Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1:
S/5.18
58,697 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
58,697 En existencias
1
S/5.18
10
S/1.90
100
S/1.75
500
S/1.57
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
95 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.14
4,782 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,782 En existencias
1
S/15.14
10
S/9.77
100
S/7.12
500
S/5.88
2,500
S/5.49
6,000
S/5.49
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Si
SMD/SMT
WHTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
21 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.05
65,605 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
65,605 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.05
10
S/6.70
100
S/5.06
500
S/4.20
1,000
Ver
5,000
S/3.71
1,000
S/4.01
2,500
S/3.84
5,000
S/3.71
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
133 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.94
4,073 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,073 En existencias
1
S/13.94
10
S/8.95
100
S/6.50
500
S/5.33
1,000
Ver
5,000
S/4.83
1,000
S/5.18
2,500
S/4.83
5,000
S/4.83
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
137 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
ISC015N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.07
3,500 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
3,500 En existencias
1
S/12.07
10
S/7.71
100
S/5.25
500
S/4.36
1,000
Ver
5,000
S/3.80
1,000
S/4.05
2,500
S/3.93
5,000
S/3.80
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
259 A
1.5 mOhms
20 V
3.3 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH61N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/29.93
2,955 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH61N06NM5ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
2,955 En existencias
1
S/29.93
10
S/20.24
100
S/14.75
500
S/14.17
1,000
S/13.66
3,000
S/13.23
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Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
510 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
190 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISG0614N06NM5HATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.24
3,499 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,499 En existencias
1
S/20.24
10
S/13.47
100
S/9.58
500
S/8.52
3,000
S/7.98
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TFN-10
N-Channel
2 Channel
60 V
233 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.16
7,219 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5L022
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
7,219 En existencias
1
S/10.16
10
S/6.54
100
S/4.48
500
S/3.58
1,000
Ver
5,000
S/3.07
1,000
S/3.29
2,500
S/3.24
5,000
S/3.07
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
170 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
77 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5N032ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.86
3,655 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5N032
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
3,655 En existencias
1
S/7.86
10
S/5.02
100
S/3.38
500
S/2.69
1,000
S/2.39
5,000
S/2.27
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
120 A
3.23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.53
1,439 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,439 En existencias
1
S/25.53
10
S/17.17
100
S/12.38
500
S/12.14
1,000
S/11.72
2,000
S/10.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
60 V
427 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
171 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
360°
+3 imágenes
IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/24.13
817 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPTC012N06NM5ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
817 En existencias
1
S/24.13
10
S/16.15
100
S/11.60
500
S/10.63
1,000
S/9.93
1,800
S/9.93
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,800
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
1 Channel
60 V
311 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.38
4,705 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQDH88N06LM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,705 En existencias
1
S/15.38
10
S/10.70
100
S/9.30
500
S/9.11
1,000
Ver
5,000
S/8.76
1,000
S/9.03
2,500
S/8.76
5,000
S/8.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
447 A
860 uOhms
- 10 V, 10 V
1.1 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.12
4,456 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,456 En existencias
1
S/13.12
10
S/8.10
100
S/5.88
500
S/4.87
1,000
Ver
5,000
S/4.44
1,000
S/4.75
2,500
S/4.55
5,000
S/4.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.21
5,492 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
5,492 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.30
100
S/6.50
500
S/5.57
1,000
Ver
6,000
S/5.14
1,000
S/5.45
2,500
S/5.41
6,000
S/5.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.34
1,673 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,673 En existencias
1
S/15.34
10
S/10.00
100
S/7.12
500
S/6.34
1,000
Ver
6,000
S/5.49
1,000
S/5.99
2,500
S/5.88
6,000
S/5.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
21 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.51
1,460 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,460 En existencias
1
S/20.51
10
S/13.66
100
S/9.77
500
S/9.38
1,000
S/9.23
3,000
S/8.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TFN-10
N-Channel
2 Channel
60 V
233 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/30.09
4,024 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT008N06NM5LFAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,024 En existencias
1
S/30.09
10
S/20.51
100
S/15.49
500
S/15.10
1,000
S/14.79
2,000
S/14.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
454 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
185 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.11
290 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH86N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
290 En existencias
1
S/25.11
10
S/16.85
100
S/12.14
500
S/11.25
1,000
S/10.47
3,000
S/10.47
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
394 A
1.47 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/22.62
300 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IQFH99N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
300 En existencias
1
S/22.62
10
S/15.10
100
S/10.82
500
S/9.77
1,000
S/9.50
3,000
S/9.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
339 A
1.72 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.56
2,869 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IST011N06NM5AUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,869 En existencias
1
S/21.56
10
S/14.36
100
S/10.28
500
S/9.15
1,000
S/8.84
2,000
S/8.56
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
399 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
3.3 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
313 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.83
87 En existencias
6,000 Se espera el 3/12/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
87 En existencias
6,000 Se espera el 3/12/2026
1
S/17.83
10
S/11.68
100
S/8.52
500
S/7.16
1,000
Ver
6,000
S/6.42
1,000
S/6.89
2,500
S/6.62
6,000
S/6.42
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.43
16,183 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ40N06S5L050A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
16,183 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.75
100
S/3.15
500
S/2.50
1,000
Ver
5,000
S/1.88
1,000
S/2.10
2,500
S/2.06
5,000
S/1.88
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8-33
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
5 mOhms
- 16 V, 16 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.28
3,063 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ISC010N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,063 En existencias
1
S/20.28
10
S/13.47
100
S/9.58
500
S/9.11
1,000
S/8.60
5,000
S/7.86
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
330 A
1.05 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/13.82
336 En existencias
500 Se espera el 11/06/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
336 En existencias
500 Se espera el 11/06/2026
1
S/13.82
10
S/7.01
100
S/6.34
500
S/5.10
1,000
S/4.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.25
245 En existencias
140,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
245 En existencias
140,000 En pedido
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En pedido:
40,000 Se espera el 11/06/2026
100,000 Se espera el 2/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/8.25
10
S/5.25
100
S/3.53
500
S/2.93
1,000
Ver
5,000
S/2.28
1,000
S/2.69
2,500
S/2.62
5,000
S/2.28
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Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú