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BSC010N04LSATMA1

Name: Infineon BSC010N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC010N04LSATMA1
Price: 9.15 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSC010N04LSATMA1

Fabricante N.º:

BSC010N04LSATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Hoja de datos:

BSC010N04LSATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/9.15	S/9.15
	S/5.84	S/58.40
	S/4.09	S/409.00
	S/3.25	S/1,625.00
	S/3.01	S/3,010.00
	S/2.79	S/6,975.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/2.59	S/12,950.00
25,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BSC010N04LS

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/9.42

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	133 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	139 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	140 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	OptiMOS 5
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	46 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Alias de las piezas n.º:	BSC010N04LS SP000928282
Peso de la unidad:	100 mg

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Hoja de datos

BSC010N04LSATMA1 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Tool: Simulate ONLINE - BSC010N04LS - MOSFET Comparison - 24V Clamped Inductive Load

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 40V N-Channel (Cierre)

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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40V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon 40V OptiMOS Power MOSFETs feature 35% lower R_DS(on) and 45% lower Figure of Merit (R_DS(on) x Q_g) compared to alternative devices. These devices are optimized for synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) as well as a broad range of industrial applications such as motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converters. In addition, this new generation of 40V devices offers higher switching frequencies and is enabled, which results in even higher power density. A monolithic integrated Schottky-like diode in the 40V SuperSO8 package (5mm x 6mm) leads to higher efficiency and a drastic reduction of the voltage overshoot. This in turn reduces the need for a snubber circuit and saves engineering effort.

USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.