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IPB120P04P404ATMA2

Name: Infineon IPB120P04P404ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB120P04P404ATM
Price: 14.29 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPB120P04P404ATM

Fabricante N.º:

IPB120P04P404ATMA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Hoja de datos:

IPB120P04P404ATMA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/14.29	S/14.29
	S/9.34	S/93.40
	S/6.54	S/654.00
	S/5.76	S/2,880.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/5.37	S/5,370.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	158 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	52 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	49 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Alias de las piezas n.º:	IPB120P04P4-04 SP002325758 IPB120P04P404ATMA1 SP000842270
Peso de la unidad:	324 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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