Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.64
4,456 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,456 En existencias
1
S/14.64
10
S/9.54
100
S/6.66
500
S/5.61
1,000
Ver
5,000
S/4.87
1,000
S/5.18
2,500
S/4.87
5,000
S/4.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.43
4,772 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,772 En existencias
1
S/16.43
10
S/10.04
100
S/7.47
500
S/6.38
1,000
Ver
6,000
S/5.53
1,000
S/5.88
2,500
S/5.53
6,000
S/5.53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Si
SMD/SMT
WHTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
21 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1:
S/6.23
56,743 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
56,743 En existencias
1
S/6.23
10
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100
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S/2.21
1,000
Ver
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S/2.01
2,000
S/1.89
5,000
S/1.68
10,000
S/1.62
25,000
S/1.43
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
95 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.74
2,869 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IST011N06NM5AUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,869 En existencias
1
S/23.74
10
S/15.57
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S/9.03
2,000
S/9.03
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
399 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
3.3 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
313 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.06
4,063 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,063 En existencias
1
S/15.06
10
S/9.15
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S/6.38
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1,000
Ver
5,000
S/4.87
1,000
S/5.18
2,500
S/4.87
5,000
S/4.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
137 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
ISC015N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.92
3,140 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
3,140 En existencias
1
S/12.92
10
S/8.37
100
S/5.76
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S/4.83
1,000
Ver
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S/3.80
1,000
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2,500
S/4.16
5,000
S/3.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
259 A
1.5 mOhms
20 V
3.3 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH61N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/32.93
2,879 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH61N06NM5ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
2,879 En existencias
1
S/32.93
10
S/22.15
100
S/17.01
500
S/14.52
1,000
S/13.39
3,000
S/13.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
510 A
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- 20 V, 20 V
2.8 V
190 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISC015N06NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.72
9,955 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5LF2A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
9,955 En existencias
1
S/21.72
10
S/14.21
100
S/10.59
500
S/8.87
1,000
Ver
5,000
S/7.71
1,000
S/8.25
2,500
S/7.71
5,000
S/7.71
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
275 A
1.55 mOhms
- 20 V, 20 V
3.45 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.98
3,914 En existencias
5,000 Se espera el 22/10/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5L022
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
3,914 En existencias
5,000 Se espera el 22/10/2026
1
S/10.98
10
S/7.05
100
S/4.79
500
S/4.09
1,000
Ver
5,000
S/3.27
1,000
S/3.59
2,500
S/3.54
5,000
S/3.27
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
170 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
77 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5N032ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.45
3,575 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5N032
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
3,575 En existencias
1
S/8.45
10
S/5.37
100
S/3.61
500
S/2.93
5,000
S/2.32
10,000
Ver
1,000
S/2.62
2,500
S/2.45
10,000
S/2.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
120 A
3.23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.92
5,268 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
5,268 En existencias
1
S/15.92
10
S/10.39
100
S/7.43
500
S/6.15
1,000
Ver
6,000
S/5.18
1,000
S/5.53
2,500
S/5.33
6,000
S/5.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.97
1,553 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,553 En existencias
1
S/16.97
10
S/11.09
100
S/8.29
500
S/6.93
1,000
Ver
6,000
S/6.03
1,000
S/6.42
2,500
S/6.03
6,000
S/6.03
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
21 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISG0614N06NM5HATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.24
3,462 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,462 En existencias
1
S/20.24
10
S/13.47
100
S/9.58
500
S/8.52
3,000
S/8.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TFN-10
N-Channel
2 Channel
60 V
233 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.26
49,162 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
49,162 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.26
10
S/7.67
100
S/5.61
500
S/4.71
5,000
S/3.49
10,000
Ver
1,000
S/4.20
10,000
S/3.41
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
133 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.33
69 En existencias
4,000 Se espera el 20/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
69 En existencias
4,000 Se espera el 20/07/2026
1
S/27.33
10
S/17.91
100
S/13.20
500
S/11.72
1,000
S/11.09
2,000
S/10.47
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
60 V
427 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
171 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/26.51
2,689 En existencias
2,000 Se espera el 15/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPT008N06NM5LFAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,689 En existencias
2,000 Se espera el 15/07/2026
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
454 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
185 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
360°
+3 imágenes
IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.53
267 En existencias
1,800 Se espera el 27/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPTC012N06NM5ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
267 En existencias
1,800 Se espera el 27/07/2026
1
S/28.53
10
S/18.88
100
S/13.74
500
S/11.91
1,000
S/11.13
1,800
S/10.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,800
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
1 Channel
60 V
311 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.36
87 En existencias
6,000 Se espera el 27/05/2027
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
87 En existencias
6,000 Se espera el 27/05/2027
1
S/20.36
10
S/13.43
100
S/9.11
500
S/7.59
1,000
Ver
6,000
S/6.46
1,000
S/6.89
2,500
S/6.66
6,000
S/6.46
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.42
290 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH86N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
290 En existencias
1
S/28.42
10
S/18.80
100
S/13.70
500
S/11.83
1,000
S/10.59
3,000
S/10.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
394 A
1.47 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.11
300 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH99N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
300 En existencias
1
S/25.11
10
S/16.58
100
S/12.07
500
S/10.32
1,000
S/9.54
3,000
S/9.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
339 A
1.72 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.28
11,059 En existencias
190,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
11,059 En existencias
190,000 En pedido
1
S/7.28
10
S/4.52
100
S/2.95
500
S/2.32
1,000
S/2.30
5,000
S/2.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.02
10,535 En existencias
10,000 Se espera el 10/06/2027
N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ40N06S5L050A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
10,535 En existencias
10,000 Se espera el 10/06/2027
1
S/8.02
10
S/5.06
100
S/3.31
500
S/2.63
1,000
Ver
5,000
S/2.00
1,000
S/2.33
2,500
S/2.17
5,000
S/2.00
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8-33
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
5 mOhms
- 16 V, 16 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.77
3,060 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC010N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,060 En existencias
1
S/22.77
10
S/14.91
100
S/10.98
500
S/9.77
1,000
S/8.68
5,000
S/8.68
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
330 A
1.05 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/15.06
836 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
836 En existencias
1
S/15.06
10
S/9.81
100
S/7.12
500
S/5.99
1,000
Ver
1,000
S/5.57
2,500
S/5.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8
BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.16
629 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8
629 En existencias
5,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/7.16
10
S/4.48
100
S/2.95
500
S/2.32
1,000
Ver
5,000
S/1.74
1,000
S/1.96
2,500
S/1.85
5,000
S/1.74
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
46 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
36 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú