000
S/4.13
1,000
S/4.36
2,500
S/4.13
5,000
S/4.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.46
3,518 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,518 En existencias
1
S/12.46
10
S/8.87
25
S/8.84
100
S/6.19
500
Ver
6,000
S/4.44
500
S/5.22
1,000
S/4.94
6,000
S/4.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.78
5,922 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
5,922 En existencias
1
S/13.78
10
S/9.03
100
S/6.31
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S/5.49
1,000
Ver
6,000
S/4.44
1,000
S/5.41
2,500
S/5.29
6,000
S/4.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISC015N06NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.35
6,780 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5LF2A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
6,780 En existencias
1
S/13.35
10
S/10.08
25
S/9.93
100
S/8.10
250
Ver
5,000
S/6.62
250
S/8.06
500
S/7.12
1,000
S/6.97
5,000
S/6.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
275 A
1.55 mOhms
- 20 V, 20 V
3.45 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
360°
+3 imágenes
IPTC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.17
2,498 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,498 En existencias
1
S/27.17
10
S/18.41
100
S/13.70
1,000
S/12.57
1,800
S/11.44
3,600
Ver
3,600
S/11.02
9,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
1 Channel
60 V
454 A
750 uOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
209 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.93
290 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH86N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
290 En existencias
1
S/19.93
10
S/16.47
100
S/13.31
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S/11.83
1,000
S/10.12
3,000
S/9.15
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
394 A
1.47 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.79
300 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH99N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
300 En existencias
1
S/17.79
10
S/14.29
100
S/11.56
500
S/10.28
1,000
S/8.80
3,000
S/7.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
339 A
1.72 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.70
13,003 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ40N06S5L050A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
13,003 En existencias
1
S/6.70
10
S/4.32
100
S/2.88
500
S/2.30
1,000
S/2.09
5,000
S/1.70
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8-33
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
5 mOhms
- 16 V, 16 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.12
2,869 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IST011N06NM5AUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,869 En existencias
1
S/20.12
10
S/13.43
100
S/9.58
500
S/9.15
2,000
S/7.43
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
399 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
3.3 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
313 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.15
300 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH68N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
300 En existencias
1
S/22.15
10
S/18.61
100
S/15.06
500
S/13.39
1,000
S/11.44
3,000
S/10.35
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
460 A
1.12 Ohms
- 20 V, 20 V
2.8 V
168 nC
- 55 C
+ 175 C
273 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Perú