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ISG0614N06NM5HATMA1

Name: Infineon ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISG0614N06NM5HAT
Price: 18.18 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-ISG0614N06NM5HAT

Fabricante N.º:

ISG0614N06NM5HATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

ISG0614N06NM5HATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/18.18	S/18.18
	S/12.65	S/126.50
	S/9.03	S/903.00
	S/7.94	S/3,970.00
	S/7.67	S/7,670.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/6.93	S/20,790.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TFN-10
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	233 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.3 V
Qg - Carga de puerta:	68 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	167 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	6.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	31 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Alias de las piezas n.º:	ISG0614N06NM5H SP005575180

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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