Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/30.83
1,138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB036N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,138En existencias

Cinta cortada

S/30.83

S/20.63

S/16.58

S/14.75

Envase tipo carrete

S/13.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

120 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.30
4,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

4,916En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/10.00

S/7.01

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: S/17.20
1,556En existencias
2,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,556En existencias

2,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/17.20

S/11.33

S/7.98

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.26
4,845En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB320N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,845En existencias

Cinta cortada

S/15.26

S/9.96

S/7.28

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.33

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

34 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

IPB64N25S3-20
Infineon Technologies
1: S/31.72
2,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB64N25S3-20

N.º de artículo de Mouser
726-IPB64N25S3-20

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

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Hoja de datos

2,994En existencias

Cinta cortada

S/31.72

S/21.25

S/17.09

S/15.18

Envase tipo carrete

S/13.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.11
4,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S2H4ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S2H4ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,116En existencias

Cinta cortada

S/16.11

S/10.59

S/7.43

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.15

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.32
2,096En existencias
2,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S4L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,096En existencias

2,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.34

S/3.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

6.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
1: S/26.59
992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80R290C3AATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos

992En existencias

Cinta cortada

S/26.59

S/17.87

S/12.92

S/11.79

Envase tipo carrete

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

670 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

88 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.44
123,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

Obtenga más información

Hoja de datos

123,954En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.887

S/0.561

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.304

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

106 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.28
3,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,890En existencias

S/7.28

S/3.47

S/3.25

S/2.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/27.75
3,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,744En existencias

Cinta cortada

S/27.75

S/21.49

Envase tipo carrete

S/21.49

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1: S/31.14
2,166En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB200N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,166En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/31.14

S/21.95

S/17.75

S/15.76

Envase tipo carrete

S/14.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
1: S/18.49
1,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Obtenga más información

Hoja de datos

1,250En existencias

Cinta cortada

S/18.49

S/12.22

S/8.64

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

351 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.25
380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

380En existencias

S/8.25

S/3.97

S/3.55

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
108En existencias
500Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA060N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

108En existencias

500Se espera el 24/08/2026

S/7.86

S/4.16

S/3.24

S/2.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.33
543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

543En existencias

S/8.33

S/4.75

S/3.56

S/2.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/22.50
540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

540En existencias

Cinta cortada

S/22.50

S/14.71

S/10.86

S/9.65

Envase tipo carrete

S/8.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

275 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
1: S/12.03
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N04S4-H2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4-H2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

702En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.79

S/5.33

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.83

S/3.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB160N04S4-H1
Infineon Technologies
1: S/13.94
309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB160N04S4-H1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB160N04S4-H1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

309En existencias

Cinta cortada

S/13.94

S/9.07

S/6.38

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3-100
Infineon Technologies
1: S/13.08
634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3-100

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3-100

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

634En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.49

S/5.88

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-03
Infineon Technologies
1: S/10.39
398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-03

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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S/10.39

S/6.70

S/4.59

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.37

S/3.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.43
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S2L06ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L06ATM

Infineon Technologies

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S/16.43

S/10.94

S/8.17

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S407ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.32
216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S407ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S407ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.34

S/3.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: S/23.94
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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S/23.94

S/16.00

S/11.52

S/10.55

Envase tipo carrete

S/9.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.79
10,187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

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Cinta cortada

S/1.79

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.19

S/0.245

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

140 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
110 mA
170 mA
230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
6 A
12 A
17 A
18.1 A
22.4 A
24.8 A
25 A
34 A
35 A
45 A
50 A
64 A
69 A

800 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
2.3 nC
9 nC
14 nC
18 nC
29 nC
32 nC
32.6 nC
33 nC
36 nC
39 nC
44 nC
47.2 nC
51 nC
56 nC
60 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30.4 W
32 W
33 W
36 W
58 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W
136 W
150 W
158 W
167 W