Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 40

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

IXTA4N150HV
IXYS
1: S/63.10
183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

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183En existencias

S/63.10

S/36.51

S/35.69

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

IXTH12N150
IXYS
1: S/84.27
285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

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285En existencias

S/84.27

S/50.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
1: S/62.24
248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ4N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

248En existencias

S/62.24

S/38.15

S/35.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

IXTH3N120
IXYS
1: S/45.58
1En existencias
300Se espera el 28/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

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1En existencias

300Se espera el 28/12/2026

S/45.58

S/32.97

S/24.29

S/23.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

IXTT12N150HV
IXYS
1: S/259.36
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

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263En existencias

S/259.36

S/210.58

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH4N150
IXYS
1: S/49.32
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH4N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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215En existencias

S/49.32

S/36.75

S/27.87

S/26.08

S/25.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTP05N100
IXYS
1: S/18.14
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

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550En existencias

S/18.14

S/9.34

S/8.14

S/6.93

S/6.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTT6N120
IXYS
1: S/67.50
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

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274En existencias

S/67.50

S/41.65

S/38.96

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.6 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

IXTP05N100M
IXYS
1: S/23.39
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

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Hoja de datos

300En existencias

S/23.39

S/12.30

S/10.90

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

700 mA

15 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

IXFH16N120P
IXYS
1: S/100.78
158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

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Hoja de datos

158En existencias

S/100.78

S/80.69

S/69.75

S/62.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTA05N100HV
IXYS
1: S/26.82
2,248En existencias
50Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

2,248En existencias

50Se espera el 24/08/2026

S/26.82

S/14.29

S/13.04

S/12.88

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXTA3N120
IXYS
1: S/39.31
1,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

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Hoja de datos

1,969En existencias

S/39.31

S/24.06

S/22.30

S/21.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

IXTP3N120
IXYS
1: S/43.32
784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

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784En existencias

S/43.32

S/25.89

S/23.90

S/21.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

IXTT12N150
IXYS
1: S/77.23
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

310En existencias

S/77.23

S/51.69

S/50.25

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N120HV
IXYS
1: S/42.39
24En existencias
350Se espera el 28/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

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Hoja de datos

24En existencias

350Se espera el 28/10/2026

S/42.39

S/23.59

S/21.49

S/18.57

S/18.29

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH3N150
IXYS
1: S/71.19
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

2En existencias

S/71.19

S/45.93

S/39.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

7.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTH6N120
IXYS
1: S/67.50
113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

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Hoja de datos

113En existencias

S/67.50

S/41.65

S/38.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

IXTX20N150
IXYS
1: S/135.65
43En existencias
300Se espera el 4/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTX20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

43En existencias

300Se espera el 4/01/2027

S/135.65

S/98.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

IXTY01N100
IXYS
1: S/15.38
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY01N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY01N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

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Hoja de datos

300En existencias

S/15.38

S/7.98

S/7.08

S/6.11

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

100 mA

80 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N150HV
IXYS
1: S/59.17
523En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

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Hoja de datos

523En pedido

S/59.17

S/36.47

S/32.85

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

7.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTA05N100
IXYS
300: S/13.04
800Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

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Hoja de datos

800Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

S/13.04

S/12.34

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

IXTH6N150
IXYS
1: S/62.24
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/62.24

S/37.64

S/35.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ6N150
IXYS
300: S/46.17
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/46.17

S/44.84

S/44.45

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

3.85 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

IXTK20N150
IXYS
300: S/185.87
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTK20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/185.87

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

IXTP2N80
IXYS
50: S/10.70
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP2N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP2N80

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/10.70

S/7.94

S/6.66

S/6.19

S/5.80

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

6.2 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
700 mA
750 mA
1.5 A
1.83 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
5 A
6 A
12 A
13 A
14 A
16 A
20 A
24 A
33 A
40 A
67 A

20 mOhms
25 mOhms
85 mOhms
170 mOhms
350 mOhms
400 mOhms
700 mOhms
800 mOhms
950 mOhms
1 Ohms
2 Ohms
2.2 Ohms
2.4 Ohms
2.6 Ohms
3.5 Ohms
3.85 Ohms
4.5 Ohms
6 Ohms
6.2 Ohms
7 Ohms