Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

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Resultados: 72

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/24.52
1,198En existencias

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IPB036N12N3 G

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726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/24.52

S/18.80

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S/13.51

Envase tipo carrete

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Ver

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180 A

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- 20 V, 20 V

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
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1,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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1,764En existencias

Cinta cortada

S/15.34

S/10.04

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S/6.73

Envase tipo carrete

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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5,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3 G

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726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Cinta cortada

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S/8.95

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120 A

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300 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB016N06L3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB016N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
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4,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB090N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.30

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Envase tipo carrete

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S/2.07

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.71
9,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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9,396En existencias

Cinta cortada

S/14.71

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Envase tipo carrete

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180 A

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3 V

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- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
1: S/24.80
1,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80R290C3AATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos

1,156En existencias

Cinta cortada

S/24.80

S/17.13

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Envase tipo carrete

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+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/15.84
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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976En existencias

Cinta cortada

S/15.84

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Ver

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+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

BSS169H6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.37
63,669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS169H6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS169H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

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63,669En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/1.46

S/0.954

S/0.705

Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.9 V

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Depletion

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1: S/25.50
1,971En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB020NE7N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,971En existencias

Cinta cortada

S/25.50

S/17.09

S/12.34

S/11.44

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S/10.70

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

75 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/7.59
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

581En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.36

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.37

S/2.26

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.99
737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

737En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/9.81

S/6.85

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.61
971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

971En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.14

S/5.76

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3-100
Infineon Technologies
1: S/12.22
1,095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3-100

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3-100

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,095En existencias

Cinta cortada

S/12.22

S/7.94

S/5.84

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.24

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.61
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

862En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/6.31

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.59

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.58 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

134 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1: S/38.38
3,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

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Hoja de datos

3,837En existencias

Cinta cortada

S/38.38

S/29.12

S/24.25

S/21.60

Envase tipo carrete

S/20.20

S/20.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
1: S/8.76
1,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,515En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.25

S/3.72

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.82
879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

879En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/6.93

S/4.71

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.43

S/3.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB038N12N3 G
Infineon Technologies
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4,624En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB038N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB038N12N3GXT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,624En existencias

Cinta cortada

S/18.49

S/14.56

S/10.70

S/9.54

Envase tipo carrete

S/8.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB065N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/21.18
2,822En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB065N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB065N15N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/21.18

S/17.20

S/15.03

S/14.05

Envase tipo carrete

S/11.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

130 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
1: S/18.33
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-00

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/18.33

S/12.11

S/9.50

S/8.45

Envase tipo carrete

S/7.43

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

286 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/21.72
5,525En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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5,525En existencias

Cinta cortada

S/21.72

S/13.97

S/10.67

S/9.61

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/11.56
980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Cinta cortada

S/11.56

S/7.47

S/5.33

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.86

S/3.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/14.64
725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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725En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.54

S/7.47

S/6.42

Envase tipo carrete

S/5.45

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

BSS139H6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.69
11,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS139H6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS139H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

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Cinta cortada

S/2.69

S/1.63

S/1.05

S/0.798

Envase tipo carrete

S/0.561

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

250 V

100 mA

7.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Depletion

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
110 mA
170 mA
230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
6 A
12 A
17 A
18.1 A
22.4 A
24.8 A
25 A
34 A
35 A
45 A
50 A
64 A
69 A

800 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
2.3 nC
9 nC
14 nC
18 nC
29 nC
32 nC
32.6 nC
33 nC
36 nC
39 nC
44 nC
47.2 nC
51 nC
56 nC
60 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30.4 W
32 W
33 W
36 W
58 W
71 W
79 W
88 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W
136 W
150 W
158 W